1. 在2019年的转折点之后，SiC功率器件市场从2020年的40％复合增长速度增长到2022年的10亿美元以上

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YoleDéveloppement在2016年表示，“SiC电力业务具有实际意义，前景光明”。2017年的趋势并没有改变，SiC行业正在进一步发展，工业企业对SiC电力市场的信心越来越高，在第三版的SiC技术和市场分析中增加了市场分析公司：“功率SiC 2017：材料，器件，模块和应用”。终端用户曾经对SiC感到好奇，但他们现在正在尝试，为具体的项目构建原型，可以在未来几年推动量产。 技术与市场分析师洪林博士评论说：“SiC技术的附加值今天被电力电子行业广泛的理解和接受。我们正在逐渐从客户意识和教育阶段转向客户试用和采用阶段。这对于SiC晶体管尤其如此。” 除了一般的积极反馈外，其他多个信号也表明，SiC功率器件的市场应用将会加速增长。

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发布时间: 2017-10-01

2. Jaydeep Kulkarni教授因“评估基于PTM的CMOS电路的辐射性能”而获得国防部的资助

Lightfeng

德克萨斯州ECE的Jaydeep Kulkarni教授和范德比尔特大学的合作者最近收到了国防部（DoD）和美国海军的一笔拨款，用于“评估基于PTM的CMOS电路的辐射性能”。 在这项研究中，主要研究者Kulkarni与其来自范德比尔特大学的合作者Bharat Bhuva教授计划探索新型相变材料（PTM），以提高CMOS逻辑和存储电路的辐射强度。PTM器件在外偏压的作用下电阻会发生突变。与以前的方法相比，本文提出的基于PTM的电路是通过将PTM器件的后端（BEOL）集成到基线CMOS技术上，而不会导致有源硅区的增长。如果成功的话，这项研究可以显著提高国防部关键电子系统的抗辐射能力，同时将对功率和性能的影响降到最低。 Jaydeep Kulkarni是一名助理教授，在奥斯汀德克萨斯大学电气和计算机工程系担任AMD授予的计算机工程教授。他申请了35项专利，出版了2本书籍，并在相关期刊和会议上发表了75篇论文。他的研究重点是节能数字、内存和电源管理电路、新兴的纳米技术应用和数据密集型硬件加速器。他获得了2008年英特尔基金会博士奖学金，2010年普渡大学欧洲经委会杰出博士学位论文奖，2015年IEEE交易VLSI系统最佳论文奖，2015年SRC杰出工业联络奖。

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发布时间: 2019-06-23

3. 学院欢迎为期一年的激励新工程师的政府运动

Lightfeng

英国皇家工程院热烈欢迎政府2018工程年的推出。从一月份开始，长达一年的国家倡议，在政府和行业和专业合作伙伴之间进行，旨在让成千上万的年轻人激发工程经验，共同应对工程技能差距，鼓励年轻人加入这个行业。 “工程年”活动将鼓励各种背景的年轻人，尤其是7-11岁的年轻人及其父母和老师，仔细研究工程，挑战陈规陋习，展示这个前瞻性创新部门的多样性和创造性。 英国皇家工程院院长Dr. Dame Ann Dowling博士说：“工程年提供了一个绝佳的机会，向工程界展示英国经济的好处，以及为年轻人提供的众多不同的职业选择，建立和提升专业工作，。我对政府在推动这个行业方面给予宝贵的支持。”

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发布时间: 2017-11-30

4. SK海力士公司计划实现芯片生产全自动化

shenxiang

据TechWeb网2月8日消息 ，SK海力士公司计划实现芯片制造工厂的全自动化运营，以降低成本。该公司的一名高管表示，目前该公司的300毫米晶圆厂已经实现高度自动化运作，绝大多数生产流程都能自动化进行，仅需少部分工作人员进行监测。若使生产制造的每个环节都实现自动化和智能化，最大的挑战是通过准确的预测提高生产效率和良品率。其中，基于人工智能和数字孪生技术的预测方案将发挥重要作用。这些技术将破除芯片制造自动化的诸多限制。

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发布时间: 2021-03-05

5. 中国移动与清华大学达成战略合作 将共同研究6G

shenxiang

中国移动近日与清华大学举行战略合作框架协议签约仪式。在与清华大学党委书记陈旭会见后，中国移动董事长杨杰、总经理李跃与清华大学校长邱勇出席签约仪式。中国移动副总经理李正茂、清华大学副校长尤政代表双方签署协议。 根据协议，双方将在面向6G的未来移动通信网络、下一代互联网和移动互联网、工业互联网、人工智能等重点领域开展科研合作，共同成立联合研究院，打造领先技术、解决方案和产品，推动科技成果的转化和应用。同时，开展高等人才联合培养，探索产学研用协同创新机制，推进创新链、产业链、资金链、政策链、人才链深度融合，激发科技创新合作新动能。此前，双方依托“车联网” 教育部联合实验室、“新一代宽带无线移动通信网”国家科技重大专项等，已开展多领域的合作。 双方称，此次签署战略合作协议，将发挥各自优势，推动“产学”强强联合，加速关键基础性技术创新、前沿引领技术创新成果转化和产业化，为我国经济社会发展、服务改善民生、保障国家安全提供有力支撑。 据悉，目前中国移动专职研发团队超过万人，年科技支出超过200亿元，累计承担了172个国家重大科研项目，专利申请超过1.6万件。与此同时，中国移动还与高校、科研院所、合作伙伴等开展重点课题联合攻关，建设了新一代移动通信技术国家工程实验室，成立了5G联合创新中心及8个高校联合实验室。

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发布时间: 2019-06-05

6. Aixtron第一季度的毛利率和盈利超出预期

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2019年第一季度，德国的沉积设备制造商Aixtron SE报告收入为6870万欧元，比上一季度的8790万欧元下降了22％，但比去年同期的6240万欧元增长了10％。总裁Bernd Schulte博士表示2019年第一季度的业务发展符合预期，并且对核心市场的中期和长期积极评估没有任何变化。 具体而言，设备收入为5610万欧元，比去年同期的5080万欧元增长10％（增长81％至总收入的82％）。与此同时，备件和服务的收入从一年前的1160万欧元增长到了1250万欧元，增长了0.9％。 根据2019年第一季度的业绩和对需求发展的内部评估，Aixtron维持其在2月份的年度报告中对2019年全年的预测。因此，与2018年相比，该公司预计销售发展将继续保持稳定增长。根据Q1 / 2019年度的结果，目前对订单情况和预算汇率的评估为1.20美元/欧元，Aixtron预计2019年全年的订单为220-260万欧元（低于2018年的3.025亿欧元）。这包括OLED客户对大规模测试系统的预期订单，作为OLED显示器行业OVPD技术持续认证过程的一部分。预计销售收入为2.6-2亿欧元（2018年为2.688亿欧元），Aixtron预计毛利率为35-40％（低于2018年的44％），息税前利润为8-13％（低于15％）。此外，该公司应该产生1500万至2500万欧元的自由现金流（从2018年的440万欧元起）。对2019年的期望包括APEVA子公司的业绩，包括继续OLED开发活动的所有必要投资。

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发布时间: 2019-05-25

7. Silicon Labs低功耗即插即用型WGM110 Wi-Fi模块 为工程师敲开IoT应用设计之门

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Silicon Labs低功耗即插即用型WGM110 Wi-Fi模块 为工程师敲开IoT应用设计之门 . 星期五, 03/25/2016 - 18:09 — sisi 贸泽电子即日起开始备货Silicon Labs的WGM110 Wizard Gecko Wi-Fi 模块。WGM110为符合802.11b/g/n标准的全集成即插即用型Wi-Fi模块，可提供卓越的射频 (RF) 性能、同级最佳模块尺寸、简易的应用开发，并可缩短产品上市时间。WGM110针对强大的Wi-Fi连接功能进行了优化，无需外部微控制器、复杂的联网基础设施或专门的集线器，是向各类物联网 (IoT) 应用添加Wi-Fi功能的理想预认证解决方案，可同时降低研发风险和整体设计成本。 Mouser备货的Silicon Labs WGM110 Wi-Fi模块可充当Wi-Fi客户端或接入点，使得设备的管理如同上网一样简单。此模块搭载了高性能2.4 GHz IEEE 802.11 b/g/n 收发器、嵌入式Wi-Fi协议栈、HTTP服务器和包括带有TLS安全的TCP和UDP的多种互联网协议。模块支持-98 dBM 的接收 (RX) 灵敏度和+16 dBm的发送 (TX) 功率。所有这些功能使得WGM110能够实现300到500m（典型值）的远距离连接。模块还提供了高度灵活的硬件接口，包括UART、I2C、SPI 和USB ，有助于简化与各种外设和传感器的连接. WGM110模块的核心是一个超低功耗 EFM32 Gecko微控制器，具有48 MHz ARM® Cortex®-M3内核、1MB的闪存和128KB的RAM。WGM110采用Silicon Labs的BGScript™ 脚本语言运行，这是一种高性能的语言，能够支持独立设计以及在模块上自主执行应用，并且在网络协处理器 (NCP) 模式下运行时，还能简化TCP/IP网络的复杂性，允许主机控制器完全用于处理客户应用任务。此外，WGM110强大的Wi-Fi协议栈包括用于云集成的HTTP/TLS/TCP/IP协议，而软件API与Silicon Labs的现有WF121 模块兼容，可轻松进行移植。 Mouser同时还供货Silicon Labs的SLWSTK6120A无线入门套件，为WGM110 Wi-Fi模块提供了一个完整的开发平台。SLWSTK6120A套件包含：带J-Link调试器、虚拟COM端口、LCD显示屏的主板；集成板载WGM110模块的无线电板；以及带三轴加速度计、操纵杆和I2C扩展功能的扩展板。 Silicon Labs WGM110 Wi-Fi模块现已可至Mouser订购，尺寸为14.4 × 21 × 2mm 小型封装，与竞争产品相比缩小了40%。此模块满足全球重要的射频认证，包括CE、FCC、IC和其他区域认证，非常适合将Wi-Fi功能集成到各种射频无线和物联网 (IoT) 应用，包括工业l/M2M系统、远程控制、无线传感器、恒温器、互连家居产品、汽车信息娱乐系统、销售终端以及健身和医疗设备。

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发布时间: 2016-03-28

8. 富士康与济南建立37亿元投资基金 支持山东半导体产业

shenxiang

据台湾媒体报道，富士康（Foxconn Electronics）已与山东济南市政府合作，成立了37.5亿元人民币(约合5.459亿美元)的投资基金，以推动山东省的半导体产业发展。报道称，根据与济南市政府达成的协议，富士康将利用它的集团资源在济南市协助组建5家IC设计公司和1家大功率半导体公司。此前的媒体援引富士康集团董事长郭台铭的话报道称，该集团将加强在半导体领域的部署。富士康已经调整架构，成立了一个半导体子集团，以整合资源来执行其半导体计划。 据业内人士透露，富士康的芯片制造相关子公司，包括天鈺科技（Fitipower Integrated Technology）、京鼎精密（Foxsemicon Integrated Technology）、讯芯科技（Shunsin Technology）和虹晶科技（Socle Technology），已经在富士康新组建的该导体子集团下运营。知情人士称，富士康旗下日本夏普也提供晶片制造服务。 天鈺科技是一家专业的电源管理与液晶显示器驱动IC晶片设计公司，产品涵盖液晶面板驱动IC、电源管理IC和马达驱动IC等。京鼎精密主要生产半导体的一些制造装备，讯芯科技是一家半导体后端企业，负责系统模块产品封装。虹晶科技是一家系统单芯片设计平台解决方案及IC设计服务厂商。 消息人士指出，人工智能和工业物联网将成为富士康半导体机构的主要目标市场之一。

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发布时间: 2018-10-09

9. 一种超导体的理论解决了另一种超导体的难题

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赖斯大学物理学家提出的2017年理论解释铁基高温超导体的矛盾行为，有助于解决不同类型的非常规超导体-----“重费米子”化合物称为CeCu2Si2。 来自美国，中国，德国和加拿大的国际团队本周在美国国家科学院院刊（PNAS）上报告了这一发现。这项研究的重点是铈，铜和硅复合材料，其1979年的奇特行为帮助开创了量子材料领域的多学科领域。 那年，由马克斯普朗克研究所的弗兰克斯蒂格利希领导的一个团队在PNAS论文中发表了一篇文章，他发现CeCu2Si2在极端寒冷的气温下会变成超导体。1986年发现铜陶瓷在更高温度下的超导电性，这些引起了该领域的兴趣，并成为理论物理学家的职业生涯的主宰者，如Rice的Qimiao Si，PNAS研究的合作者，物理学和天文学教授Harry C.和Olga K. Wiess。

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发布时间: 2018-05-13

10. 用于MOCVD晶圆载体表征测量的kSA Emissometer 获得紫外光致发光（UV PL）功能

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为光电子行业提供测量仪器的k-Space Associates公司表示用于金属有机物化学气相沉积（MOCVD）载流子表征的kSA Emissometer 异位计量工具现在具有紫外光致发光（UV PL）功能，可以更好地评估载流子。 新的UV PL功能使晶圆载体制造商、反应器制造商可以在使用前以及整个使用周期中进一步评估其晶圆载体。该系统使用晶片载体聚焦的365nm波长LED以及聚焦在激发点上的滤波光电探测器。滤光片会滤除波长小于409nm的光，这就产生了评估晶圆载体污染的能力。 kSA Emissometer 用于确定沉积运行后载体烘烤的质量，并且定量确定实际表面发射率以进行温度设定点的调整和微裂纹检测。kSA Emissometer 还提供统计分析，以评估载体质量。 首席执行官Darryl Barlett说：“这一工具使载体制造、反应器制造商拥有竞争优势，因为可以量化载体质量，最终提高设备的均匀性和产量。”

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发布时间: 2019-09-29

11. IPC的PCB技术趋势研究正在进行，PCB制造商调查将持续到7月13日

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IPC本周对电子行业的印刷电路板（PCB）制造商进行了全球调查。这一秘密调查是全球数据收集工作的一部分，是为了IPC的2018 PCB技术趋势研究的发展。PCB制造商调查回复的截止日期是7月13日。 调查的目标是衡量印刷电路板行业当前的技术能力以及未来五年内扩展能力的潜力。该调查涵盖了技术功能，包括板类型，层数，厚度，线宽和间距，纵横比，输入/输出间距，热性能，频率，可靠性，材料和表面处理。受访者可回答与其产品类型有关的问题，重点关注一个特定的最终用途应用：汽车，通信，计算机和商业设备，消费者，国防和航空航天，工业或医疗和仪器仪表。 PCB制造商的参与对这个项目的成功至关重要，它将为电子供应链提供有价值的指导，以满足PCB制造商和电子OEM的当前和未来需求。

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发布时间: 2018-07-03

12. 欧司朗为短程自动驾驶LiDAR系统添加65W单通道脉冲红外激光器

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欧司朗光电半导体有限公司已在其光检测和测距（LiDAR）光子学产品组合中增加了65W SPL DP90_3激光器。 为了自动驾驶汽车能够更全面，更可靠地检测其周围环境，欧司朗光电通过SPL DP90_3扩展了其产品组合来实现这一点，该组件专为激光雷达系统中的高分辨率近场检测而开发。 欧司朗的SPL DP90_3是一种新型单通道脉冲激光器，该激光器可以改善的光束质量并且具有特别紧凑的尺寸。该公司表示，由于其节省空间，其尺寸仅为0.3mm x 0.6mm，因此系统制造商可以创建极其紧凑的设计。并且大约30％的效率还有助于使系统的总体运行成本保持较低。该组件在20A时具有65W的光输出，适用于捕获车辆的周围环境，从而为后续系统提供高分辨率图像。 目前广泛认为只有LiDAR、雷达和摄像头系统的传感器融合，才能为全自动驾驶提供必要的安全保障。这些技术中的每一种都有各自的优缺点，具体取决于各自的场景，但是总体上讲，它们之间的协调性越好，车辆在行驶中越安全，例如LiDAR系统擅长实时生成高分辨率3D信息。 远程激光雷达用于检测距离约250m的物体。还必须使用短距离或中距离LiDAR来捕获汽车的周围环境，该距离或雷达距离车辆的距离最长约为90m。短程或中程激光雷达系统涵盖了经典的交通情况，例如高速公路或城市交通中的超车。

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发布时间: 2020-02-09

13. 硅衬底LED打破专利“魔咒” 重塑LED产业“芯”格局

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今年政府工作报告提出，启动一批新的国家重大科技项目，建设一批高水平的国家科学中心和技术创新中心，培育壮大一批有国际竞争力的创新型领军企业。全国人大代表、江西省南昌市市长郭安表示，我国硅衬底LED技术已经打破了欧美技术垄断，站到了全球LED产业价值链的顶端，建议国家将硅衬底LED上升为国家战略，支持硅衬底LED技术升级和产业做大做强。 全国人大代表、河北鹏远企业集团董事长朱立秋建议加快硅衬底LED技术大规模产业化发展步伐，上升为“十三五”时期的国家战略，让改写世界LED照明历史的“中国芯”在中国优先得到可持续发展，逐步让“中国芯”走向世界。 一直以来，LED芯片衬底市场就被蓝宝石和碳化硅两大技术二分天下，且核心技术均掌握在欧美及日韩等LED巨头手中。面对国际巨头在专利上的重重包围，硅衬底技术路线的备受肯定和全面铺开不仅标志着LED技术历史上的重大突破，更意味着我国将在LED上游的关键领域实现核心技术自主化。 撬动百亿级市场 在LED上游领域，硅作为一种衬底材料，与当前市场上大为流行的蓝宝石和碳化硅相比，具有低成本、大尺寸、高质量、能导电等优点，被认为是业界最佳的生长氮化镓蓝光LED的衬底材料。采用硅衬底技术的LED芯片具备散热好，产品抗静电性能好、寿命长，可承受的电流密度高等优点，适用于大功率LED照明，且由于硅芯片的单面出光，光指向性好、光品质好的特点，使其在LED手机闪光灯、汽车照明、高端室内照明等对光品质及方向性要求更高的领域极具优势。 如此高性价比的衬底材料，从研发到面世却历经了不少波折，甚至一度被认为“胎死腹中”。但经过南昌大学江风益教授以及晶能光电十余年的不断努力，如今硅衬底技术已经突破关键技术，并成功量产，成为比肩于蓝宝石和硅衬底的第三条革命性LED芯片衬底技术。 作为目前为止全球唯一一家量产硅衬底LED芯片的厂家，晶能光电在硅衬底技术上所取得的成就已有目共睹。其量产的硅衬底大功率LED发光效率已经超过160Lm/W，在同类产品中可与欧美日国际大厂水平相媲美，成功打破了国际大厂对高端大功率LED的垄断。此外，凭借着可靠性好、指向性好、高品质出光、性价比高等特点，晶能光电硅衬底LED在大功率照明领域已有广泛的应用，在某些高端市场如车灯照明、移动照明等已经占据了较大的份额；手机闪光灯已成功进入中兴、华为、联想等国内一线手机品牌。 正是这条与众不同的“芯”路径，让晶能光电自2012年以来实现了高速增长。据悉，在国内大部分LED企业利润严重下滑的市场背景下，晶能光电仍能保持30%的毛利率，销售收入连续三年近100%的增长。2012年开始满产满销，2013年收入3300万美元，2014年6099万美元。 目前以硅衬底LED技术为基础，以晶能光电为核心，通过产业链上、中、下游垂直整合，在全国已形成拥有12家企业的硅衬底LED产业链，初具集群规模，辐射带动效应明显。2014年全产业链实现产值20亿元，2015年达50亿元，未来三年可形成百亿产值规模。 企业争相布局 从当前LED芯片衬底市场来看，虽然蓝宝石和碳化硅（主要采用厂商为CREE）仍然占据着绝大部分江山，但除了晶能光电一家独大之外，几家国际大厂也在大力跟进硅衬底大功率LED芯片技术，如东芝购买了普瑞的技术后快速切入硅衬底；三星宣布接下来的技术路线和产品是硅衬底的芯片。 2014年7月初，东芝(Toshiba)宣布计划于年内正式大规模量产白光LED产品，目标为将其月产能大幅扩增至现行的150倍。而东芝所生产的白光LED，正是采用的2013年4月收购美国普瑞光电(Bridgelux)“GaN-on-Si”(硅基氮化镓)技术后共同开发的LED元件。据悉，东芝最终确定以功率半导体器件的8英寸晶圆技术为基础，并聚集了诸多研发人员，进行大规模硅衬底的研发工作。 此外，在硅衬底技术的发源地——江西南昌，也有多家企业参与其中。在江西省“十三五”规划里，依托硅衬底技术大力发展LED产业群是重头戏之一。江西省当地LED企业已经率先布局。 晶能光电是江西省硅衬底技术的“扛旗”者。该公司不仅授让了该项成果，而且在2008年5月实现了产业化。目前已成为全球第一家量产高功率、高性能的硅衬底LED芯片公司。据公开资料显示，晶能光电曾获金沙江创投大力投资，在其推动下，港股顺风清洁能源于2015年5月收购了晶能光电59%股权。根据双方约定，晶能光电将在市值30亿美元时独立上市。 总部位于江西的A股上市公司联创光电亦值得关注。据公司此前年报披露，早在2007年该公司开展的“基于硅衬底的光电子器件封装及应用”项目即获重大突破，2008年公司与南昌大学合作的“半导体照明高亮度功率白光二极管芯片开发及产业化”项目验收。 打破LED专利“魔咒” 随着越来越多企业的投入和硅衬底技术的日益成熟，LED芯片市场格局将有望被改写。众所周知，目前蓝宝石衬底和碳化硅衬底核心技术均掌握在欧美、日韩等国际巨头手中，对我国LED产业发展形成专利壁垒。而硅衬底技术则是一条完完全全由国人自主掌握核心技术的路线。 “我国LED照明产业起步较晚，但是发展迅猛。目前全球70%的LED照明产品在中国生产制造，我国LED生产企业数量在2万家以上，然而销量却未与之形成正比。这主要是由于中国缺乏关键技术所致。”南昌大学江风益教授表示。 “2010年以后，国内开始发展LED产业，市场主流是引进蓝宝石衬底技术的方式，但是国外专利体系完备，形成了专利封锁线，国内产品很难往外面卖，国外产品在国内利润又很高。”晶能光电(江西)有限公司外研中心副总裁付羿博士有着同样的担忧。 硅衬底技术的出现则另辟蹊径解决了我国专利缺失的问题。据悉，在硅上制备高光效GaN基LED一直是学术界梦寐以求的目标，然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅上制备高光效GaN基LED是不可能的事，硅衬底GaN基LED路线几乎被判“死刑”。 然而经过数千次实验，南昌硅衬底LED项目技术研发团队终于在国际上率先攻克了这一世界难题。同时，在晶能光电每年8000万元以上研发经费的推动下，所生产的硅衬底LED产品各项指标在同类研究中均处于国际领先水平，并与前两条技术路线持平。目前，晶能光电围绕硅衬底LED技术已经申请或拥有国际国内专利330多项，已授权专利147项，其中国际专利47项。 有望掀起LED“芯”革命 硅衬底LED技术从衬底源头上避开了蓝宝石衬底和碳化硅衬底技术路线所形成的国际专利围剿，可从小功率LED芯片技术到高难度的大功率LED芯片技术，形成自有的专利体系。同时它也是中国自主研发、拥有完全自主知识产权的技术路线，将构建中国LED产业标准，对我国的LED产业格局有望产生革命性的影响。 清楚LED发展历史的人都知道，硅衬底LED技术改写了半导体照明历史。“用普通的设备，更低成本的工艺生产LED”，美国麻省理工大学《科技创业》杂志2011年评选的“全球最具创新力企业50强”中，晶能光电凭此与Apple、IBM等公司一同上榜。 “这一技术改变了日本公司垄断蓝宝石衬底和美国公司垄断碳化硅衬底半导体照明技术的局面，形成了蓝宝石、碳化硅、硅基半导体照明技术方案‘三足鼎立’的局面。”国家“863”专家组如是评价。 “中国已经超越美国成为全世界最大的LED应用市场，如果硅基氮化镓技术获得中国政府大力推广，中国市场的变化最终也会牵引全球产业变迁。”有LED行业人士如此分析。 除LED照明领域外，接受采访的业内人士均看好硅基氮化镓在集成电路领域的广泛应用。某LED上市公司研发人员表示，虽然公司暂未涉及硅基发光领域的研究，但非常看好硅基氮化镓与IC制程的结合，这可能将使得计算机CPU实现光子传输。一位业内致力于该领域的人士则称硅基氮化镓在硅光子、传感器、功率器件、RF射频等领域都具有广泛的应用需求。 “从国家战略层面而言，硅衬底技术是我国拥有自主知识产权的技术路线，完全可以构建中国完全自主的LED产业。未来，随着硅衬底高光效GaN基LED逐步在中国取得突破，它将打破由日、美公司的蓝宝石和碳化硅衬底的技术垄断，形成半导体照明技术三足鼎立的局面。”参与本次项目工作的晶能光电(江西)硅基LED研发副总裁孙钱表示。

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发布时间: 2016-03-15

14. SEMI报告:Fab厂设备支出将在2021年创下近680亿美元的历史新高

shenxiang

SEMI报告:Fab厂设备支出将在2021年创下近680亿美元的历史新高 出自：SEMI中国 美国加州时间2020年6月9日，根据SEMI World Fab Forecast报告的2020年第二季度更新指出，2021年是全球晶圆厂设备支出的标志性一年，增长率为24％，达到创纪录的677亿美元，比先前预测的657亿美元高出10％，所有产品领域都有望实现稳定增长。存储器工厂将以300亿美元的设备支出领先全球半导体领域，而领先的逻辑和代工厂预计将以290亿美元的投资排名第二。 3D NAND memory细分市场将在今年推动30％的投资激增，从而推动支出狂潮，在2021年实现17％的增长。在2020年DRAM Fab厂的投资将在2020年下降11％之后，明年将激增50％，而在前沿逻辑和代工厂的支出，在今年下降11％之后，到2021年将增长16％。 Fab厂设备支出在一些细分市场较少，但变化率很大。图像传感器将在2020年实现令人印象深刻的60％的增长，并在2021年激增36％。模拟和混合信号在2020年将增长40％，在2021年将增长13％。与电源相关的设备预计将在2020年实现16％的增长，到2021年增长67％。 SEMI《世界晶圆厂预测报告》（World Fab Forecast report）还显示，2020年全球Fab厂设备支出低谷将从第一季度转移到第二季度（请参见下图） Figure: Fab equipment spending from 2019 by 2021 by quarter. 回顾季度环比（QoQ）支出趋势，揭示了2020年新冠疫情的影响。2020年第一季度，全球Fab厂设备支出QoQ环比下降了15％，这一表现强于2月时预测的下降26个百分比。随着疫情的蔓延，对笔记本电脑，游戏机和医疗保健应用程序等IT和电子产品的需求激增。由于担心对原定于6月下旬生效的对销往中国的半导体设备的限制，预计一些库存将延续至第二季度。 尽管《世界晶圆厂预测报告》预测，到2020年下半年投资将增加，但今年将是Fab厂设备支出连续第二年下降–在2019年下降8％之后，今年为4％。 尽管有乐观的预测，但新冠疫情大流行仍然有潜在的影响。与疫情相关的裁员，仅在美国（截至5月），就有超过4,000万名工人处于无业状态，而公司倒闭将触发消费市场和可自由支配支出的连锁反应。例如，失业率上升将导致智能手机和新车销量下降。尽管存在这些下降的趋势，但随着云服务、服务器存储、游戏和健康应用程序刺激对内存和IT相关设备的需求，数字转换和通信需求仍将推动行业增长。

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发布时间: 2020-06-18

15. Cadence USB 3.0 Host Solution on TSMC 16nm FinFET Plus Process Achieves Industry Certification

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Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS) today announced that its USB 3.0 host IP solution for TSMC’s 16nm FinFET Plus (16FF+) process is one of the first to pass USB-IF compliance testing and receive USB-IF certification. The complete controller and PHY integrated solution is pre-verified, which enables designers to mitigate project risk and reduce system-on-chip (SoC) integration and verification time.

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发布时间: 2015-11-19

16. CompoundTek在新加坡启动东南亚首个硅光子测试服务中心

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新加坡的硅光子（SiPh）晶圆代工服务提供商CompoundTek Pte Ltd已启动了其首个硅光子测试设施，这是东南亚第一个向商业参与者提供生产和工程测试服务的站点。测试服务独立于CompoundTek的代工服务，非CompoundTek客户能够利用开放式测试平台。 该设施容纳了硅光子晶圆测试、设备、仪器控制和测试方法，由CompoundTek及其合作伙伴定制建造。该中心致力于开发针对数据传输功能的解决方案，这些解决方案在数据中心、互连性，光测距和检测（LiDAR）、智能传感器以及其他应用中都受到追捧。 该测试设施建立在CompoundTek的裕廊东国际商业园办公室，由常驻的SiPh测试团队组成，将经验证的具有国际经验的人才引入技术生态系统，这些人才在8英寸或12英寸晶圆上进行手动和自动硅光子学测试。 洁净室的等级为1000/10000，其设备旨在实现快速且可重现的光学耦合，包括6轴探针位置优化和偏振对准，用于光学领域常规DC和RF电气测试的晶圆探测，能够同时支持O波段和C波段。该设施还将能够测试高达67GHz的电光组件，并适用于400Gbit / s或更高的电光组件。 CompoundTek首席运营官说：“通过增加晶圆级自动硅光子光学/电气/ RF测试设备，客户将能够将封装成本限制为已知良模具，并且避免了模块封装级测试的周转时间损失。这补充了我们快速增长的解决方案产品组合，这些产品组合旨在以快速的周期时间推动批量生产。”

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发布时间: 2020-02-03

17. 有弹性的超级电容器运转的可穿戴式电子产品

Lightfeng

一种未来的清洗盘子的软机器人或给你手机提供电源的智能T恤，可能取决于弹性电源的发展。但传统电池是厚的和刚性的，这对于微小可锻设备的材料是不理想的性能。在迈向可穿戴式电子产品的一步中，一个研究小组已经采用石墨烯色带制作了一个有弹性的微型超级电容器。 今天研究人员将会把他们的工作公布在第252届全国会议及博览会的美国化学协会（ACS）上。在星期四举行的ACS会议是世界上最大的科学协会。它在广泛的科学主题中超过9000个演讲。 超级电容器是在上世纪50年代发展起来的，与标准电容器或电池相比有着较高的功率密度和更长的生命周期。随着设备和超级电容器的缩水，前一代的二维微电容器会被集成到手机、电脑和其他设备。然而，这些超级电容器仍然是刚性的，所以对于需要伸长的柔软的材料不适合。

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发布时间: 2016-08-29

18. 物联网服务推动物联网2.0渐行渐近

tengfei

华兴万邦与Silicon Labs等公司高层就物联网未来展开的对话 本文作者：华兴万邦特约首席分析师刘朝晖、高级分析师胡霞、高级分析师陈皓、助理分析师马华 “当我们在和客户沟通新设计时，我们都会问：你们的商业模式是什么？你们如何赚钱？”Silicon Labs副总裁兼物联网产品总经理Daniel Cooley在今年的纽伦堡嵌入式世界大展现场告诉华兴万邦的分析师。“两三年前他们往往都不能清晰地回答这些问题，但是现在大家都有越来越明确的答案了。” (Silicon Labs在嵌入式世界展上展出的Thunderboard系列开发板，带有开箱即用的无线连接以及多种传感器，可以快速构建一个物联网设备) 难得的是，这次与Silicon Labs及其他半导体同行的沟通，让华兴万邦看到了物联网服务的兴起，以及对消费者的影响和对电子设计制造业的改变，并由此带来值得大家共同关注和探讨的四个趋势和三个重点。 嵌入式世界展（Embedded World）是全球最重要的电子行业活动之一，物联网热潮也推动了该展会的发展，使其展商数量达到了创记录的1000多家，包括Intel、Qualcomm、Silicon Labs、AMD、Microsemi、Diodes、NXP、STM、Xilinx、ARM、Cypress、Lattice、Renesas、Samsung、Micron、Micrium、Nvidia、Analog、Infineon、Toshiba、Murata、TI及Imagination等等半导体大厂及其伙伴，以及来自全球的嵌入式硬件、软件、解决方案厂商和研究机构。 因此，华兴万邦将该展会看成物联网行业和技术领域的风向标之一，在此开展了一轮“华兴万邦全球ICT/半导体之旅”调研活动。华兴万邦在走访了其中多家厂商之后，感觉到越来越多的物联网芯片和解决方案提供商正在超越联网产品，把关注点放在应用场景、后台数据、商业模式和物联网服务的融合创新上，以进一步调整自己的技术和产品组合。 随着新的物联网服务和相关提供商的崛起，以及芯片和软件等基础技术提供商和设备供应商针对这种趋势而进行的演变，是否预示着物联网2.0正在到来呢？Silicon Labs的Daniel给华兴万邦的回答是“正在到来（coming）”，而其他一些厂商在回答此问题时也给出了类似的答案。那么，物联网2.0将以什么方式向我们渐行渐近呢？ 2017年的嵌入式世界展吸引了来自全球的上千家厂商参展，成为物联网行业的风向标之一 华兴万邦通过总结来自这些厂商的答案后认为，目前物联网的发展正呈现四个方面的趋势：一是物联网应用正在产生大量数据汇聚，将开启运营服务和增值服务新篇章；二是物联网产品设计不仅要关注联网、传感和处理技术，还要关注应用场景和创新业务；三是大规模技术集成与产业整合完成之后，创新的方向在哪里？四是可演进的快捷物联网技术将大大降低进入门槛，支持大量“圈外人”进入物联网服务领域。 此外，通过这些交流活动，我们还发现了物联网的三个关注重点：一是所有参与者都必须关注的产业生态，小设备大生态是物联网服务的基础；二是云计算是物联网发展的重要部分；三是还是要回到商业本质，找到合理的商业模式。华兴万邦接下来将对上述几个趋势和重点做一些分析： 一、 联网设备、数据汇集、运营服务和增值服务 过去几年，物联网技术和应用发展迅速，但是大家的关注点是联网技术和联网设备。这个阶段产生了大量创新的热门联网设备，物联网领域内最火爆的应用快速转换。例如，几年间我们已经经历了诸如无人机、可穿戴和智能电话等联网产品的快速增长；现在智能照明和共享单车（包括电动自行车）是非常热门的应用。其中，快速成长的共享单车等代表了正在改变我们生活和产业结构的物联网服务。 那么，什么是物联网服务呢？物联网服务是指建立在实现特定应用的联网设备上的服务，这些“非标准”的设备如联网自行车、智能电表等，不同于PC、智能电话及平板电脑等“标准化”终端和设备，它们通过感知与其特定服务相关的信息和数据，结合云计算、数据通信等技术实现了服务的创新和再创新。因而，物联网服务具有“设备即服务”这一特点。 所以，许多新的联网设备带来的不只是一种设备连接，还有大量的数据以及各种创新的物联网服务。比如尽管大家对其商业模式目前还有很多疑问，但共享单车等物联网服务的发展极为迅速。所以，华兴万邦认为物联网服务提供商赚钱的机会有很多，因为数据、客户和现金流这些重要的商业资源都在服务提供商手里，而且规模和影响还在快速地扩大。 在过去几年中，Silicon Labs的Gecko（小壁虎）系列产品，已从最初的低功耗MCU产品，扩展到了MCU + 多协议无线SoC系列 换一个角度来分析，共享单车上坐着的不仅是一小时支付1元钱的骑行需求用户，还有他们的眼睛、心灵和钱包；而共享单车运营商获得的数据，还包括这些眼睛、心灵和钱包总是在什么地方活动，总是在什么地方停留等。 而这些数据的核心价值，与谷歌通过开源安卓系统获得的数据的价值相同，可以说是同一种商业模式。谷歌正是靠这些来自全球用户的数据大赚其钱，成为全球市值第二大公司，其商业模式或是基于用户数据提供精准广告，或是提供App或游戏的下载服务等。 Silicon Labs的Daniel也带来了一个极其有趣的案例，该公司的一家客户是领先的建筑工具和设备制造商（鉴于保密协议，Daniel没有提供具体的名字），他们采用了Silicon Labs的技术在其工具产品上安装了联网、定位和工作监测模块，并建立了后台云服务系统。从Daniel提供的视频可以看到，这是一个从联网设备，到数据汇集，再到物联网服务的完美案例。 这些工具产品实现联网之后，不仅施工人员在现场可以随时方便地找到自己要用的工具，而且还给项目经理提供了统计工人工作时间、地点和相关工具使用状态的表单；更为重要的是，建筑项目的监理也把这种报表作为其监理工作的辅助材料，提供给业主和政府部门，大大简化了相关合规审查的流程。由于这些物联网数据给不同使用者带来了价值，因而该工具制造商提供的物联网服务和增值服务得到了多方的欢迎。 Silicon Labs副总裁兼物联网产品总经理Daniel Cooley（左二）在本届嵌入式世界展举办的“面向未来的安全性”论坛上发言，安全性已经成为物联网行业的热点之一 “对于诸如电冰箱等消费性联网设备，要将其转化为共享单车那样的服务还尚待时日，因为这涉及基本的消费习惯和喜好。”Daniel表示。“但是对于工业级应用，物联网服务正在快速兴起，这是因为这些服务不仅为更多的利益相关人创造了价值，而且还增强了物联网设备提供商的核心竞争力。” 二、 关注重点增多了，还包括应用场景和核心业务 在过去几年物联网的早期发展过程中，在讨论产品定义或者现场应用时，常常可以见到这一类的问题：你们为什么要用蓝牙4.0？或者你们为什么不用zigbee网状网络？但是现在这种提问或者争论越来越少了。究其原因，会发现有两点：一是业界的评判标准变了，在联网技术本身的基础上，增加了更全面的应用场景和核心服务；二是物联网技术本身的发展，各种支持多协议、多频段的无线连接+MCU集成化系统级芯片（SoC）提供了解决之道。 物联网的目标并不仅是把原来不联网的设备加上网络，而是为这些设备创建与应用环境、使用者以及支撑服务之间的联系。Silicon Labs首席营销官Michele Grieshaber告诉华兴万邦分析师，为了解最新的联网设备发展趋势，不仅要从基本的网络拓扑结构开始去探求，而且还要结合应用场景去从点到点、星型或网状网络中为设备做出正确选择。她以智能家居中的电风扇使用场景为例，给我们做出了一个有趣的分析。 zigbee的网络特性非常适合于智能家居和联网照明 点对点网络要求单个连接并且一般使用蓝牙（Bluetooth）技术，一个例子就是将手机连接到房间里的一台电风扇，从而使用手机来控制电扇而不必从椅子上起身去操作。但是如果你想在下班回家路上打开电扇，电扇就可能需要通过一个星型网络连接到Wi-Fi来接收指令。假如你希望当花园里由电池供电的温度传感器指示室外非常酷热时，电扇能够自动打开，这时你可能就需要网状网络，这种网络上有几种互联的设备并能相互分享信息。 每一种技术和网络结构都有其独特性和优缺点，同时每一种协议或者标准也在不断向前演进，以适应更广泛的应用和克服其弱点。网状网络的优势在于它的低功耗，使电池供电设备有更长的续航时间；同时它也是很可靠的网络，因为在设备之间有很多通路，即使在一个设备不响应时，网络也处于激活状态。 同时，了解联网设备趋势还需要了解网络协议领域内的最新标准。Bluetooth 5.0刚刚发布，相比之前的版本，它实现了4倍的传输距离、2倍的速率、8倍的广播容量，并且提升了与其它无线IoT协议的共存能力。在选择协议时，将Bluetooth网络的优劣势与已经建立的网络协议如zigbee和Thread等做比较是很重要的。 多样化的标准、复杂的应用场景以及不断演进的技术是否使产品定义等决策变得更加困难了呢？事实上物联网技术本身的进步反过来大大简化了选择过程。Michele认为好消息是物联网技术厂商的不断创新，比如Silicon Labs在嵌入式世界展上推出了EFR32 Wireless Gecko系列等创新产品，使开发者能够更加容易地与现今不断变化的技术及市场相呼应。 Michele Grieshaber女士为Silicon Labs带来了其对数据和商业模式的深刻理解。在加入Silicon Labs之前，她是IBM负责北美地区需求规划的副总裁，拥有长达20年的IBM市场管理和需求开发等关键性管理职位经验 据Michele介绍，Wireless Gecko系列支持所有这些网络协议，并为迎接下一步的变化做好了准备。如果设备需要多种协议，Wireless Gecko能支持zigbee和Thread网状网络、Bluetooth 5和私有无线协议，并在它们之间以无缝方式转换使用。例如，你可以通过手机上的蓝牙配置一台设备，然后将设备接入到网状网络。同时随着标准的发展，还可以在现场通过在线软件更新（OTA）的方式来升级设备。 从这些产品中可以看出，物联网技术发展到今天，已经开始将前期半导体行业对各种相关物联网技术的整合和集成变为实际产品，是当时全球半导体行业领先公司下的一步大棋。那么这步大棋结束了吗？如果物联网2.0这样的新节点到来了，半导体和物联网行业还会集成什么样的技术呢？ 三、 行业大整合之后，物联网技术与产品创新往何处去 在过去几年中，全球半导体产业里以并购等形式开展的产业整合风起云涌，其中很重要的动因之一，就是针对物联网所需技术实施快速资源配置和整合。物联网的一个特征是联网设备的多样化，这要求芯片等基础技术要提供便捷的应对之道，以完成无处不在的传感、传输、数据汇聚、服务和增值服务等等。而与此同时，云计算和人工智能等技术也在快速发展，最终将改变下一代的物联网产品。 以Silicon Labs为例，该公司采用了有机增长与策略收购的平衡协同之道。Michele介绍道，该公司在过去5年中成功地完成了5起收购：2012年，通过收购Ember进入zigbee市场并获得网状网络联网技术，同时成为Thread Group的创始成员；2013年，收购了超低能耗MCU先锋企业Energy Micro；2015年，通过收购Bluegiga扩展其蓝牙、Wi-Fi解决方案和模组产品组合，同时还收购了网状网络模块的领先供应商Telegesis；2016年第四季度，收购了全球领先的实时操作系统（RTOS）厂商Micrium。 在嵌入式世界展上，在国内拥有大量客户的、业界著名的实时操作系统（RTOS）提供商Micrium也推出了其新一代RTOS产品Micrium OS 和其他业界领先公司在近几年的发展态势相似，经过这些收购和自有研发团队的创新，Silicon Labs建立了面向物联网应用的、全面的产品组合，包括超低功耗MCU、无线SoC和模组、多种传感器、开发工具、协议栈、实时操作系统和各种参考设计。但是目前来看，行业内并购活动仿佛也不如前两年活跃，那么下一步这些物联网技术厂商往何处去呢？ 在本届嵌入式世界展上，Silicon Labs等许多厂商都推出了自己的新产品。我们如果把这些产品打开来看，为前一阶段大家的研发和并购活动进行总结，同时也为下一阶段的发展思路找到头绪，就会发现很有趣的结果。我们以Silicon Labs在展会上发布的两条新的产品线——EFR32xG12 Wireless Gecko 无线SoC，以及EFM32 Jade和Pearl Gecko MCU为例进行分析。 Silicon Labs新推出的EFR32BG12 Wireless Gecko无线SoC可支持zigbee和Thread网状网络、Bluetooth 5和私有无线协议，并在它们之间以无缝方式转换使用 据Michele介绍，新的Wirelss Gecko 无线SoC与 Jade 和Pearl MCU有很多共同之处。这两个新品系列都提供一流的硬件加密技术，都带有高能效的安全加速器，一个真随机数发生器（TRNG）和一个安全管理单元（SMU），可以在不牺牲电池续航时间的情况下确保物联网设备的安全连接。当然，EFR32BG12无线SoC还花足功夫去提升RF性能和支持Bluetooth 5新标准。 这里看到的物联网安全性就是本届嵌入式世界展和近期其他行业活动的热点之一，代表着Silicon Labs等厂商为了支持物联网服务正在打造高可信物联网产品。同时，除了增加TRNG和SMU等安全性能，联网和控制处理等“传统”指标也根据物联网服务的需要得到了进一步发展，比如Silicon Labs的两个新品系列还显著增加了片上闪存容量（最高1024KB，具有双区架构）和RAM容量（最高256KB），以用于处理更复杂、更精妙应用；增加触摸控制接口和多个低功耗传感器，以及支持空中固件更新（OTA）等等。 为了处理更复杂、更精妙应用，Silicon Labs的两个新品系列还显著增加了片上闪存容量和RAM容量，增加了触摸控制接口并支持空中固件更新（OTA） 所以前期的行业大整合给物联网技术的高度集成提供了基础，但联网设备的未来是成为物联网服务生态的“端设备”，这个更大的生态将集合物联网、云计算、人工智能和其他新技术，所以Silicon Labs等行业领先厂商都在为此提供高可信、高性能和低功耗解决方案。大生态思维将决定未来的物联网产品和芯片的定义。 Silicon Labs的Daniel表示，除了更高的集成度和更高的性能，以及对最新的无线通信标准和安全性等新功能的支持以外，软件技术对于物联网的发展也将十分重要；芯片公司除了要支持最新实时操作系统，以及提供最高质量的协议栈以外，还需要强大的软件技术能力去对接云系统等新的服务性技术。 四、 可演进的产品和技术开发模式，降低门槛和快速上量 几乎在半导体产业大举重组的同时，以共享单车、智慧家庭和智慧城市等为代表的物联网产业也快速发展，原来处于IT、互联网和移动互联网等领域内的技术和服务提供商，开始携资本暴力进入物联网服务领域。这些以服务和运营为特色的新生态，进一步丰富了物联网行业中的“设备即服务（Device-as-a-Service, DAAS）”发展模式。 设备即服务既包括了目前许多设备制造商对现有产品进行的物联网化，还包括了更多不断产生的、面向新服务而生的物联网设备。前一类的例子包括采用zigbee技术作为物联网连接手段的生迪Element LED灯泡，其优点是可以利用自组网的网状网络技术即刻实现成组的LED灯泡控制，在大幅度降低能源消耗的同时实现便捷和智能的家庭照明控制服务。 生迪的Element LED灯泡采用zigbee作为联网手段 后一类为物联网服务而生的设备也越来越多，比如共享单车不仅改变了我们的生活，而且也彻底改变了国内单车行业的生态格局，一些单车制造商为服务商生产的订单已经远远大于针对个人最终用户的订单。这说明专门为承载服务而生的新设备正在快速地崛起，这成为许多行业的新趋势。 比如京东方（BOE）这样的全球最大平板显示面板制造商，利用其在显示技术上的优势开发了27寸8K电子画框iGallery产品，可通过网络连接到许多博物馆和画廊等艺术机构，为客户推送高清晰度的名画等艺术装饰显示。iGallery这种产品完全是为“显示即服务（Display-as-a-Service，DAAS）”的物联网服务而生的。 但是服务内容个性化、应用场景多元化、网络环境不确定和商业模式不断演进，构成了物联网服务的基本特性；而越来越多联网设备采用共享或者免费的商业模式，给物联网服务提供商、网络运营商和技术解决方案供应商带来了新的挑战。以高性价比、高灵活性的方式应对这些挑战，构成了新一代物联网产品的定义和设计的基本要求。 为了实现物联网服务的高性价比部署，华兴万邦认为可以关注三种已经在市场上经过验证的模式，一是针对特定服务和网络的标准化产品，二是针对多样化应用场景的高灵活度板卡级产品和开发平台，三是面向高性价比和高容量市场的、从模块到芯片的可演进产品组合和开发生产模式。 第一种模式常常被那些针对特定网络和特定服务的运营商所采用，标准化产品是实现高性价比和快速接入的手段，比如在全球市场上极快速成长的Libelium等公司采用的就是这种方式。该公司自己建立了广域覆盖的网络，同时提供可监测公用设施、环境污染和水土情况等的、支持从传感器到云的标准化物联网系统产品，从而可以快速实现智慧城市、智慧农业等设备的部署和上线。其产品在今年的世界移动通信大会上引发了广泛的关注。 第二种基于板卡级产品的高灵活度传感+联网模式，也是快速实现物联网应用的一种方式，比如Silicon Labs的Thunderboard系列开发板产品。这类板级产品可针对非常多样化的生态系统和使用场景，不仅提供了开箱即连接的联网平台，而且提供应对不同场景的传感器组合。Silicon Labs的Michele就表示，尽管该公司自己也有诸如相对温湿度传感器和霍尔器件等一系列传感器产品，但该公司在其Thunderboard系列平台上，也为来自诸如Bosch等第三方合作伙伴的传感器产品提供了支持。 第三种是面向大规模物联网应用的“模块和SoC”可演进产品开发和实现模式，以灵活地实现产品研发、快速导入和大规模部署。物联网产品制造商为了快速实现产品上市，可先采用无线模块来避免射频、天线以及联盟认证等问题；待第一代产品在市场上铺开后，快速演进到基于SoC的新一代产品。半导体业内的一些厂商都在提供了这种低风险、高方便性、无需大规模改动软件的演进模式，如Silicon Labs通过收购采用自己芯片的模块厂商，实现了这种模块与SoC可演进的灵动方案。 展望未来 前面谈到了物联网由联网设备向数据聚集、物联网服务及增值服务演进；要加强对应用场景和核心业务的研究；前期半导体行业大整合后，物联网产业面临的创新机会；以及针对降低门槛和快速导入物联网服务的产品及技术开发模式。那么，我们在面向物联网服务这一新机会时，需要做好哪些准备呢？华兴万邦请Silicon Labs的高管们对此做了总结，其中包括三个值得业界关注的重点： 第一，物联网服务的基础是生态，物联网领域中各类公司都必须刻不容缓地建立大生态思维。比如Silicon Labs为了丰富自己的物联网生态，正在扩大自己在整个市场中的覆盖面，相关进展体现在：支持ARM mbed、收购Micrium（获得实时操作系统）和Zentri（获得新的Wi-Fi技术），以及与诸如Sigfox等全球物联网网络运营商结成合作伙伴等等。所有物联网产品开发者和服务提供商都必须不断扩展自身生态体系。 第二，云是物联网服务不可或缺的组成部分。Silicon Labs的Michele表示：我们相信开箱即用的云连接是物联网SoC和模块的基本功能，我们的解决方案可连接到众多生态系统和云服务提供商。目前已有MQTT和COAP等一些支持云连接的标准，而Silicon Labs用API对其都提供了支持。该公司的长期战略是持续开发可与主流服务提供商互通的连接，并支持客户在需要的领域内创建其自有的连接方式。Michele表示Silicon Labs将在中国支持云服务提供商，因为中国是一个令人兴奋的智能家居和智慧城市市场。 第三，物联网产业的发展不仅需要技术创新，而且需要诸多商业创新，因而需要密切关注新的应用场景和商业模式。为此，Michele表示Silicon Labs将在许多应用领域内与客户展开合作，如智能照明、物联网网关、智能家居、零售技术、资产跟踪和工业控制等等。同时，不断涌现的新商业模式正在推动市场的发展，如付费服务、便捷合规、数据聚合与解析等等。这些都是物联网服务的重要组成部分，值得物联网产业链上所有参与者关注。 在本文最后，感谢支持“华兴万邦全球ICT/半导体之旅”的中国服务型制造联盟、泰斗微电子科技有限公司和深圳市瑞彩电子技术有限公司。 研究撰写单位：北京华兴万邦管理咨询有限公司 研究单位及支持单位介绍： 华兴万邦 北京华兴万邦管理咨询有限公司创立于 2005 年，十多年间公司已发展成为国内半导体及电子信息技术行业领先的市场营销管理咨询公司。公司核心团队在芯片、电子、通信和信息技术领域从业均超过十年，拥有丰富的从业经验和技术底蕴，并与国内外行业组织、市调机构、政府部门及领先企业保持了长期的合作关系。公司先后成为了英飞凌、 AMD、欧胜微电子、安立（Anritus）、 Synopsys、 Silicon Labs、 OMA、 XMOS、 Aeroflex/Cobham、 Lantiq、 Microsemi、 Vitesse、上海埃派克森、自连科技和东微科技等国内外领先客户的长期战略合作伙伴，同时也为中关村科技园区海淀园管委会、天津经济技术开发区和桂林开发区等政府部门提供了行业规划和发展建议等服务。 华兴万邦可以为各类客户提供全面的产业及市场规划和实施服务，包括产业规划、产品路线规划、推广计划制定、内容体系建设、传播工具选择、活动规划和执行以及传播效果监测等。能够成功地为技术类客户提供上述服务的基础，是华兴万邦核心团队对国内外信息通信技术（ICT）的长期跟踪，包括基于客户技术及应用、产业生态系统和产品价值链等方面的市场竞争优势分析，以及客户的客户信息获取模式分析等。 华兴万邦全球ICT/半导体之旅 作为国内最专业的半导体行业市场营销顾问机构之一，华兴万邦在 2017 年开展了“全球ICT/半导体之旅”调研活动。该项活动由华兴万邦的专业团队或特邀专业人员为主导，以业界最有影响的行业活动为中心，在欧洲、北美和亚洲开展对全球ICT/半导体公司高层管理人员的采访或者拜访。 “全球ICT/半导体之旅”将利用行业活动和现场走访，在三大区域内共采访不少于 30 家各有特色和影响力的半导体产业链相关企业，重点关注以下行业： 1. 无晶圆厂半导体公司（Fabless）与集成器件制造商（IDM） 2. 知识产权（IP）提供商、晶圆代工厂（Foundry）及设计工具提供商（EDA） 3. 半导体设备与材料供应商 4. 其他半导体相关产业链企业，如投资半导体行业的创业资本或服务机构 采访内容将以高端采访文章的方式，发布在“华兴万邦技术经济学”等社会化媒体上，并将作为新闻观察资料投放给行业媒体、大众媒体和财经媒体。华兴万邦拥有熟悉全球半导体产业并能实现良好沟通的团队，且具有业内领先的专业内容策划和写作能力，可针对物联网、智能化、新一代移动通信、AR/VR 和大数据等当前的热门应用，结合半导体行业的新设计、新工艺和其他新技术，充分利用分析师团队在芯片及应用行业的丰富经验和专业知识，针对一家或者多家半导体产业链公司撰写精彩的分析报道。 中国服务型制造联盟 中国服务型制造联盟（英文名称：Service-Oriented Manufacturing Alliance of China，缩写为SOMAC），成立于2017年2月，在工业和信息化部支持和指导下，由工业和信息化部电子第五研究所联合相关企业、高校、科研院所、金融机构及行业协会等单位，按照“平等、开放、协作、共赢”原则，自愿组成的全国性、综合性、领先性、非营利性社团组织。联盟旨在根据国家制造业“高端化、智能化、绿色化、服务化”转型目标要求，以推动服务型制造发展为目标，整合优质产业资源，以企业为主体，以市场为导向，通过“政、产、学、研、金”相结合形式，提高行业整体能力，促进成员之间的资源共享和互惠互利，提升联盟成员的群体竞争力。 泰斗微电子科技有限公司 泰斗微电子科技有限公司成立于2008年，总部位于广东省广州市。公司发展至今已成为提供可支持北斗、GPS和GLONASS系统的芯片、模组、板卡、终端研发与运营服务的综合产品与技术供应商，产品可支持导航、定位、时频和物联网等诸多领域内的应用，公司推出的第四代芯片为全球市场上性价比最高的卫星导航定位SoC，可全面支持各种物联网应用与基于位置的服务。 深圳市瑞彩电子技术有限公司 深圳市瑞彩电子技术有限公司经过十余年的耕耘，已经发展成为能够提供产品终端、云端和移动客户端的系统解决方案商。瑞彩与国内外一流的芯片、4G通信模块及工控机生产商建立了广泛而紧密的合作关系，具有独立的Wi-Fi视频监控、IoT Wi-Fi模块等智能产品设计和研发能力，并可以为工业控制、车联网应用提供多种定制化解决方案。2013年被评为国家高新技术企业，截止2015年底公司已经拥有发明专利、软件著作权共计14项。

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发布时间: 2017-11-20

19. 硅基铟镓砷量子阱晶体管

Lightfeng

瑞士的IBM Research宣布称硅基射频III-V金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的高频截止值最高，并且他们的设备优于最先进的硅RF-CMOS。 研究人员使用由磷化铟阻挡层定义的铟镓砷（InGaAs）量子阱（QW）通道，减少了边界陷阱对测量频率范围内跨导的影响。 使用直接晶圆键合将QW沟道材料集成在硅基掩埋氧化物（BOX）上，其中氧化硅上的硅层不是有意掺杂的。替代金属栅极制造工艺始于沉积非晶硅伪栅极。氮化硅用于源极/漏极间隔，使用原子层沉积（ALD）和反应离子蚀刻的组合实现间隔物形成。用于接触延伸的空腔由受控氧化和蚀刻的“数字”循环形成。数字蚀刻还从源极/漏极接触区域移除了顶部InP阻挡层。通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）用n-InGaAs填充接触延伸腔。然后移除伪栅极并用氧化铝和二氧化铪高k栅极绝缘体以及氮化钛和钨栅极金属层代替。 20nm栅长MOSFET的输出电导比没有顶部InP屏障的参考器件高50％。顶部屏障的存在消除了半导体/栅极氧化物界面处的缺陷散射。当栅极长度为120nm时，QW MOSFET的峰值跨导比参考器件的峰值跨导大300％。在20nm的短栅极长度下，改善降低至60％。QW通道的有效移动性为1500cm2 / V-s，而没有顶部InP屏障的通道的有效移动性为500cm2 / V-s。研究人员评论说：“这种差异是因为使用QW减少了氧化物界面陷阱和表面粗糙度散射。” 20nm栅极长度MOSFET的截止频率（ft）为370GHz，最大振荡（fmax）为310GHz。该装置具有两个4μm宽的门指从中心杆分支。这些值代表了硅片上III-V MOSFET报告的最高组合ft和fmax。

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发布时间: 2019-03-31

20. 东芝公司提出多芯片架构有望在复杂的金融交易和机器人技术中创造改变游戏规则的转变

shenxiang

在解决大规模优化问题方面处于行业领先地位的东芝公司（Toshiba Corporation）3月12日宣布了一项将硬件限制降至最低的横向扩展技术，这是该公司优化计算机模拟分岔机（Simulation branch Machine，SBM）的一个发展，它支持计算速度和规模的持续提高。东芝预计，对于需要大规模、高速和低延迟的现实世界问题，例如涉及大量股票的同时金融交易，以及多个机器人的复杂控制，新的SBM将成为游戏规则的改变者。研究结果发表在3月1日的《自然电子》杂志上。 在金融、物流和通信等不同的工业部门，速度和规模是取得成功的关键，所有这些部门都必须在尽可能短的时间内处理大量问题并做出复杂的决策。为了给这些和其他业务带来更高的效率，东芝通过开发高速、高精度的算法和相应的实用计算机解决方案来解决组合优化问题。该公司最近宣布了第二代模拟分岔算法，该算法通过一个现场可编程门阵列（FPGA）在经典计算机上实现，在获得各种组合优化问题的高速最优解方面超过了量子计算机。 东芝继续通过在计算机中安装更多的FPGA来追求SBM更好的性能，这种方法在计算机体系结构中称为横向扩展，并成功地演示了全球第一个针对所有连接类型的组合优化问题的计算速度和问题大小同时横向扩展*4*1。该技术的核心是模拟分岔算法的分区版本，它使多个FPGA能够相互交换变量信息，并触发一种自主同步机制，将通信开销最小化到不影响整体性能的程度。 试验表明，一个由8个FPGA组成的SBM（图3a）的计算吞吐量是单个FPGA SBM的5.4倍，解决的问题是单个FPGA SBM的16倍；64个FPGA SBM的仿真结果表明，计算速度和FPGA数量之间的关系是完全线性的，表明该技术可以继续扩大规模，取得同样的效果。 8 FPGA SBM的求解速度也是模拟退火（SA）的828倍，模拟退火是一种广泛使用的优化技术，表明SBM比SA更有效地利用计算资源。 快速的计算速度、大的计算规模和提供解决方案的低延迟是新的SBM能够为企业提供的关键价值。东芝公司希望这项新技术将把金融科技和物流提升到一个新的水平，使金融业能够同时交易更多的股票以及机器人在零时间滞后计算下能在物流业表现更好。 论文链接：K. Tatsumura et al., Scaling-out Ising machine using a multi-chip architecture for simulated bifurcation, Nature Electronics 4, (2021). https://www.nature.com/articles/s41928-021-00546-4

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发布时间: 2021-03-17

21. 硅性能的突破可以使关键的微波技术成本更低廉

Lightfeng

研究人员使用功能强大的超级计算机已经找到了一种利用廉价芯片生成微波的方法，这一突破可以显著降低成本并改善自动驾驶车辆中的传感器等设备。 “直到现在，这被认为是不可能的，”滑铁卢大学的工程教授C.R. Selvakumar说，他在几年前提出了这个概念。 高频微波在各种设备中传送信号，包括警察用于捕捉汽车中的调速器和碰撞避免系统的雷达单元。 微波通常由称为耿氏二极管的器件产生，该器件利用了砷化镓等昂贵且有毒的半导体材料的独特性能。 首席研究员Daryoush Shiri，前滑铁卢博士生，现在在瑞典查尔姆斯理工大学工作，他使用计算机纳米技术表明用硅也可以达到同样的效果。

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发布时间: 2018-05-27

22. 英特尔发布首款AI芯片Springhill，专为大型数据中心打造

shenxiang

8月21日，英特尔发布了为大型计算中心设计的新款处理器，这是该公司首次使用人工智能（AI）技术开发的芯片。 英特尔表示，这款名为NervanaNNP－I或Springhill的芯片是在该公司旗下位于以色列海法（Haifa）的研发设施开发的，以10纳米IceLake处理器为基础，能用最小的耗电量处理高工作负荷。 英特尔称，Facebook已经开始使用这款产品。英特尔还表示，这款芯片是该公司的首个人工智能产品。此前，英特尔对多家以色列人工智能创业公司进行了投资，其中包括HabanaLabs和NeuroBlade。 “为了达成未来‘人工智能无处不在’的局面，我们必须处理其所产生的海量数据，并确保组织配备能够有效利用数据的设备，并在收集数据之处对其进行现场处理。”英特尔人工智能产品部门总经理NaveenRao说道。“这些计算机需要提高速度以运行复杂的人工智能应用。” 英特尔称，随着人工智能领域对复杂计算的需求增长，这款新芯片将可为大型公司使用的英特尔至强（IntelXeon）处理器提供帮助。

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发布时间: 2019-08-26

23. 哈佛大学利用“印刷电路+MEMS”工艺打造微型机器人

shenxiang

受昆虫生物学的启发，哈佛大学的一个团队正在突破其项目的极限，打造出有史以来最小、速度最快的微型机器人：HAMR-JR。 在名为“哈佛移动微型机器人(HAMR)”项目的最新进展中，研究人员表示，他们已经成功地将这个灵感来自蟑螂的机器人缩小到硬币大小。这个名为“HAMR-JR”最新微型机器人虽然还不能爬上水柱，但它可以奔跑、跳跃、携带重物和快速转弯。 HAMR-JR微型机器人是由哈佛大学约翰·A·保尔森工程和应用科学学院(SEAS)和哈佛威斯生物启发工程研究所的研究人员携手开发的，它只有受蟑螂启发的哈佛移动微型机器人HAMR的一半大小。 HAMR-JR只有一便士大小，几乎可以完成它的大型前身的所有壮举，促使它成为迄今为止最灵巧的微型机器人之一。 “这种规模的大多数机器人都相当简单，只展示了基本的移动能力。”Kaushik Jayaram说，他是SEAS and Wyss的前博士后研究员，也是该论文的第一作者。“我们已经证明，你不需要为灵巧妥协或控制大小。” Jayaram目前是科罗拉多大学博尔德分校的助理教授。 这项研究在本周的国际机器人和自动化会议(ICRA 2020)上虚拟会议展示了出来。 这项研究面临的一个大问题是，用于制造HAMR早期版本和其他微型机器人(包括RoboBee)的弹出式制造流程，是否可以用于制造多种规模的机器人——从微型外科机器人到大型工业机器人。 PC-MEMS(印刷电路微机电系统)是一种制造工艺，在这种工艺中，机器人的部件被蚀刻在一张2D的薄片上，然后以3D的形式呈现出来。为了建造HAMR-JR，研究人员只是简单地缩小了机器人的2D平面设计——以及驱动器和车载电路——以重现一个具有所有相同功能的更小的机器人。 Jayaram说：“这次试验的奇妙之处在于，我们不必对之前的设计做任何改变。”“我们可以证明，这一制造过程基本上可以应用于各种尺寸的任何设备。” HAMR-JR体长2.25厘米，重约0.3克，相当于一枚硬币的重量，它奔跑速度惊人，使它不仅是最小的，也是最快的微型机器人之一。 这项研究是由Jennifer Shum, Samantha Castellanos和E. Farrell Helbling共同撰写的。这项研究得到了DARPA和维斯研究所的支持。 对蟑螂的误解 对这位今年加入CU Boulder的工程师Jayaram来说，这个项目是一系列机器人设计中最新的一个，这些机器人的灵感来自一个不太可能的来源：令人厌恶的蟑螂。 Jayaram之前制造了一个名叫CRAM的小型机器人，它可以像城市里的害虫一样挤进看似不可能的空间。他的另一个作品能够头朝下撞到墙上，然后继续跑——就像一只蟑螂一样。 “在上研究生之前，我从来都不喜欢蟑螂。”Jayaram说，“但后来，这么多年来，我觉得，‘是啊，你太恶心了。但作为一种特别的生物，你也是非常有用的，我们可以从中学到东西。’” 设计用来模仿这种讨厌昆虫的速度和机动性的HAMR-JR，也带来了一系列工程上的挑战。 最主要的就是动力问题。这种尺寸的机器人不能使用传统的马达。当它们太小的时候就会过热。因此，哈佛大学的研究小组使用一种叫做“压电致动器”的工具为HAMR-JR提供了动力。 此外，按比例缩小确实会改变一些控制步长和关节刚度的原则，因此研究人员还开发了一个模型，可以根据目标尺寸预测运动指标，如跑步速度、脚力和有效载荷。然后可以使用该模型来设计具有所需规范的系统。 Jayaram解释说，为了制造这么小的机器人，研究人员首先用激光将机器人的身体部分的形状蚀刻在一块碳纤维复合材料上。 Jayaram说：“我们在平面上把所有东西做成二维结构，然后像折纸一样把它折叠起来，做成三维结构。”“在显微镜下观察要花很多时间才能让它工作。” 小小机器人，大有希望 这些让眼睛的疼痛得到了回报：HAMR-JR可以左右转弯，甚至可以向后疾走。它跑步的速度是它身体长度的14倍，也就是大约每秒1英尺。相比之下，哺乳动物世界中速度最快的动物——猎豹的冲刺速度约为每秒16个身长。 HAMR-JR只是一个开始，Jayaram补充道。理论上，工程师们可以用他的团队同样的方法制造出更小的机器人——铅笔橡皮或者更小。 “我们证明了我们的设计和制造方法是高度可扩展的。”Jayaram说，“我们可以把所有东西缩小或放大，机器人仍然可以工作。” 现在，Jayaram想看看他还能从昆虫身上获得什么灵感：他能不能做一个有6条或8条腿的微型机器人来取代HAMR-JR的4条腿?那么，如果一个小机器人足够灵活，即使被踩到也能存活下来呢? 换句话说，当你身边有蟑螂的时候，没有什么是你做不到的。 “我对生物学和工程学边缘的问题感兴趣HAMR-JR”Jayaram说，“什么是生物学能做而工程学不能做的?” 前身——微型机器人HAMR 2018年，哈佛大学在《自然通讯》发表研究，展示了灵感来自蟑螂的微型机器人HAMR，既能在陆地上行走，也能在水面上游泳、在水下行走，只要需要，就可以探索新的环境。作为对比，在自然界中，蟑螂可以在水下存活30分钟，但现在，蟑螂机器人青出于蓝而胜于蓝。 HAMR使用多功能脚垫，依靠表面张力和表面张力诱导浮力，当HAMR需要游泳，也可以施加电压打破水面，当HAMR需要下沉。这一过程被称为电润湿，即在施加的电压下减小材料与水表面的接触角。接触角的变化使得物体更容易突破水面。 研究人员表示，这项研究表明，微型机器人可以利用小规模的物理——在这种情况下表面张力来执行功能和挑战更大的机器人。 HAMR重1.65克(相当于一个大回形针的重量)，可以在不下沉的情况下额外携带1.44克的有效载荷，它摆动腿的频率可达10赫兹。上面涂了一层聚二甲苯，防止它在水下短路。 一旦进入水面以下，HAMR就会像在陆地上一样走路，而且移动自如。要回到干燥的陆地，HAMR面临着来自水的巨大挑战。一种相当于机器人重量两倍的水面张力向下压在机器人身上，此外，这种诱导力矩还会大大增加机器人后腿的摩擦力。 研究人员加固了机器人的传动装置，并在机器人的前腿上安装了软垫，以增加负载能力，并在爬升过程中重新分配摩擦力。最后，爬上一个适当的斜坡，机器人就能跳出水面。

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发布时间: 2020-06-18

24. 系统级RF解决方案处于高通公司RF前端牵引增长的前沿

Lightfeng

自从几年前LTE技术出现以来，主要智能手机射频元件供应商取得成功的最关键因素之一就是具有系统级专业知识的产品组合。在过去的一年中，一家供应商可以在调制解调器和天线之间解决智能手机中所有必要的功能，从而为整个智能手机原始设备制造商带来更高的功效和电池使用寿命。 今天在CES之前的一场盛会上，高通宣布，它继续与宏达电，索尼移动，LG，谷歌和三星等知名智能手机原始设备制造商合作，推出其射频前端组件。该公司将为下一代高端智能手机提供全面的调制解调器到天线射频前端解决方案，从而加快上市时间，并降低使用智能手机的整体开发成本。高通目前是唯一一家在系统级，通过硬件和软件提供调制解调器到天线解决方案的供应商。

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发布时间: 2018-01-14

25. 美国白宫SBA（美国小企业管理局）认可IPC和成员公司为扩大技术人才队伍而做出的努力

Lightfeng

2019年7月22日，特朗普政府在本周承认IPC电子工业协会（Connecting Electronics Industries）及其几家成员公司为扩大技术人才队伍而做出的努力。 周二，美国小企业管理局（SBA）代理行政官Chris Pilkerton将访问位于密歇根州卡鲁梅特电子公司（Calumet Electronics）的车间工人，随后将参加位于密歇根州霍顿的密歇根理工大学（Michigan Technology University）的圆桌会议，重点讨论影响美国电子工业基础的劳动力问题。参加者将关注企业、政府和其他组织必须做些什么，才能在从K-12到大学和职业生涯的各个层次提供适当的教育机会。 然后在周四，白宫将在特朗普总统执行命令一周年纪念日上召开一次活动，以制定国家战略，扩大关键行业技术人才队伍。IPC大力支持这项活动，在过去的一年里，它在已展开的教育项目上进行了金额空前、数百万美元的投资，包括为成年工人提供培训和颁发有价值的证书;开设新的大学章节和电子课程;针对中高中学生进行宣传工作等。将有四家IPC成员公司的员工和高管出席此次白宫活动：Calumet Electronics、加利福尼亚州的Summit Interconnect、加利福尼亚州圣何塞的Green Circuits、阿拉巴马州麦迪逊的STI Electronics。 IPC总裁兼首席执行官约翰米切尔（JohnMitchell）说：“作为电子行业教育培训和认证领域的领导者，IPC很荣幸与特朗普政府以及我们的私营部门同事一道努力扩大美国的扩大技术人才队伍。长期缺乏优秀的技术工人是面临的最困难的挑战之一，我们将致力于扩大和改进我们的行业，努力吸引年轻人，为培养更多的技术人才不断努力。”

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发布时间: 2019-07-28

26. 集成电路信息简报2023年第6期

李衍

本期围绕集成电路研究领域提供了近期的战略规划，如美国发布《国家先进封装制造计划愿景》报告、美国政府将收紧尖端人工智能芯片出口管制措施、中国台湾地区公布5大领域22项核心关键技术清单; 智库观点，如美国国家科学基金会发布《保障美国的未来：关键技术评估框架》报告、美国半导体联盟正式发布《微电子和先进封装技术路线图》；研究前沿，如美国研制出40万像素超导纳米线单光子相机、美国西北大学研发出可低能耗运行人工智能的新型节能晶体管、瑞士洛桑联邦理工学院基于二维半导体材料研制出首个含上千晶体管的内存处理器；产业动态，如日本三菱电机公司提议构建功率半导体国际标准、英伟达发布下一代AI芯片H200性能飙升、日本佳能公司推出新型纳米压印半导体制造设备可用于5 nm芯片制造。

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发布时间: 2023-12-19

27. 砷化铟镓单晶体管动态随机存取存储器

Lightfeng

西班牙的格拉纳达大学和瑞士的苏黎世IBM研究室一直致力于硅基III–V族材料的研究，用于无电容器单晶体管动态随机存取存储器（DRAM）。 研究小组评论说：“这种无电容器的DRAM已经在硅材料中得到了证实，但是包括III-V化合物半导体在内使的其他材料相较下则属于未探索领域，尽管这些材料可能提高性能。” 移除1T1CDRAM的电容器以减小单元尺寸。III–V化合物半导体中载流子迁移率的提高为降低工作电压和降低能耗提供了前景，例如砷化铟镓（InGaAs）。 研究人员将其结构描述为与使用寄生浮体效应（FBE）存储信息的亚稳态双列直插式(DIP) RAM（MSDRAM）概念相关。FBE出现在绝缘体上半导体（-OI）结构中，其中半导体中的电势取决于偏置历史和载流子复合过程。设备主体中的电荷在读取操作中调节电流。 MSDRAM原理使用前门和后门之间的耦合以及浮体效应和非平衡效应。在闸门创建前通道和后通道，空穴堆积在前沟道中，而后沟道被后栅驱动反转。累积的空穴调节了反向沟道中的电子密度，前沟道中较大的空穴密度使反向层中的电流增加。 将MOCVD重生的n型源极/漏极区域升高25nm，并使用9nm等离子体增强的ALD氮化硅隔离层将其与栅极堆叠隔离。用锡掺杂源极/漏极为2×1019 / cm3。以0.5μm的宽度制造出具有各种栅极长度（LG）的最终器件。在背栅上施加正电压可切换通道，由于厚的BOX层，背栅的电流控制受到限制。但是，后通道中的电流由前通道中捕获的电荷调制，从而实现1T-DRAM性能的改善。

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发布时间: 2019-09-29

28. Transphorm的第二款900V GaN FET进入量产

Lightfeng

美国氮化镓场效应晶体管制造商Transphorm的第二款900V GaN FET现已投入生产，TP90H050WS的典型导通电阻为50mΩ，瞬态尖峰额定值为1000V，并且已通过JEDEC认证。其主要目标市场在工业和可再生能源方面，包括光伏逆变器、电池充电、不间断电源（UPS）、照明和储能等应用。此外，这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分利用GaN的速度，效率和功率密度。 TP90H050WS于去年推出，是该公司继TP90H180PS之后的第二个900V器件。两片常关型功率晶体管采用标准TO-247封装，具有±20V的栅极鲁棒性，从而提高了其在电源系统中的可靠性和可设计性。Transphorm高速GaN和耐热性强的TO-247封装相结合，使系统在不带桥式图腾柱功率因数校正（PFC）的典型半桥配置中，可达到超过99％的效率，同时产生高达10kW的功率。 伊利诺伊理工学院（IIT）目前正在ARPA-E电路计划中使用TP90H050WS，该计划将Transphorm的产品与IIT的固态开关拓扑独特地结合在一起。该项目旨在为可再生能源微电网生产可靠的固态断路器（SSCB）。它包括使用900V GaN器件开发自主运行，可编程和智能双向SSCB。 IT的John Shen博士说：“Transphorm的GaN技术超出了我们的预期。它具有完整封装、 高功率密度、可靠的双向性，并且作为市面上唯一的900 V GaN器件，以一种小型封装提供了前所未有的功率输出。” Transphorm凭借其DC-AC逆变器评估板继续简化开发工作。 TDINV3500P100-KIT使用四个TP90H180PS 170mΩ FET设计，使用全桥拓扑来支持工作于100kHz或以上频率运行的单相逆变器系统。

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发布时间: 2020-08-24

29. 安森美半导体推出适用于高要求应用的900V和1200V SiC MOSFET

Lightfeng

最近，安森美半导体扩展了其宽禁带（WBG）设备的范围，推出了两个额外的碳化硅（SiC）MOSFET系列。此系列用于高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车的车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电站。 与硅相比，新型1200V和900V N沟道SiC MOSFET具有更快的开关性能和更高的可靠性。具有低反向恢复电荷的快速本征二极管可显着降低功率损耗，提高工作频率以及整体方案的功率密度。 小芯片尺寸进一步增强高频工作，达至更小的器件电容和更低的门极电荷-Qg（低至220 nC），从而降低了在高频下工作时的开关损耗。与基于Si的MOSFET相比，这些增强功能提高能效，降低电磁干扰（EMI），并可使用更少（或更小）的无源器件。与Si器件相比，极强固的SiC MOSFET具有更高的浪涌额定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，从而提供更高的可靠性和更长的使用寿命，这对高要求的现代电源应用至关重要。较低的正向电压提供无阈值的导通状态特性，减少器件导通时产生的静态损耗。 1200 V器件的额定电流高达103 A（最大ID），而900 V器件的额定电流高达118 A。对于需要更高电流的应用，安森美半导体的MOSFET可易于并联运行，因其正温系数/不受温度影响。 安森美半导体的所有SiC MOSFET都不含铅和卤化物，针对汽车应用的器件都符合AEC-Q100车规和生产件批准程序（PPAP）。所有器件都采用行业标准的TO-247或D2PAK封装。

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发布时间: 2020-03-12

30. 首尔半导体赢得了针对Everlight的所有诉讼，即五项专利诉讼

Lightfeng

韩国LED制造商首尔半导体有限公司赢得了韩国专利法院针对Everlight Electronics提起的专利无效诉讼。 Everlight的专利于2017年从一家美国公司购买。此前，首尔半导体在英国提起专利无效诉讼，结果Everlight自愿承认其专利无效，英国专利法院命令Everlight向首尔半导体支付约100万美元的诉讼费用。 但韩国专利审判委员会驳回了该无效诉讼。然而，韩国专利法院现在已经撤销了这一判决。因此，首尔半导体表示，它赢得了针对Everlight提起的五项专利诉讼。 德国法院支持其侵权索赔，下令永久禁止销售被控Everlight产品，下令召回2012年7月13日后销售的所有被控Everlight产品。 副总裁Sam Ryu说：“为了确保技术创新者的努力得到尊重，我们访问了众多公司来保证我们的技术不会侵权，同时监控可疑的侵权产品。”

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发布时间: 2019-01-01

31. Plessey和WaveOptics合作开发用于智能眼镜的micro-LED模块

Lightfeng

在美国举行的Photonics West 2020上，英国的Plessey宣布与衍射光波导元件设计和生产领先企业WaveOptics合作，共同开发增强现实和混合现实（AR / MR）显示应用结合的嵌入式微型LED技术。 双方将专注于创建专门为下一代智能眼镜设计的新光学模块。该模块将结合Plessey的高亮度micro-LED、自然绿色全高清显示屏以及WaveOptics的最新Katana波导技术和投影仪设计。更重要的是，该模块将是市场上最小的集成AR显示模块。 下一代AR和MR系统取决于光模块性能的技术飞跃。新的AR和MR系统具有令人信服的实用和视觉体验，特别在图像质量、亮度、分辨率和有效功耗方面的进步明显。Plessey和WaveOptics之间合作将结合各自所长，提供了必要的创新。该模块的尺寸和功耗要求将大幅降低，实现了增强的功能，例如用于真正的、不受限制的AR应用的无线收发器，这对于希望将智能眼镜作为移动配件推出的技术和移动公司而言至关重要。 用户在由明亮的户外环境到黑暗的室内环境之间无缝过渡的AR头戴式耳机需要一种显示技术，该显示技术既可以提供很高的亮度又可以降低功耗，从而延长电池寿命。 Plessey说，WaveOptics技术的显示器可以满足这一苛刻要求。 WaveOptics的首席执行官David Hayes说：“通过这次合作，客户将能够购买最轻，超低功耗的模块，该模块结合了WaveOptics和Plessey技术的独特组合。我们的micro-LED显示器被公认为提供AR和MR设备所需的高性能显示面板的最前沿。”

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发布时间: 2020-02-09

32. IGaN与RAM合作开发GaN-on-Si全身监测量子传感器

Lightfeng

新加坡技术供应商RAM Group和IGSS GaN Pte Ltd（IGaN）发布首款经过临床验证的量子器件传感器（QDS），该传感器可以提供无创、连续的全身器官系统监控。 QDS针对一系列可穿戴设备和相应医疗保健应用，集成了专有的人工智能（AGI）引擎来生成数据集，有助于即时准确地诊断心脏、肺部和其他器官的疾病。 RAM集团首席执行官兼创始人Ayal Ram说：“在神经网络分析中，QDS由AGI供电，其运行速度比AI快70％，满足市场对小型、超低功耗、无创传感器的需求，并且该传感器可同时连续检测人体中电场的微小变化他补充说，从根本上改变了对关键疾病的检测诊断，可使人们更加了解疾病，从而减轻诊断了压力和成本。” IGSS Ventures Pte创始人兼集团首席执行官Raj Kumar表示：“我们很高兴能与IGaN结成伙伴关系，其在成本竞争力和商业化方面拥有深厚的专业知识，可以加快GaN-on-Si技术的上市时间。量子器件传感器（QDS）的成功临床试验和市场准入是硅基GaN等小众半导体的典范，特别是作为硅芯片的替代品。与RAM Group一起，我们可以一起使GaN-on-Si传感器应用得以采用，从而进一步推动新加坡在新兴半导体应用方面成为全球创新中心。”

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发布时间: 2019-11-10

33. 首尔半导体的自然光谱LED“SunLike”被WILA应用于人类的照明

Lightfeng

韩国LED制造商首尔半导体表示其SunLike系列自然光谱LED已被WILA Lighting公司用于其新的Visic产品系列的开发。自然光谱LED为首尔半导体与东芝材料的TRI-R光谱技术年合作开发，是首个与自然阳光光谱紧密匹配的LED光源，用于植物生长照明。 Visic是一种具有带纹理的表面和柔和轮廓的嵌入式天花板灯，具有人类照明的设计，与自然阳光的光谱非常匹配。通过SunLike系列LED的技术降低了蓝光峰值，使其类似于太阳光的光谱曲线，以减少常规LED常见的散射反射和眩光。 Visic照明设备效率极高，最高可达到162Llm / W，并具有统一眩光等级（UGR），根据国际照明委员会（CIE）不适感眩光评估系统，其低眩光UGR <19。根据瑞士巴塞尔大学的克里斯蒂安·卡约琴教授和他的团队最近进行的一项全面睡眠研究的结果显示，SunLike系列自然光谱LED已被确定为促进人类福祉的关键光源，主要是因为日光LED对视觉舒适度、褪黑激素、情绪、醒着性能和睡眠都产生有益的影响。 SunLike系列LED的光源可以更准确地显示物体的颜色，跟自然光下表现的一样。 SunLike系列LED经过优化以适应自然光谱和显色指数CRI-97（接近日光的CRI-100，高于常规LED的CRI-80）。 首尔半导体公司欧洲销售副总裁卡洛·罗米蒂（Carlo Romiti）表示：“随着照明的范式的转变，在室内花费大量时间的人们对健康光源的需求正在不断增长，SunLike系列LED的光源无疑为照明行业带来了极大的价值。”

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发布时间: 2019-10-07

34. IC Insights：三大因素阻截，传感器和执行器市场逐渐降温

shenxiang

近日，IC Insights在最新报告中指出，传感器和执行器市场在经历了两年强劲增长后，因库存下降、单位出货量减少以及经济不确定性而逐渐降温。 2018年，调整库存、智能手机出货量减少以及采购订单减少限制了半导体传感器和执行器的销售增长，在经历了2017年和2016年的两位数百分比增长后，2018年传感器和执行器的销售额虽然创下147亿美元的新高，但仅增长了6%。 传感器和执行器增长的下降趋势延续到了今年第一季度，全球销售额与去年同期相比仅增长2％，但预计未来六个月该半导体市场将恢复强劲势头。IC Insights预测，2019年传感器和执行器销售额将增长5％，达到创纪录的154亿美元新高。 由于全球经济疲软，IC Insights报告指出，2020年传感器和执行器全球销售额增长恐将放缓至3％。而在2021年至2023年间会逐渐恢复增长势头，2023年预计将达到211亿美元。 根据IC Insights的最新OSD报告显示，2018年传感器总销量增长了8％，达到创纪录的91亿美元，在此之前的两年都有两位数百分比的成长。执行器收入去年增长了4％，达到创历史新高的55亿美元，而该市场2017年强劲增长了18％，2016年增长19％。 IC Insights预计传感器和执行器的全球销售额预计在2019年增长约5％，分别达到96亿美元和58亿美元。世界半导体贸易统计（WSTS）组织将非光学传感器和执行器置于同一市场类别，因为这些设备都是一种转换器，作用都是将一种形式的能量转换为另一种形式。（图像和光传感器属于WSTS的光电子市场类别，不计入传感器/执行器类别。） 据了解，2018年传感器和执行器的销售额（122亿美元）中约有83％来自采用微机电系统（MEMS）。MEMS用于压力传感器（包括麦克风芯片）、加速度计、陀螺仪设备和几乎所有的执行器。IC Insights指出，基于MEMS的传感器和执行器销售额在2018年增长了6％，2017年增长了18％，2016年增长了15％。预计基于MEMS的传感器/执行器销售额将在2019年增长约5％，达到创纪录的128亿美元， 2020年则由于经济疲软仅增长3％。 从类别来看，压力传感器引领了三大传感器类别的销售增长，2018年增长13％至33亿美元；其次是加速度/偏航传感器（加速度计和陀螺仪设备），增长了4％至34亿美元；去年磁性传感器（包括电子罗盘芯片）增长了4.0％，达到20亿美元。

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发布时间: 2019-06-05

35. JePPIX开通了InP PIC生产线的试验服务

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欧洲组件和电路光子集成联合平台JePPIX已经开始展开其磷化铟（InP）光子集成电路（PIC）生产设计和制造的试验服务，InP PIC的商业化生产基于工业标准设计环境中嵌入的成熟工艺设计工具包（PDK）。 JePPIX试用生产线现已向需要进行商业化生产的公司开放，可为InP PIC产品认证提供所需要的服务包括：具有制造公差的功能PIC建模、测试设计（DFT）、制造设计和具有可自定义的脚本和测试服务的自动化模具测试。 JePPIX汇集了欧洲光子集成电路供应链，以此作为推动和推广PIC技术的统一力量。JePPIX促进了这样一种开放、广泛和通用的铸造模型的形成，该模型的目的在于与市场保持同步、吸引新用户、实现专业化并保持新部门在供应链中所需的敏捷性。为了加快InP PIC的推广和使用，InPulse项目的试点生产线已经获得了欧盟的Horizon 2020研究与创新计划的支持，该项目由第871345号赠款协议资助。 磷化铟PIC的价值 JePPIX表示，InP PIC体积小、重量轻且功耗非常低，因此具有很多优势。此外，有助于实现将激光器、检测器、干涉仪、光电检测器、调制器、滤波器、波导和其他（电）光学技术集成在单个芯片上，对所需的材料资源、电路级的再现性和系统的总体成本都有巨大的影响。 应用领域 JePPIX表示，与传统方法相比，光子集成电路在广泛的应用领域中具有实现光学功能的优势，为高性能计量、量子技术、微波信号处理和光检测与测距（LiDAR）提供引擎。并且在各个市场都有巨大的潜力，例如光通信、汽车、生命科学、农业、食品、环境监测、国防和安全等市场。

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发布时间: 2020-12-14

36. 嘉善签约总投资7.5亿美元IGBT功率半导体项目

shenxiang

近日，IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。 IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元，总投资7.5亿美元，主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造，一期用地34亩，二期预留用地46亩，一期达产后预计年产值将超过20亿元。项目亩均投资超过6400万元，亩均产值预计超5800万元，亩均税收预计将超过440万元。同时，项目还将在县开发区设立IGBT技术研发中心，全面支持企业的创新发展。 更值得注意的是，IGBT功率半导体项目的主要投资方为赛晶电力电子集团。这是继华瑞赛晶电气设备科技有限公司（以下简称华瑞赛晶）后，该企业在嘉善投资的第二个高科技项目。 经过十五年发展，华瑞赛晶目前已经成为全国乃至全球最有影响力的电力系统解决方案供应商，其自主研发的阳极饱和电抗器和柔性直流输电用大功率电力电子电容器都打破了国外技术的垄断。 据悉，高端绝缘栅双极型晶体管是能源变换与传输的核心器件，电力电子装置的“CPU”，其在轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域中有着广泛的运用。该产品由于对设计和制造工业要求高，国内起步晚，国内市场长期为国外企业所把持。项目的落地将加速这一核心元器件的国产化进程。 此外，IGBT半导体项目的落户不仅将壮大嘉善县数字产业的规模，更能为智能传感（集成电路）、绿色智能新能源等今后嘉善县数字经济核心产业的提供优质配套。

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发布时间: 2019-07-19

37. Inseto通过收购基板供应商IDB Technologies扩展了半导体部门的产品和服务

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英国安多佛有限公司，是一家为半导体、微电子和先进技术部门(以及电子、汽车和工业制造的胶粘剂)提供设备及相关材料的分销商，已经收购了半导体晶圆和基板供应商IDB Technologies。两家公司已经合作了好几年，并且分享了很多相同的客户。 Inseto公司董事Matt Brown指出：“IDB Technologies主要与英国和欧洲大陆的大学合作。 这些大学已经出现了许多分拆公司，现在正在扩大批量生产，这是Inseto可以提供帮助的地方。” IDB的创始人Ian Burnett加入Inseto为客户提供支持。他认为：“这对所有有关方面，尤其是我们的客户来说都是双赢的。Inseto通过了ISO 9001：2015认证，投资了一个令人印象深刻的仓储和处理设施，并实现了自动化的许多流程，以确保所有订单尽可能快地周转。”

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发布时间: 2018-01-28

38. 垂直功率三栅SiC MOSFET

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美国普渡大学和Sonrisa Research公司报告称其研究的4H多型碳化硅（SiC）垂直功率三栅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比沟道电阻显着降低，这种新型MOSFET集成了亚微米FinFET通道。 该团队表示，这种结构与晶圆减薄相结合，可以使导通电阻降低2倍以上，使晶圆集成器件数量增加了两倍，并且可以大大降低650V功率下SiC功率MOSFET的成本。 鳍状结构增加了载流区域的有效宽度，而不增加器件面积。降低导通电阻在使用反型层沟道的SiC器件中尤为重要，因为相对于硅，迁移率降低了10倍。 三栅极MOSFET的制造顺序概述：（a）注入p型基极和n +源极区域，（b）蚀刻沟槽，（c）沉积栅极氧化物和多晶硅栅极，（d）图案化多晶硅栅极，（e）形成ILD，（f）并用BHF浸入清除鳍片上的薄氧化物，形成欧姆接触并沉积顶部金属。 所使用的外延晶片由厚度为350μm的重掺杂n + 4H-SiC衬底，5.2μm的1.4x1016 / cm3 n型漂移层和1.6μm的1.0x1017 / cm3 n型结FET层组成。再形成2μm深，5μm宽的逆行p型基极区和1.3μm深，4μm宽的n +源区。p型基极区域形成为相隔4.5μm的条纹。沟道深0.8μm，宽0.5μm，间距为0.5μm。蚀刻的表面在1500°C和15kPa压力下通过氢等离子体蚀刻而变得光滑。 栅极叠层由低压化学气相沉积（LPCVD）多晶硅形成的47nm绝缘体层和多晶硅栅电极组成。在电极沉积之前，将氧化的多晶硅绝缘体在1175℃的一氧化氮中进行热退火。栅电极被图案化为7.5μm宽的条纹，以允许在2μm宽的间隙中进入源极区域。 进一步沉积热氧化的多晶硅作为厚的层间电介质（ILD）。用缓冲氢氟酸（BHF）浸液清除源区中鳍片的顶部的绝缘材料。最终的器件针对650V阻断，通过浮动场环边缘端接实现。在706V下发生雪崩击穿，并且栅氧化物在?9MV / cm电场下破裂。 栅极阈值为0.5V，由于在鳍片的相对侧上明显存在不平等执行的通道，亚阈值表现异常。这可能是由于注入过程中的阴影效应所致，可在晶圆相对于离子束的取向相同的情况下进行基极和源极注入来消除。 栅极通过在此处形成一个反向层来控制电流从源极流过p型区域。穿过p基极后，流量继续向下并通过漂移区到达漏极。这种结构使18V栅电位下的比导通电阻为2.19mΩ-cm2，而在同一晶片上的常规平面双注入MOSFET（DMOSFET）的比导通电阻为4.07mΩ-cm2。 研究小组估计，工业标准的晶圆减薄工艺可以将新晶体管的电阻降低到1.54mΩ-cm2，而传统的DMOSFET只有3.42mΩ-cm2。通过进一步的提取技术，研究人员计算出沟道的比导通电阻为0.67mΩ-cm2，而DMOSFET的比导通电阻为2.38mΩ-cm2。 这项工作还使上鳍片表面以及沟槽底部和侧壁的反向电子迁移率分别估计为21、13和10cm2 / V-s。研究人员评论说：“显然，需要优化蚀刻侧壁的MOS特性，并且还有很大的改进空间。”

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发布时间: 2020-12-14

39. Tower Semiconductor研发出新的电流电容器技术

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专业代工厂Tower Semiconductor Ltd宣布研发了一项新的电流电容器技术，该技术集成了0.18µm电源管理和混合信号平台，可实现高达12kV的隔离式栅极驱动器和数字隔离器IC，从而提高了汽车、绿色电力和工业市场应用的安全性和电源效率。Tower Semiconductor 在以色列的Migdal Haemek以及在美国加利福尼亚的纽波特比奇和德克萨斯州的圣安东尼奥市以及在TowerJazz Japan Ltd.的子公司中都设有制造厂。 这项新技术不仅实现了电流隔离器的集成，并且在成本减少和尺寸改良上都具有优势，可以减少对其他设备的要求。领先客户正在针对应用领域开发初始产品的原型，如电动和混合动力汽车（EV/HEV）的电池充电器、电源和电机驱动器、绿色电力（太阳能逆变器和风力涡轮机电力转换器）和工业市场。 Tower的 AIC业务部混合信号和电源管理部副总裁兼总经理Shimon Greenberg表示：“我们很高兴能够研发出这一创新技术，通过与主要客户合作将新产品推向市场，以支持电动汽车和其他隔离电源应用的增长。这项新技术增强了Tower的0.18µm电源技术，支持从5V到200V的应用。”

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发布时间: 2021-03-25

40. 英飞凌在CoolSiC肖特基二极管系列中增加了D2PAK真2引脚封装

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德国慕尼黑英飞凌科技公司（Infineon Technologies AG）通过在D²PAK真2引脚封装中添加六个器件，扩展了其碳化硅CoolSiC肖特基二极管1200V产品组合。 使用SMD封装，设计可以生产更紧凑和更具成本效益的产品。此外，新的D²PAK真2引脚封装消除了中间引脚，从而提供了4.7mm的爬电距离和4.4mm的间隙距离。与标准D²PAK封装相比，安全性更高。二极管非常适合工业电源、直流充电站、不间断电源（UPS）和太阳能串逆变器之类的应用。 新器件采用英飞凌的CoolSiC肖特基二极管1200V技术G5，该技术可提供同类最佳的正向电压和高浪涌电流功能。此外，它还可以防止反向恢复损耗，并允许与温度无关的开关行为。当以较高的开关频率使用时，这些功能可以简化对冷却要求和磁性要求较低的设计。 CoolSiC肖特基二极管1200V G5现已供货，额定电流为2A至20A，采用D2PAK真正2引脚封装，这代表业界最广泛的产品组合。 该公司表示，通过在D²PAK真2引脚封装中使用新型SiC二极管，与硅解决方案相比，设计人员能够将功率密度和可靠性提高到一个新的水平。新产品组合与其他Infineon产品结合在一起，例如结合CoolSiC MOSFET 1200V、TRENCHSTOP 1200V IGBT6、EiceDRIVER栅极驱动器IC等，为高效率设计提供了完整的解决方案。

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发布时间: 2020-03-29

41. 安森美半导体订购Veeco Propel HVM MOCVD系统用于氮化镓功率电子制造

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美国纽约普莱恩维尤的外延沉积和工艺设备制造商Veeco Instruments Inc公司表示，美国亚利桑那州凤凰城的安森美半导体以测试评估为基础，为其提供电源管理，模拟，传感器，逻辑，定时，连接，片上系统（SoC）和定制器件，已订购其生产级Propel大批量制造（HVM）金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统，用于氮化镓（GaN）电力电子设备制造。 安森美半导体企业研发和开放式创新高级总监Marnix Tack PhD表示：“我们之前使用Veeco的K465i GaN MOCVD系统进行的学习促使我们调查了Propel HVM平台的产品线，这次测试结果表明，器件性能出色，具有高均匀性，晶圆内和晶圆到晶圆的可重复性，同时满足我们6英寸和8英寸晶圆的拥有成本目标，因此，Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。”

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发布时间: 2018-04-16

42. 美加联合开发人工智能自动化材料发现平台

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据科技部官网2月22日消息，加拿大多伦多大学和美国西北大学组成的研究团队，利用机器学习技术开发了一个自动化材料发现平台，有助于加快材料的设计周期。研究人员称该自动化材料发现平台，比对数据库中所有材料进行“蛮力”（brute force）筛选效率更高。更重要的是，该方法使用机器学习算法，从数据中学习探索材料空间，实际上提出了原本没有想到的新材料，并且可显著缩短用于某种特定用途的最佳材料的识别时间。

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发布时间: 2021-03-05

43. SEMI和TechSearch报告：2024年全球半导体封装材料市场将达到208亿美元

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美国加州时间2020年7月28日，SEMI和TechSearch发布的《全球半导体封装材料市场展望》预测报告（Global Semiconductor Packaging Materials Outlook）称：全球半导体封装材料市场将从2019年的176亿美元增长至2024年的208亿美元，复合年增长率（CAGR）为3.4％。半导体产业的增长将推动这一增长，包括大数据、高性能计算（HPC）、人工智能（AI）、边缘计算、先进内存、5G基础设施扩建、5G智能手机、电动汽车以及汽车安全功能的采用和增强。 封装材料是这些应用增长的关键，它使这些能够支持下一代芯片更高性能、可靠性和集成度的先进封装技术成为可能。 在对系统级封装（SIP）和高性能器件的需求推动下，作为最大材料领域的层压基板的复合年增长率将超过5％。在预测期内，晶圆级封装（WLP）电介质将以9％的复合年增长率增长最快。尽管正在开发提高性能的新技术，但朝着更小、更薄的封装发展的趋势将抑制引线框架，管芯连接和密封材料的增长。 随着半导体封装技术创新的稳步推进，预计未来几年将在材料市场中呈现几个机会领域，包括： •新的基板设计可支持更高密度的窄凸点间距 •适用于5G mmWave应用的低Dk和Df层压材料 •基于改进的引线框架技术【称为模制互连解决方案/系统（MIS）】的无芯结构 •模压化合物可为铜柱凸点倒装芯片提供底部填充 •树脂材料需要较小的填料和较窄的粒度分布，以满足狭窄的间隙和细间距倒装芯片 •粘晶材料，在<5 µm的位置内进行处理 •更高频率的应用（例如5G）所需的介电损耗（Df）较低的电介质 •TSV电镀所需的无空隙沉积和低覆盖层沉积 报告预测的2019年至2024年的其他增长领域包括： •基于加工材料的平方米，全球IC封装的层压基板市场预计将以5％的复合年增长率增长。 •预计总体引线框架出货量的复合年增长率将略高于3％，其中LFCSP（QFN型）的单位增长率最高，复合年增长率将近7％。 •在对更小，更薄的封装形式的求不断增长的推动下，封装材料的收入将以不到3％的复合年增长率增长。 •芯片连接材料收入将以近4％的复合年增长率增长。 •焊球收入将以3％的复合年增长率增长。 •WLP电介质市场预计将以9％的复合年增长率增长。 •晶圆级电镀化学品市场的复合年增长率预计将超过7％。 《全球半导体封装材料市场展望》（Global Semiconductor Packaging Materials Outlook）是由TechSearch International和SEMI或其合作伙伴TECHCET LLC对半导体封装材料市场进行的全面市场研究。是该报告系列的第九版。 报告基于对100多家半导体制造商、封装分包商、无晶圆厂半导体公司和封装材料供应商进行了访谈。 该报告涵盖以下半导体封装材料领域： •基材 •引线框 •焊线 •密封胶 •底部填充材料 •芯片贴装 •锡球 •晶圆级封装电介质 •晶圆级电镀化学品

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发布时间: 2020-08-01

44. Packetcraft推出开源蓝牙低能耗堆栈，该堆栈与Arm Mbed OS集成以实现无缝的IoT连接

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2019年10月7日，美通社报道称Packetcraft推出基于Arm®Cordio®物联网设备平台的开源Bluetooth®低能耗协议栈解决方案。该产品就绪型软件已集成到免费的开源IoT操作系统Arm Mbed™OS中，为开发人员提供了高级的蓝牙连接。Packetcraft低功耗蓝牙协议栈解决方案和Mbed OS将在于圣何塞会议中心举行的Arm TechCon 2019上进行几场演示的蓝牙连接。 Packetcraft的蓝牙低功耗软件解决方案包含以下协议栈： 具有蓝牙5.1合格链路层和IEEE 802.15.4 MAC的多协议控制器； 蓝牙5.1合格主机堆栈和BLE的GATT配置文件； 符合蓝牙1.0标准的网状配置文件和模型； 除了Packetcraft的开源软件之外，Packetcraft还为企业客户提供商业服务。Packetcraft的Early Access服务通过访问私有的个人专用存储库，为公司提供了实现最新的先进蓝牙功能的软件。 Packetcraft的创始人兼首席执行官John Yi表示：“Packetcraft很高兴提供认证测试并且最新规范开源蓝牙协议栈。我们将提供具有高质量和许可灵活性的BLE软件解决方案。” Arm物联网服务事业部产品和运营副总裁Chris Porthouse表示：“连接性是任何物联网部署的核心，设备制造商需要物联网操作系统，以提供支持多种标准的灵活性，Packetcraft BLE软件与Mbed OS的集成为我们的开发人员生态系统提供了开源的高级蓝牙连接支持，可用于简化IoT用例中的IoT产品部署。”

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发布时间: 2019-10-21

45. 常州欣盛微15000颗COF芯片正式量产下线

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近日，15000颗COF芯片在常州欣盛微结构电子有限公司临时厂区内正式量产下线，标志着我国显示屏全产业链里唯一的缺口已被填补，常州欣盛也成为国内唯一一家集载带生产、芯片设计、芯片封装测试技术于一体的企业。 目前，该公司已经与惠科、京东方、华星光电、中电熊猫等几家主要液晶面板企业基本达成合作协议，下一步工作重点是增加设计团队，丰富芯片种类，扩大产能，进一步满足市场需求。 常州欣盛COF芯片载带项目总投资15亿美元，2016年9月公司注册成立，2017年6月厂区正式奠基开工建设，一期项目用地100亩，建设厂房75000平方米，15条COF载带产线，56条封装测试产线，目标每月生产10平方米COF载带，4500万颗COF芯片。

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发布时间: 2018-11-02

46. SILTECTRA报告了将冷分裂激光晶圆薄化技术技术应用于GaAs

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在旧金山举行的SEMICON West 2018年贸易展和会议（7月10日至12日）上，德国德累斯顿的晶圆技术公司SILTECTRA GmbH公布了其冷分裂激光晶圆薄化技术（COLD SPLIT )的新性能和拥有成本（CoO）优势技术。总的来说，这些优势旨在进一步促进功率半导体制造商的发展。 首席执行官Harald Binder博士说：“使用这些二极管，低电阻对于减少最终用户应用中的电气损耗至关重要。最终器件的厚度影响电阻，器件越薄，电阻越低。因此，减小厚度可以降低电阻并减少电损耗。这意味着，除了低成本/高速晶圆减薄外，COLD SPLIT还可能提高低压器件的电气性能。当我们与制造商合作帮助他们实现积极的路线图目标时，我们的发现甚至超过了他们最初的承诺，这是令人欣慰的。”

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发布时间: 2018-07-15

47. 通过曲面镜工艺实现绿色垂直腔面发射激光器

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日本索尼公司已将其弯曲镜面垂直腔面发射激光器（VCSEL）工艺扩展到了约515-518nm的绿色波长。在先前的工作中，索尼生产了具有曲面镜后反射器的低阈值445nm蓝色VCSEL。 曲面镜通过减少衍射效应而允许更长的腔体长度。相对于分布式布拉格反射器（DBR），为了进行热量管理，需要更长的长度以利用GaN更高的导热率。索尼的研究人员指出大部分带有显示器的设备会发出很宽的波长范围的光，但只有一小部分可见，这会浪费大量输入功率。他们在视网膜扫描显示器等应用中使用高方向性、低功耗的VCSEL来降低较低的损耗提供足够的功率。 绿色VCSEL的外延材料由在（20-21）n-GaN衬底上的金属有机化学气相沉积（MOCVD）III-N层组成。有源区由被GaN势垒层隔开的四个氮化铟镓（InGaN）量子阱组成。底部曲面镜的制作方法是，将晶片减薄，然后应用树脂盘加热以换为液滴，然后进行反应离子蚀刻。树脂滴充当蚀刻的牺牲掩模，从而形成透镜形的曲面。底部反射镜用14对Ta2O5 / SiO2完成。 最终将VCSEL切成小方块，并将p面朝上安装在5.6mm TO-CAN封装中，而没有安装底座。测试是在25°C的Peltier冷却器上使用VCSEL以连续波模式进行的。激光阈值电流为1.8mA，相当于14.4kA / cm2，墙上插头的效率小于0.1％。 初始发射峰在515.2nm处，当电流在5-6mA范围内时跃升至517.9nm。 2.7nm跃点表明有效腔长度为18.6μm。随着注入电流的增加，输出光变得更加偏振：1mA时为0.14，8mA时为0.93。偏振角相对于III族氮化物晶体结构是固定的并且在a方向（[-12-10]）。远场发射模式近似为高斯，半峰全宽（FWHM）发散度约为9°。

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发布时间: 2020-05-17

48. OIPT提供创纪录的综合'Lab to Fab'解决方案

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英国的等离子蚀刻和沉积处理系统制造商牛津仪器等离子技术公司（OIPT）正在庆祝提供创纪录数量的集成解决方案的一年，使客户能够快速商业化使用牛津仪器的'Lab to Fab'解决方案的半导体设备。 牛津仪器表示，它的许多客户正在将他们的研究转化为商用设备。成功的关键在于转移开发和试验设施所取得的成果，并且每个月都会在制造厂每天重复这些成果。OIPT认为，由于其研发工具的安装基础，它提供这种'Lab to Fab'解决方案是理想的选择。 OIPT的销售和营销总监Paul Davies说：“我们已经将600多种高科技工艺模块出货给领先的生产设施，并且随着光电，电力和其他领先市场需求的不断增长，我们的等离子工艺解决方案正在全球范围内得到应用，以实现出色的器件性能和产能”。

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发布时间: 2018-03-11

49. 美国限制对中国芯片商福建晋华集成电路的出口

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美国商务部10月29日宣布，特朗普政府基于国家安全考虑将对中国芯片制造商福建省晋华集成电路有限公司实施出口限制。 商务部称，晋华集成电路“参与违反美国国家安全利益的活动，构成了重大风险”。 彭博社引述美国商务部长威尔伯·罗斯声明说，“将晋华列入实体名单将限制其威胁我们军事系统中关键部件供应链的能力”。 因此，根据“出口管理条例”，对晋华所有商品、软件和技术的出口、再出口及转让都需要取得许可证。美国商务部表示，此类许可申请的评估将适用拒绝推定。 美国企业研究所中国问题专家德里克·西塞斯（Derek Scissors）指出，晋华是中国半导体行业的潜在全国冠军之一，并与其主要竞争对手美光科技存在争议。 他认为，虽然这个决定在短期内主要有利于美光，但特朗普政府的意图是从长远开创如何对待中国国有企业的先例。

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发布时间: 2018-11-02

50. 山东日照艾锐光芯片封装项目正式投产

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6月5日，山东日照市首个自主研发的通讯类芯片项目——日照艾锐光芯片封装项目在日照经济技术开发区正式投产，将对日照开发区乃至日照市加快5G产业发展、加速新基建布局起到重要推动作用。 日照艾锐光芯片封装项目总投资6000万元，目前主要生产光芯片、光组件器件及光模块。投产后年均营业收入预计2亿元。 日照艾锐光电科技有限公司是一家致力于生产5G通信产业激光器芯片及相关组件的创新型企业。公司以国际领先的啁啾控制技术为切入点，主攻高端激光器芯片的设计研发。为进一步优化产业链，公司把封装生产这一重要环节选定在日照开发区。 近年来，日照开发区专门设立数字经济产业园，以双创大街、双创大厦、智能制造产业园等一批创新平台为依托，加快发展数字经济、积极创建省级数字经济园区。目前已集聚艾锐光电、创泽智能机器人、云客传媒等新经济项目40余个，以新技术、新产业、新业态、新模式为主要内容的新动能正在快速积聚。 日照经济技术开发区工委委员、党群工作部部长 王磊：我们将以本次项目投产为契机，坚持按照“招推服一体化”工作机制，进一步强化5G通讯产业项目招引，加速产业集群膨胀和新基建的布局，为全区新旧动能转换和高质量发展打造重要的支撑。

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发布时间: 2020-06-18

51. 2020年进入主流方阵 武汉新芯计划培养专业人才

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前天，武汉集成电路技术及产业服务中心（简称“武汉ICC”）成立及启动仪式上，武汉新芯集成电路制造有限公司董事长王继增接受了记者的专访。这也是3月28日国家存储器基地在武汉光谷正式开工以来，王继增首次在公众场合亮相，该基地计划未来5年投资240亿美元。“记录生活点点滴滴，不用担心存储器不够用” 记者与王继增的对话，从武汉新芯的产品对民生的影响说起。“利用芯片叠加技术，制造多层的三维立体存储器，将是现在乃至未来的主流产品。”王继增表示，目前武汉新芯生产的产品，可以满足市民记录生活点点滴滴的大容量需求，随着技术走向成熟，价格也会越来越便宜，“人们再也不用担心存储器不够用，三维存储器数据读取速度也更快”。 根据全球最具权威的IT研究与顾问咨询公司高德纳（Gartner）的报告，2015年全球存储器销售额近 800亿美元，其中NANDFLASH为310亿美元，DRAM为450亿美元，这些都是平面存储器。3DNAND（三维存储器）从2016年启动，预估2018年将占存储器市场的49.4%，2019年占比62.2%。 “武汉新芯平台很好，5年需万名工程师” 国家存储器基地，以武汉新芯为基础建设。而现在，武汉新芯的员工总数才1300余人，其中还有不少技术工人。“未来几乎不用技术工人，因为采取全部自动化生产。”在武汉ICC成立大会上，王继增多次提到人才短缺。“到2020年武汉新芯将实现月产30万片的产能，产值可达100亿元，但相应要增加1万名工程师，今年就需要1000名工程师。” 芯片研发主要在海外，武汉新芯已经启动在海外多国成立研发中心或分公司，就近招聘海外高技术人才。“武汉新芯平台很好，已经进入国家战略”，带着这个信心，王继增在武汉、北京、上海、深圳乃至前往美国硅谷，多次举行招聘会。 为长期培养急需人才，武汉新芯参与华科大筹建国际微电子学院，下一步还准备与北大、清华等高校合作，培养专业人才。 “到2030年，世界第二是可以实现的” 武汉新芯的新产品32层12英寸晶圆，将在今年8月完成测试，而后进入小批量生产，再进入量产。“我得到的消息是，三星不仅完成了32层产品的量产，还开发出48层的产品。”王继增表示，三星的产品占到全球四成以上，武汉新芯有信心全力追赶芯片制造世界第一方阵。“位列世界第一方阵的是包括三星在内的4家公司，我们预计2020年产量达到30万片，进入主流方阵，与国际大公司平起平坐。2020年到2030年，不说世界第一，世界第二是可以实现的。”王继增说，但要实现这一点，还需要芯片产业链的配套完善，除人才输送，还有芯片设计、芯片测试等全产业链的配套，这需要一段时间。 武汉ICC成立 系全国第10家 前天，在光谷资本大厦，武汉集成电路技术及产业服务中心（武汉ICC）成立。这是继北京、上海、广州、深圳、成都、西安、杭州、无锡、济南之后，成立的第10家集成电路技术及产业服务中心。 该中心由设在华科大的武汉国家光电实验室、武汉光电工业研究院组建。中心主任、相关人才计划缪向水表示，该中心旨在协助国家存储器基地建设的同时，做大上下游产业链，为集成电路产业设计、封装、测试、市场转化等提供配套服务。

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发布时间: 2016-05-19

52. ISRA VISION推出EdgeScan晶圆边缘检测系统

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德国的ISRA VISION推出了一种检测系统，可以在整个制造过程中监控晶圆边缘，这既可以提高产量又可以降低成本，因为该系统可以防止有缺陷材料的加工。 EdgeScan系统兼容了所有常用工艺工具，传感器可以选择性地集成在现有的工艺工具中，因此在每个生产步骤中都可以使用，适用于各种类型的晶圆。此外，其连接和结果输出都符合SEMI标准。传感器单元可以单独的方式部署，在预调整期间，线扫描相机从三个侧面同时检查晶片的边缘。多视图技术利用棱镜将图像偏转45°并创建三个视图，即使在几秒钟的循环时间内也可以360°查看组件。 ISRA表示，ISRA的解决方案弥补了传统自动光学检测系统视野有限的不足，EdgeScan可实现整个生产过程中监控边缘，进行全面检查。

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发布时间: 2018-12-16

53. 中外科学家实现量子纠错“完美编码”

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据科技日报报道，中国科学技术大学潘建伟、朱晓波、陈宇翱团队，清华大学马雄峰团队，以及牛津大学等机构的科学家们用超导量子比特，对五量子比特纠错码进行了实验探索，在超导量子系统上验证了用超导量子比特实现量子纠错码的可行性。研究成果日前发表于《国家科学评论》上。 　　要实现通用容错的量子计算，关键在于量子纠错。量子纠错中，一个重要的里程碑是实现优于简单的物理量子比特的逻辑量子比特的纠错。在未来10年，实现通用量子纠错码仍然是最大的挑战和难题。 　　研究人员首先对超导量子比特进行专门的实验优化，实现了100多个量子门。用于实现五量子比特纠错码的设备是一个12比特超导量子处理器。在这12个量子比特中，研究人员选择了5个相邻的量子比特来进行实验，这些量子比特是通过电容耦合到它们最近的比特的。经过仔细校正和对门参数的优化，实现单比特门的平均保真度为0.9993，两比特门的平均保真度为0.986。仅通过使用单量子比特旋转门和两量子比特受控相位门，研究人员实现了对逻辑态进行编码和解码。 　　在此基础上，研究人员在理论上编译和优化了编码过程，使最邻近受控相位门的数量减少到8个，最终实现了功能齐全的五比特纠错码的基本组成部分，其中包括将通用逻辑量子比特编码为纠错码。随后，研究人员对纠错码的关键特征进行了验证，包括识别任意单比特错误、逻辑态的逻辑门操作等，从而实现所谓“完美编码”。

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发布时间: 2021-04-07

54. 日本再次批准对韩国三星电子出口半导体工业材料

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据新华社8月20日综合多家媒体报道，日本政府再次批准对韩国出口一批半导体工业材料。 韩联社8月19日以不愿公开姓名的韩国政府和行业人士为消息源报道，日本政府批准一家日本制造商向韩国三星电子有限公司出口光刻胶，出口量是三星电子大约6个月的使用量。 截至8月19日，日本政府和三星电子没有回应这一报道。 这是日方7月对韩方采取出口管制后第二次批准出口光刻胶。日本政府本月8日说，已经发放日企出口的个别许可；共同社当时以消息人士为来源报道，许可所涉出口产品是光刻胶。 一名行业人士19日告诉韩联社记者，日方再次批准出口光刻胶是“好消息”，但没有打消韩方忧虑，因为日方迄今没有批准对韩方出口另外两种半导体工业材料。 韩国总统府青瓦台一名官员20日向路透社证实日方批准出口的消息，同时说“不确定性”将持续，直至日方彻底撤销出口管制。 另一名韩国政府高级官员告诉路透社记者，日方再次批准对韩出口管制产品，对韩方相关行业“有利”，但“我不认为日方举动是对韩方发出和解信号”。 日本政府7月初把包括光刻胶在内的3种关键半导体工业原材料列入对韩出口管制对象；本月2日在内阁会议上正式决定，把韩国排除出可获得贸易便利国家的“白色清单”。 韩国认定，日方不满韩国法院裁决日本企业赔偿第二次世界大战期间遭强征的韩国劳工，因而以贸易手段“报复”韩方。韩方准备就日方出口管制向世界贸易组织提起诉讼，12日宣布将日本排除出韩国贸易“白色清单”。 韩国外交部长官康京和与日本外务大臣河野太郎定于21日在北京参加第九次中日韩外长会。康京和与河野打算举行双边会晤。康京和20日启程赴会，在机场告诉媒体记者：“我们将积极阐明我方立场，但当前（的局面）非常严峻，赴会前心情沉重。” 韩国方面先前多次敦促日本政府尽早撤销出口管制，说这一做法最终将“没有赢家”。

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发布时间: 2019-08-26

55. EPC推出新的ePower Stage IC系列中的第一款产品

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美国的高效功率转换公司（EPC）推出为48V DC-DC转换设计的80V、12.5A功率级集成电路，用于高密度计算应用和电动汽车的电机驱动器。 EPC2152是单芯片驱动器加氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），采用EPC专有GaN IC技术的半桥功率级。在单片芯片中集成输入逻辑接口、电平转换、自举充电和栅极驱动缓冲电路以及配置为半桥的输出氮化镓场效应晶体管。这样就形成了芯片级LGA封装、外形尺寸仅为3.9mm x 2.6mm x 0.63mm。 当在48V至12V降压转换器中以1MHz的开关频率工作时，EPC2152 ePower Stage IC的峰值效率超过96％，该解决方案在印刷电路板（PCB）上的尺寸比同等多的产品小33％。EPC2152是将以芯片级封装（CSP）以及多芯片四方扁平模块（QFM）提供的广泛集成功率级IC系列中的第一款产品。一年之内，该系列产品将能够在高达3-5MHz的高频范围内工作，并且每个功率级的电流从15A到30A不等。 EPC表示，该系列产品使设计人员可以轻松发挥GaN技术的优势。单个芯片中的集成设备更易于设计、布局、组装，节省了PCB上的空间并提高了效率。 EPC90120是一块半桥开发板，其最高器件电压是80 V、最大输出电流为12. 5 A，内含 ePower功率级集成电路（EPC2152）。该板的尺寸为两英寸乘两英寸（50.8 毫米乘50.8 毫米），可实现最优开关性能，并包所有关键组件，让工程师容易对EPC2152 进行评估。

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发布时间: 2020-03-18

56. CIG首次展示用于数据中心互连市场的200G FR4光模块，此模块满足Open Eye MSA规范

Lightfeng

在中国深圳举办的中国国际光电博览会（CIOE 2019）上，上海剑桥科技（CIG）在现场演示首个200G FR4光学模块，该模块完全符合Open Eye MSA规范，并和众多厂家的产品包括基于DSP的200G模块互通。 剑桥科技董事长黄钢先生评论道：“除了基于DSP的模块之外，我们全新200G FR4模块基于模拟 CDR技术， 它再次证明了CIG对业界的承诺：提供低成本，低功耗的技术。CIG是世界上第一个将把这一技术提供给数据通讯市场的公司，CIG也具有的大规模、高质量的自动化生产能力，使得我们能够满足数据通讯市场的需求。” 200G FR4 模块采用了先进50Gbps PAM-4的技术和模拟时钟数据恢复（CDR）芯片，和传统的基于DSP方案的200G模块相比，此模块的功耗更低，成本更低，时延也更小。低时延在众多应用中极为重要，比如实时应用，或高频率的股市交易等，这些应用要求达到非常小的数据传输时延来保证性能。 CIG正在将其在25Gbps、100Gbps、400Gbps产品的光模块设计和制造方面的知识经验应用到200Gbps单模QSFP光模块中。该产品处于早期抽样阶段，预计将于2020年初全面上市。

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发布时间: 2019-09-08

57. 克服基于云的物联网(IoT)配置挑战

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在当今物联网市场，由于现有的工作人员有限和可能借鉴的先前专知微乎其微，没有可行的方案可同时兼顾连接节点的有效性和系统如何与云接口，物联网实施对工程团队构成极大挑战。通过物联网开发套件（IDK），安森美半导体现在能够提供给工程界一个可配置的平台，兼顾前述的不同方面。 它给工程师一个真正的可即用的开发资源，结合先进的集成电路技术与精密的软件框架，以显着帮助“设备到云”的物联网部署。因此，它可以加快原型和缩短上市进程。 在IDK平台的中心是一个32位的基于ARM® Cortex® M3的系统单芯片（SOC），内置于主板。一系列子卡可以与此接口。这些各有不同的相关功能，负责众多不同的互联（基于802.15.4 MAC的无线电支持ZigBee和Thread，以及Wi-Fi、美国和欧盟Sigfox、CAN、以太网等）、感测（运动、环境光、距离、心率等）和驱动（电机和LED驱动）功能。 IDK还提供行业标准的云互联协议，如消息队列遥测传输（MQTT）、具象状态传输（REST）和超文本传输协议（HTTP）。虽然Carriots是IDK默认的云，但所有这些协议支持应用开发人员接口广泛应用的物联网云服务提供商以配置基础设施即服务（IaaS）、平台即服务（PaaS）或软件即服务（SaaS）。 该硬件配以一个全面的集成开发环境（IDE），它具有一个C++编译器、调试器、代码编辑器和应用相关的库。可以通过这个平台服务于很多的应用领域，有智能计量、家庭/建筑/工厂自动化、环境数据记录、病人监控、过程控制、占用检测、个人穿戴式报警、能源管理、运动控制、资产跟踪等。得益于IDK网页直观的产品推荐工具，工程师可以找到最适合他们各自设计对象的扩展板。他们还可以访问许多应用实例-从非常简单的功能开始，以帮助他们获得信心，然后再进行更具挑战性的活动。

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发布时间: 2017-11-20

58. 硅锗薄虚拟衬底上的砷化镓光电探测器

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总部位于阿拉伯联合酋长国的研究人员已使用硅上锗模板生产砷化镓（GaAs）金属-半导体-金属（MSM）光电探测器。还希望将III-V材料单片集成到硅片上，以降低成本，并提高产量和产量，并进一步与主流的互补金属氧化物半导体（CMOS）电子器件和硅光子学平台结合使用。 不匹配的晶格和热膨胀参数会阻碍III-V材料在硅上的沉积。在他们的工作中，研究人员使用的锗层比通常用于桥接硅和III-V半导体的?10μm渐变硅锗层薄得多。 硅锗模板或“虚拟衬底”由在（100）硅上的700nm射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）层组成。GaAs来自金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺，涉及叔丁基ter（TBA）和三甲基镓（TMGa）前驱体。 在GaAs沉积之前，将Ge表面分别在400℃和700℃下烘烤5分钟和10分钟。这些热处理的目的是在不引入反相边界（APB），位错和堆垛层错的情况下实现从非极性Ge到极性GaAs的转变。研究人员将这种处理方法描述为“在开始沉积GaAs之前，增加双原子步骤的密度，吸附Ge原生氧化物并提高表面质量的重要步骤。” GaAs分两步沉积：在500°C下持续5分钟，形成种子层，然后在550°C进行其余的生长。器件层是未掺杂的，旨在实现固有的导电性能，以实现低压操作。实际上，锗在GaAs层中的相互扩散会引入陷阱态并扩展缺陷，从而以5x1017 / cm2的空穴浓度提供p型导电，从而导致约200mΩ/平方的薄层电阻。 清洁GaAs表面并进行氧等离子体处理，然后用1-2nm溅射氧化铝（Al2O3）钝化，该钝化目标是与高质量的肖特基接触。蒸发的铬（Cr）和金（Au）用作MSM光电探测器的金属触点。

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发布时间: 2019-12-29

59. 欧盟拟投80亿欧元发展下一代超级计算技术

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据欧盟委员会官网近日报道，欧盟委员会对“欧洲高性能计算共同计划”进行了升级，拟投资80亿欧元，发展下一代超级计算技术——主要是百亿亿次超级计算机以及量子计算机的研制工作，以加强欧洲数字主权，维持欧洲在超级计算以及量子计算领域的主导地位，让欧洲多领域受益，从而促进欧洲经济的恢复和发展。 新计划将在两方面推动欧洲在下一个超级计算领域保持领先地位：建造每秒能执行百亿亿次（10的18次方）浮点运算的超级计算机；研制出高性能的量子计算机以及结合了量子计算和经典计算的混合计算机，从而执行当前超级计算机无法执行的操作。“地平线欧洲”计划、“数字欧洲”计划和“连接欧洲设施”计划都将为其提供支持。 新方案已获欧盟理事会通过，于2021年开始，准备工作正在进行中，欧盟已挑选出20个项目来开发创新的高性能计算应用和服务。 欧盟委员会称，超级计算目前已被确定为欧洲的战略投资重点，它将支撑从大数据分析、人工智能到云技术和网络安全在内的整个数字战略的构建和发展。此外，在同时通过的一项建议书中，欧盟委员会呼吁会员国加快建立超高速网络连接，并携手推进5G技术。 欧洲数字时代组织执行副总裁玛格莉特·维斯塔格表示：“高性能计算是欧洲必不可少的数字能力。在应对新冠肺炎期间，超级计算机在协助寻找疗法、识别和预测感染传播以及制定抑制病毒的决策等方面发挥了重要作用。而且，大数据与人工智能和超级计算机结合，也能在探测生态系统模式、减缓气候变化方面大显身手，促进欧洲实现‘绿色欧洲协议’。新投资还有助改善我们的生活质量，增强工业竞争力并促进科学发展。” “欧洲高性能计算共同计划”于2018年成立，旨在投资10亿欧元，建立一个由世界级高性能计算和数据基础设施支撑的欧洲高性能计算以及大数据系统，该计划将从2019年至2026年实施。自该计划启动以来，已经大幅增加了对高性能计算的投资，仅2019—2020年期间，该项目的公共投资就将达到约11亿欧元。 欧盟计划借助这笔资金，到2021年初研制出3台十亿亿级系统，届时其将跻身全球前五名。这些新机器会将欧洲现有的计算能力提升8倍，也将扩大欧盟中公私用户对高性能计算的使用。

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发布时间: 2020-10-10

60. 硅基单片集成UV LED /光电探测器

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光电探测器以类似于光电晶体管的方式工作，在一对欧姆接触之间使用6μmx100μm的p-GaN光学栅极。30μmx100μmLED通过p-GaN阳极提供的空穴的复合产生光子，并从在AlGaN / GaN界面附近形成的二维电子气（2DEG）产生电子。在HEMT和HKUST光电探测器结构中，2DEG构成了可以通过外部手段控制其电阻的通道。 制造顺序为：制造用于LED阳极和光电探测器栅极的p-GaN图案；制造用于LED阴极和光电探测器AlGaN触点的钛/铝/镍/金欧姆接触沉积；氟离子注入隔离器件；用50nm等离子体增强化学气相沉积（PECVD）二氧化硅（SiO2）钝化；在LED p-GaN阳极上进行透明的镍/金欧姆接触沉积和退火；厚的镍/金接触垫沉积。 在5V偏压下，该光电检测器在商用LED照明下（功率为0.024mW / cm2、波长为365nm），暗电流为3.9x10-7mA/mm，光电流为0.43mA/mm。研究人员将光暗电流比为1.1x106描述为“出色”。低暗电流归因于AlGaN / GaN界面处2DEG的耗尽，尽管施加了5V偏压，但仍在p-GaN层下方形成了高电阻率沟道。 UV照明在栅极下方创建了导电的2DEG通道。光电探测器的“超高”响应度为3.5x105A / W。 这些功能使光电探测器能够对芯片上小型LED光源的信号进行高灵敏度的光检测，即使其输出功率相对较低的也是如此。 LED具有约4.65V的高导通电压，由于横向进入区域的缘故，正向偏置下的电流注入往往会在约10V的高偏置下饱和。在10V下注入的电流为267A / cm2。LED的光谱峰值约为360nm波长，半峰全宽（FWHM）为7nm。 LED光电检测器组合在某种意义上以类似于晶体管的方式进行操作，其中LED偏置为栅极电势，光电检测器电流为沟道。在5V光电检测器偏置下，耦合效率（PD / LED电流比）为0.022，与已报道的其他器件相比非常好。 在使用Si MOSFET向LED注入电流的电路中测试了LED-PD系统的“频率响应”。对方波信号的响应的上升和下降时间分别为0.41s和0.36s。估计光电检测器的电阻电容延迟约为100ns，主要延迟因素似乎是AlGaN / GaN异质结构中的持久光电导效应。该团队计划优化p-GaN蚀刻步骤和钝化，以消除陷阱效应，从而提高响应速度。研究人员还建议，向光电检测器的p-GaN栅极增加偏压可能是获得更快响应的另一条途径。

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发布时间: 2021-03-14

61. IPC调研结果显示，行业前景表现积极并仍在继续改善，但因地区而异

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在2019年4月10日，发布了2019年第一季度IPC全球电子行业发展前景调研结果，从业绩数据可看出部分地区和行业细分市场发展比较冷清，但电子行业仍处于当前增长周期的顶峰。 报告称，全球167家相关公司在2018年第四季度的季度销售平均增长率为8.4％。他们对2019年第一季度销售增长的平均预测在全球范围内看涨9.8％。 在2018年最后三个季度小幅下滑之后，2019年第一季度全球商业环境的前景有所好转。大多数参与公司报告当前销售、订单、订单积压和利润率都向着积极的方向发展。增加劳动力和材料成本以及招聘挑战是对当前状态得分产生负面影响的主要因素。 2019年第一季度的好转推动了未来六个月发展。原因在于销售额、产量、全职员工数量、市场、资本投资和出口增长成就了未来六个月的前景。甚至对未来12个月的业务前景也有所推动，88％的受访公司表示前景乐观。 当前强劲的现状和6个月前景主要来源于美国公司和全球企业的业绩，亚洲和欧洲的当前状态为负。在行业细分市场中，尽管所有行业细分市场在2019年第一季度都显示出正态分数，但对于原始设备制造商来说，目前的状态得分最高，而对于材料供应商而言，这一得分最低。 受访者每季度都会对推动或限制其业务增长的条件发表评论。评论显示，部件短缺已经开始缓解，而合格工人的短缺是人们越来越担心的限制增长的主要因素。劳动力问题似乎是现在所有地区和行业中最受关注的问题，其次是关税和贸易中断。

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发布时间: 2019-04-14

62. 加入“IC国家队”！ 中国传感器与物联网产业联盟成为中国高端芯片联盟的首个分联盟

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2017年4月10日深圳，在第五届中国电子信息博览会（CITE 2017）同期举办的“中国高端芯片联盟第二次理事大会暨第二次会员大会”上，中国高端芯片联盟理事长丁文武宣布，中国传感器与物联网产业联盟正式成为中国高端芯片联盟（CHICA）的首个分联盟，中国传感器与物联网产业联盟理事长王曦院士致辞并发言。作为分联盟，中国传感器与物联网产业联盟将在高端芯片联盟的领导下，继续致力于加快传感器、信息物理系统（CPS）等核心技术研发，推进以传感器驱动的物联网产业生态圈建设，服务中国智能制造2025规划，推动物联网产业的各项智能化规模应用的发展。 中国传感器与物联网产业联盟（SIA）在工信部指导和支持下于2016年正式成立，是中国传感器与物联网领域首个国家级产业联盟。经过一年多的发展，联盟会员规模达到300家，会员覆盖了传感器及芯片设计、制造、封装测试、系统集成、行业应用、产业资本等产业链各个环节。联盟现秘书处单位为上海微技术工业研究院。 中国高端芯片联盟在国家主席习近平提议下，由国内高端芯片、基础软件、整机应用等产业链的27家重点骨干企业共同发起，于2016年7月在国家集成电路产业发展领导小组办公室的指导下成立。联盟围绕高端芯片领域，以建立产业生态为目标，以重点骨干企业为主体，整合各方资源，建立产、学、研、用深度融合的联盟，推进集成电路产业创新攻关，打造“架构-芯片-软件-整机-系统-信息服务”的产业生态体系。 传感器作为物联网数据采集的核心器件，在产业中扮演着重要角色。不仅本身具有巨大的经济效益，同时也关系到国家信息安全。 正式加入“IC国家队”后，中国传感器与物联网产业联盟将在各个层面对接高端芯片联盟， 积极推进中国传感器芯片及应用系统的创新驱动和生态链打造，共同推动中国芯片行业的发展，加速物联网产业的各项智能化规模应用。 图：中国传感器与物联网产业联盟理事长王曦院士致辞并发言 关于中国传感器与物联网产业联盟（SIA） 中国传感器与物联网产业联盟（SIA）由工信部指导和支持，通过联合联盟成员单位以及产业协会，发挥产学研合作和整体资源优势，加快传感器、工业智能、信息物理系统（CPS）等核心技术研发，加快我国物联网领域核心技术和关键产品的标准化。联盟以传感器和物联网产业为基础，带动我国高端制造与机器人、消费电子、汽车电子、生物医疗、智慧城市、智慧农业等产业的转型升级，推动我国十三五期间“中国制造2025”、互联网+等重要战略的实现。

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发布时间: 2017-11-20

63. Atom Power推出第二代数字断路器，集成SiC电源模块

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美国北卡罗来纳州夏洛特市的Atom Power公司发明了据称是第一款商用数字固态断路器，该公司推出了其第二代Atom开关，目前已被UL认证为UL 489I（固态断路器标准）。今年5月，1代原子开关首次被列入UL 489I。 下一代Atom Power的技术包含公司自己的专用碳化硅（SiC）功率模块，与第一代Atom交换机相比，性能提高了一倍。 据说，Atom Power是第一家在商用固态断路器中使用宽带隙（WBG）半导体的公司，也是唯一一家专门生产电路保护用SiC模块的公司。SWXFT100CPM和SWXFT50CPM碳化硅功率模块被UL认可为UL 1557。 第2代Atom交换机的创新包括：提高中断率；增加固件功能（包括新的内部自诊断和增强的维护功能）；显著缩短制造时间（组装速度比第1代快10倍）。 联合创始人兼首席技术官Denis Kouroussis表示：“随着第一代Atom开关的问世，我们推出了市场上第一款完全通过软件和固态半导体控制电力流动的断路器。现在，通过整合我们自己设计和制造的半导体功率模块，我们将技术提升到了一个新的水平。凭借增强的性能能力和更快的组装时间，我们的第2代断路器比以往任何时候都更容易接近，并进一步推动了我们革命性的电源管理使命。” 首席执行官Ryan Kennedy表示：“我们的愿景是彻底改变配电方式，以满足现代能源需求，并实现能源第一次快速、安全和智能控制的未来。2代断路器标志着一个新的里程碑，它实现了这一愿景，使更多的人能够更容易地获得和实现智能电力。”

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发布时间: 2019-12-29

64. 长江存储推出128层QLC闪存，单颗容量达1.33Tb

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2020年4月13日，中国武汉，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），以满足不同应用场景的需求。 长江存储市场与销售高级副总裁龚翊（Grace）表示：“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝聚，也是全球产业链上下游通力协作的成果。随着Xtacking® 2.0时代的到来，长江存储有决心，有实力，有能力开创一个崭新的商业生态，让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势，达到互利共赢。” Xtacking® 2.0 进一步释放闪存潜能 得益于Xtacking® 架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现，上市之后广受好评。 在长江存储128层系列产品中，Xtacking®已全面升级至2.0，进一步释放3D NAND闪存潜能。在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的数据传输速率，为当前业界最高。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程，同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking®2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性。未来，长江存储将与合作伙伴携手，构建定制化NAND商业生态，共同推动产业繁荣发展。 长江存储通过对技术创新的持续投入，已成功研发128层两款产品，并确立了在存储行业的技术创新领导力。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量，长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking®架构的前瞻性和成熟度，为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径。龚翊（Grace）强调：“我们相信，长江存储128层系列产品将会为合作伙伴带来更大的价值，具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC 版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。” X2-6070充分发挥QLC技术特点 QLC是继TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3,665亿个有效的电荷俘获型（Charge-Trap）存储单元 ，每个存储单元可存储4字位（bit）的数据，共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3,665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14,660亿“人”居住，是上一代64层单颗芯片容量的5.33倍。 闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节（Byte）的成本，更适合作为大容量存储介质。随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。”Gregory同时表示：“与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在企业级领域， QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算，机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。”

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发布时间: 2020-04-16

65. IPC报告显示2019年9月份北美PCB销量持续增长

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2019年10月24日，IPC 国际电子工业联接协会发布《2019年9月份北美地区 PCB 行业调研统计报告》。报告显示，销售额和订单持续增长，订单出货比提高到1.04。 2019年9月北美PCB总出货量，与去年同期相比增长了3.8％。年初至今的销售额保持正增长，为7.0％。与上个月相比，9月出货量增长了10.2％。 9月份的PCB预订量，与去年同期相比增长12.2％。年初至今的订单增长达到3.0％。9月份的预订量比上月增长了2.5％。 IPC市场研究总监Sharon Starr表示：“由于9月份的销售额和订单均呈正增长，以及订单出货比增加，北美PCB行业的业务正在持续增长。自2017年中开始的增长周期已经持续了两年多，尽管近几个月的同比增长率一直不高，但最近两个月不断提高的订单出货比是个好消息。这表明在接下来的两个季度中，销售增长可能会出现缓慢，但大部分为正的增长。” 解释数据 订单出货比，是用参与 IPC 调研项目的样本公司在过去三个月的订单量除以同期的销售量，得到的比率。比率超过 1.00，表示当前需求超过供给，预示着在接下来的三到十二个月，销售将向增长的态势发展。 比率小于 1.00，则表示当前的供给量大于需求量。 同比增长率和年初至今的增长率，对于探究行业的发展趋势具有指导意义。环比数据因其受周期性和短期性变动因素的影响，需要谨慎对待。与出货数据相比，订单数据变动更大， 月与月之间订单出货比的改变，也就不那么重要，除非出现连续 3 个月以上的明显变化趋势。探究订单和出货的变化原因与了解订单出货比的变化同样重要。

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发布时间: 2019-10-27

66. KLA-Tencor 为领先的集成电路技术推出晶圆全面检测与检查系列产品

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在美国西部半导体展览会前，KLA-Tencor 公司（纳斯达克股票代码：KLAC）为前沿集成电路制造推出了六套先进的缺陷检测与检查系统：3900 系列（以前称为第 5 代）和 2930 系列宽波段等离子光学检测仪、Puma™ 9980 激光扫描检测仪、CIRCL™5 全表面检测套件、Surfscan® SP5XP 无图案晶圆缺陷检测仪和 eDR7280™ 电子束检查和分类工具。这些系统采用一系列创新技术形成一套全面的晶圆检测解决方案，使集成电路制造的所有阶段——从早期工艺研发到生产工艺监控——都能实现良率关键缺陷的发现与控制。 KLA-Tencor 晶圆检测事业部执行副总裁 Mike Kirk 表示：“与我们的客户及早协作加强了我们对未来工艺节点检测要求的理解，并且让我们能够准确调整研发与工程设计工作的方向，推出帮助客户解决关键良率问题的检测系统和解决方案。例如，3900 系列宽频等离子检测仪不仅具备引人瞩目的检测性能—— 10 纳米以下缺陷的光学侦测——而且还能协助我们的客户对其最复杂的芯片设计进行工艺调试。我们新的晶圆检测系列产品中的所有系统集成了支持先进缺陷发现与监控的多种创新技术，使我们的客户能够开发并改善他们的前沿器件。” 发现缺陷 3900 系列、2930 系列和 eDR7280 将缺陷检测、设计及检查信息融为一体，形成一套缺陷发现解决方案，通过对关键缺陷的侦测与分析，促进了工艺和良率改善。这套解决方案可帮助集成电路制造商应对先进设计节点的挑战，例如与图案增殖及工艺系统缺陷相关的工艺窗口检测和良率损失。 革命性的 3900 系列宽波段等离子光学检测仪采用新型超分辨率深紫外线 (SR-DUV) 波长范围和光刻机级别的机台精准性产生卓越的光学分辨率，经证实能够侦测 10 纳米以下缺陷。2930 系列宽波段等离子光学检测仪采用 DUV/UV 波段，可以作为对于3900 系列波长范围的补充，确保在所有工艺层上的良率相关缺陷侦测均能达到最佳对比度。两款宽波段等离子光学检测仪可在大约 1 小时内提供完整的晶圆检测，允许采集晶圆级和批次级缺陷数据，藉此全面理解和迅速调试复杂的工艺问题。 在 3900 系列和 2930 系列两套系统上，均借鉴了通过 pin•point™ 和 super•cell™ 获得的设计信息——在关键特性（包括与设计弱点相关的那些特性）方面改善对于良率限制缺陷的灵敏度，以及减少与诸如测试图案等非关键特性相关之杂讯的专利技术。eDR7280 电子束检查系统具备增强型影像记录和自动缺陷分类能力，能够精确表述由宽波段等离子检测仪侦测出的缺陷群，从而大幅度缩短缺陷发现所需的时间。 缺陷监控 Puma 9980、CIRCL5 和 Surfscan SP5XP 能够及早识别各种生产线、工艺及设备监控应用上的良率偏离，帮助芯片制造商加快产能提升，并最大限度地改善前沿器件技术的良率。Puma 9980 激光扫描检测仪增强了缺陷类型的检测能力，支持先进成图工艺整个生产线前端和后端在良率提升阶段的的高产能监控。Puma 9980 的新型 NanoPoint™ 设计可改善缺陷灵敏度，抑制系统杂讯缺陷，并增加检测结果的良率相关性。 CIRCL5 包括使用并行数据采集进行快速且具有成本效益监控的可配置模块：8920i 正面检测模块，CV350i 边缘检测、检查与量测模块，BDR300 背面检测与检查模块，以及自动缺陷检查与量测模块。通过关联所有晶圆表面的检测结果，例如边缘剥落缺陷与正面颗粒缺陷之间相关联，CIRCL5 能够实现对工艺偏离来源的迅速识别。 Surfscan SP5XP 无图案晶圆缺陷检测仪采用扩展型 DUV 技术和创新算法创造出新型操作模式，对于以具有成本效益的方式及早侦测出相关随机基板或薄膜缺陷与偏离至关重要。一种模式为先进的进程调试应用提供了业界领先的灵敏度，而另一种模式则在 Surfscan 平台上为生产工艺监控提供了迄今最高的产能。 世界各地的集成电路制造商已安装了多款 3900 系列、2930 系列、Puma 9980、CIRCL5、Surfscan SP5XP 和 eDR7280 系统，用于在先进技术节点进行逻辑电路和存储器件的研发与产能提升。2930 系列、Puma 9980、CIRCL5、Surfscan SP5XP 和 eDR7280 可以在其前代产品进行现场升级，提供了保护晶圆厂资本投资的可扩展能力。为了保持集成电路制造所要求的高性能和高产能，所有六套系统均由 KLA-Tencor 的全球综合网络提供服务与支持。如需更多信息，请浏览先进晶圆检测系列产品网页。 关于 KLA-Tencor： KLA-Tencor 公司是工艺控制与良率管理解决方案的领先提供商，它与全球客户合作，开发先进的检测与量测技术。这些技术为半导体、发光二极管 (LED) 及其他相关纳米电子产业提供服务。公司拥有广泛的业界标准产品系列及世界一流的工程师与科学家团队，四十年来为客户努力打造优秀的解决方案。KLA-Tencor 的总部设在美国加利福尼亚州米尔皮塔斯 (Milpitas)，并在全球各地设有专属的客户运营与服务中心。如需更多信息，请访问网站 www.kla-tencor.com (KLAC-P)。

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发布时间: 2016-08-16

67. 英特尔7nm工艺芯片再次推迟发布

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英特尔近日称超高速芯片的研发进度落后，未来几代CPU将采用的7纳米芯片技术的进度再次推迟，目前这项技术的进度较内部目标落后大约12个月。 英特尔的“Ponte Vecchio”数据中心图形芯片意在与英伟达相竞争，但要到2021年末或2022年初才会发布，可能采用外部芯片工厂。英特尔用于个人电脑的首款7纳米芯片要到2022年末或2023年初才会面世。首款7纳米数据中心处理器芯片要到2023年上半年才能发货。 英特尔在突破14nm技术后，10nm进展缓慢，直到近期才突破，首款10nm桌面芯片要到2021年才能发布。而竞争对手AMD、英伟达等早已借助台积电的7nm技术，实现了追赶或赶超，三星也已进入到5nm时代。 台积电更是把业界最先进的晶圆制造工艺推进到了5nm，3nm、2nm也在稳步推进中。 因晶圆制造工艺的步步落后，英特尔已经失去了领衔先机，随着7nm工艺的再度推迟，英特尔未来面对的不利局势可想而知。 此前因10nm工艺的数度推迟，已导致英特尔从全球最大市值半导体公司步步跌落，先后被三星、台积电、英伟达赶超；随着未来在工艺领域的继续落后，英特尔仍将面临更多的挑战。 近日有消息传言称，为扭转工艺落后的不利局面，英特尔可能会选择寻求代工之路。 另外，全球主要晶圆制造企业中，格罗方德已经放弃了7nm及以下制程工艺的研发；联电也不再就12nm及以下先进制程展开追逐。 目前仍对先进制程工艺发起冲击的，除了台积电、三星，就仅剩中芯国际和英特尔，其中又数中国大陆的中芯国际技术暂时落后于其他几家公司。 晶圆制造行业技术瓶颈日益凸显，也昭示了摩尔定律正在加速失效。

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发布时间: 2020-07-26

68. 南京出台多项政策打造集成电路产业基地

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2020年，南京将实现集成电路产业销售收入500亿元，成为全国集成电路重点城市。记者从市经信委了解到，市政府即将出台《关于加快推进集成电路产业发展的意见》和《关于加快推进集成电路产业发展的若干政策》，将集成电路产业作为全市重点打造的战略性新兴产业，引进重大项目，形成全产业链布局，形成全国具有重要影响力的集成电路产业基地，研发能力达到国际领先水平。 发展目标：年增60%，实现南京集成电路产业“跨越式发展” 集成电路，英文缩写为IC，是指把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等以及这些原件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的、具有特定功能的电路。人们常说的“芯片”就是集成电路。集成电路产业是支撑经济社会发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。 我国拥有全球规模最大的集成电路市场，但相关产业也是中国大陆的“弱项”。据统计，芯片目前已经超越石油，成为大陆第一大进口商品。因此，国务院和江苏省相继出台了《国家集成电路产业发展推进纲要》和《省政府关于加快全省集成电路产业发展的意见》，提出加快追赶和超越的步伐，努力实现“跨越式发展”。 市经信委相关负责人告诉记者，“跨越式发展”，也是我市加快推进集成电路产业发展的关键词。市政府即将出台的《意见》提出，到2020年，我市集成电路产业规模将达500亿元，年均增幅60%以上。足见我市发展集成电路产业的强大决心和宏大气魄。 实现高标准发展目标，我市有充足的底气。南京是全国重要的科教中心城市、全国首家 “中国软件名城”和国内重要的电子产业基地。全市电子信息制造业规模在全国15个副省级城市位居第四，软件信息服务业主营收入全国城市位居第四。南京电子信息产业规模和水平均处于国内前列，为下一步加快集成电路产业发展奠定了良好的产业基础。 同时，南京具有优势突出的科教人才优势，每万人在校大学生数量全国第一、每万人在校研究生数量全国第二、“两院”院士人数全国城市第三、“相关人才计划”人数全国第三。在集成电路人才培养方面，东南大学、南京大学、南京理工大学、南京邮电大学等高等院校每年培养大批相关专业毕业生，东南大学是教育部和科技部联合批准的国家集成电路人才培养基地；在集成电路科研方面，南京拥有东南大学国家专用集成电路研究中心、南京大学微机构国家实验室、南京大学微电子设计研究所、东南大学射频与光电集成电路研究所等一批国内技术领先研发机构。南京深厚的人才科技优势是实现集成电路快速发展的重要支撑。 近年来，我市积极抢抓集成电路产业新一轮发展机遇，明确将集成电路产业作为全市“十三五”期间重点打造的战略性新兴产业。省政府《关于加快全省集成电路产业发展的意见》中，也明确提出在“十三五”期间，将加快以南京等市为中心的沿江集成电路产业带建设。 “跨越式发展”不仅意味着规模的快速扩张，还意味着在产业链建设上实现重点突破。我市提出，未来5年通过重大项目的引入，在集成电路制造、设计等关键环节上形成突破，使南京成为拥有国际领先水平芯片制造生产线和达到国际领先水平设计研发能力的集成电路重点城市。 日前，江北新区已被正式列为省级集成电路产业发展基地。在空间布局上，江北新区将是南京加快集成电路产业发展的主要载体，目前正在积极引进一批国际龙头型旗舰型重大集成电路项目。为形成良好的产业生态环境，我市将在产业链上下游协同合作、技术创新体系建设、人才培养体系建设、金融资本和产业对接等方面实现重点企业、高等院校、金融机构、产业基地之间协同融合，走协同发展之路。 产业政策：突出扶持重大项目、发挥产业基金引导作用 提升技术研发能力、优化空间布局、突破产业链关键环节、加大人才培养力度、推广应用安全可靠产品……实现集成电路产业“跨越式发展”，必须具备强有力的保障措施。 据悉，我市除将成立由市政府主要领导任组长的南京市集成电路产业发展领导小组，以及由专家组成的市集成电路咨询委员会，以加强组织领导外，还将从突出对重大项目的扶持、发挥产业基金引导作用、强化人才引进服务、优化产业发展环境等几个方面入手，力推南京进入全国集成电路重点城市第一方阵。 百亿元以上芯片项目将获专项资金重点支持 市经信委相关负责人介绍，我市将设立集成电路专项资金，提供诸多方面支持，主要包括： 对12英寸、线宽28纳米及以下、投资规模百亿元以上集成电路芯片生产项目给予重点支持，同时针对芯片生产项目引进的设计研发、封装测试、设备和材料等产业链配套项目给予相应支持； 支持我市整机企业首购首用重点发展领域的本地集成电路设计企业自主开发的芯片； 对符合我市集成电路产业布局要求，并经市级认定的提供相应服务的公共服务平台，按照为各类中小企业提供实际服务的成效给予扶助； 另外，国家规划布局内的集成电路设计企业，年度营业收入实现突破的，将奖励核心团队。 设立产业基金，重点支持产业链关键环节项目 2014年，我国设立规模高达1200亿人民币的集成电路产业投资基金，在国内外产业界引起强烈反响。一年多来，这支被业内称为“大基金”的力量有力支持了清华紫光、中芯国际、长电科技等中国集成电路企业的发展，起到了良好的产业推动效果。 市经信委相关负责人告诉记者，我市也将建立相关产业基金，重点支持产业链关键环节投资项目建设、重点产业基地公共服务平台建设、重点企业兼并重组和重点产品产能水平提升，并积极承接国家和江苏省相关产业投资基金，配套支持我市重大集成电路产业项目。 鼓励集成电路企业上市挂牌、并购重组 集成电路企业发展离不开投融资的支持。为此，我市将鼓励各类金融机构加大信贷支持力度。支持商业银行加大并购贷款服务力度，推动集成电路企业并购重组。支持融资性担保机构和融资租赁公司发展，为中小集成电路企业提供担保及租赁服务。 同时，鼓励集成电路企业改制上市，支持集成电路企业充分利用主板、中小板、创业板等多层次资本市场上市融资发展。企业上市后，分别并按上市挂牌进程分阶段给予支持。 高层次集成电路人才优先申报“相关人才计划” 人才，尤其是领军型人才，将是集成电路产业决胜的关键。南京要实现“跨越式发展”，离不开人才的引进和培养。 为此，我市将出台政策，每年评选全市集成电路产业领域杰出贡献人才并给予奖励。优先支持集成电路高层次人才申报国家“相关人才计划”、“相关人才计划”、省“双创计划”等，在“创业南京”人才计划申报中设立集成电路专项，引导重点区域引进培育集成电路创业人才。 我市还将建立集成电路高层次人才认定标准，经认定的集成电路高层次人才（团队）可获得政府扶助，并在子女就学、配偶就业、人才公寓、社保户口、出入境等方面享受便利。 企业申请专利及购买知识产权可获支持 为加强对集成电路相关知识产权的综合保护，我市知识产权局、工商局、版权局等相关部门将依法对相关专利、集成电路布图设计及集成电路产品、商业秘密、软件著作权等加强保护，并配合司法机关维护知识产权所有人的合法权益。而集成电路企业申请国内外专利，获得知识产权，以及集成电路设计企业购买IP（知识产权），将可获得政府支持。

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发布时间: 2016-03-02

69. 集成电路信息简报2024年第2期

李衍

本期围绕集成电路研究领域提供了近期的战略规划，如美国白宫发布《国家微电子研究战略》、美国白宫发布最新关键技术和新兴技术清单、美国DARPA推出“微电子系统增材制造”计划; 智库观点，如美智库视角下的中美量子技术工业基础和军事部署比较；研究前沿，如美国研究团队合作开发出新型高精度模拟芯片架构、美国NIST开发出将光转化为微波的紧凑型芯片；产业动态，如美国商务部将为格芯公司提供15亿美元资金、美国商务部将为英特尔公司提供85亿美元资金、三星公司成立AGI计算实验室并加入AI-RAN联盟、加拿大初创企业与日本半导体技术中心合作开发基于Chiplet的边缘2nm AI加速器。

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发布时间: 2024-04-10

70. 仲夏的太阳能电池板比传统的硅太阳能电池板环保十倍

Lightfeng

瑞典太阳能电池板的供应商仲夏表示在生命周期评估（LCA）报告里显示，其太阳能电池板比中国制造的硅基太阳能电池板少排放近90％的二氧化碳（CO2），而仅为欧洲煤电温室气体排放的1％。 仲夏灵活的CIGS太阳能电池板不包含任何重玻璃或铝成分，从而大大降低了材料消耗。而且，光吸收CIGS层非常薄，因此生产过程快速且消耗很少的能量，仲夏坚持在工厂仅使用可再生能源。 该公司表示可以在用电处直接生产电力，如太阳能屋顶，可以安装在铁皮屋顶、木瓦和大型工厂屋顶上，也可以完全替代木瓦或锡。因此，电能直接在消耗电能的建筑物顶部产生。 仲夏在自己的工厂安置太阳能电池板，该公司的目标是在欧洲建立更多工厂。与中国制造的硅板（通常使用煤基电力）相比，这意味着运输距离更短、更环保，还可以促进本地就业和税收收入等。 关于仲夏的轻质CIGS太阳能电池板的LCA报告是应环境咨询公司MiljögiraffAB的要求进行的，该研究遵循ISO14041标准，并已得到第三方的验证。目的是从生命周期的角度出发，使用CIGS太阳能电池，从仲夏的薄且离散的太阳能电池板产生的1kWh电能中计算出总碳足迹。 仲夏首席执行官SvenLindström说：“对于环境保护，无论是私人的还是商业的，都应注意整个生命周期，即产品的总体对气候影响，包括材料选择、制造、运输、运营等，要选择碳排放最小的能源。”。

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发布时间: 2020-06-14

71. Ga2O3纳米材料在高频通信系统和高能效电力电子等领域具有应用前景

Lightfeng

在由AIP出版社出版的应用物理快报（Applied Physics Letters）报道的新实验中，研究人员已经表明，称为氧化镓（Ga 2 O 3）的宽带隙半导体可以设计成纳米尺度的结构，使电子在晶体结构内移动得更快。随着电子的移动如此轻松，Ga2O3可能成为诸如高频通信系统和高能效电力电子等应用的有前景的材料。 俄亥俄州立大学负责该研究的Siddharth Rajan说：“氧化镓有可能使晶体管超越现有技术。” 由于Ga2O3具有作为硅替代材料开发的宽带隙材料的最大带隙（激发电子以使其导电所需的能量）之一，因此它对于高功率和高频率器件特别有用。它在宽带隙半导体中也是独一无二的，因为它可以直接从其熔融形式生产，从而可以大规模生产高质量的晶体。  

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发布时间: 2018-06-11

72. 西门子在新型低压Simatic Micro-Drive生产线中使用GaN Systems功率晶体管

Lightfeng

加拿大的一家无晶圆厂的氮化镓基功率开关半导体开发商GaN Systems 表示，西门子正在将其Simatic Micro-Drive生产线的一部分与GaN Systems的功率半导体相集成。 Simatic Micro-Drive是一种用途广泛，无缝且安全集成的伺服驱动器系统，涵盖了超低电压范围内从24V至48V的EC电动机应用。借助GaN Systems的器件，能够提高驱动器的效率，并且切换到更高的频率，从而与高压驱动系统相比，可以缩短电机响应时间。最近，西门子凭借新的Simatic Micro-Drive安全超低压系列产品进入了低压驱动器市场。集成的Simatic Micro-Drive系统具有两种不同的外壳尺寸，用于100W至1000W的电机输出。基本的构建块是由GaN Systems制造的GaN功率晶体管，这种四象限驱动系统既可以与集成制动斩波器一起使用在电源上，也可以直接在电池操作中使用。 伺服驱动系统适用于移动、加工和定位中的各种不同应用，例如输送机系统和堆垛机起重机，单个或多个协调轴的定位，以及用于存储和检索机器或仓库系统的梭子，自动导引车（AGV）和医疗技术。 GaN Systems首席执行官Jim Witham指出：“许多工业客户已经在其生产产品中利用了GaN功率器件。我们已经设计并测试了其高质量和高性能的要求，以赢得客户对GaN技术的信任，并且很高兴看到西门子和GaN Systems共同投入的努力正在实现。”

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发布时间: 2020-01-26

73. IC Insights预计2017年~2021年全球汽车电子年复合增长率为6.4%

shenxiang

尽管自动驾驶汽车遭遇了一些引人注目的挫折，但汽车电子项目仍然被业界看好；它仍然是推动半导体市场持续增长的“温床”。 IC Insights数据显示，预计2018年汽车电子的销售额将增长7.0％，2019年将增长6.3％，这是六大半导体最终用途应用中两年来的最高增长率。图1显示，预计2018年汽车相关电子系统的销售额将从2017年的1420亿美元增加至1520亿美元，预计2019年将增至1620亿美元。 尽管自动驾驶汽车遭遇了一些引人注目的挫折，但汽车电子项目仍然被业界看好；它仍然是推动半导体市场持续增长的“温床”。 此外，根据IC Insights的最新调查结果显示，从2017年到2021年，汽车电子预计将实现年复合增长率（CAGR）为6.4％，再次超过所有其他主要系统类别。 总体而言，汽车领域预计将占2018年全球电子系统市场总额1.62万亿美元的9.4％（图2），比2017年的9.1％略有增长。多年来，汽车领域仅逐步增加，预计到2021年，将占全球电子系统销售额的9.9％，仅显示边际收益占整个电子系统市场的百分比。虽然2018年占电子系统市场份额的比例很小（仅比政府/军事类别大），但预计到2021年，汽车市场将成为半导体市场增长最快的领域。 专注于自动驾驶（自动）车辆，ADAS，车辆到车辆（V2V）通信，车载安全，便利性和环境特征以及对电动车辆的持续兴趣的技术特征继续提升汽车电子市场的影响力，尽管今年发生了一些涉及自动驾驶汽车的高度关注事故，但这些事故至少部分归咎于技术错误。 中型和入门级车型以及售后市场产品的新进展更为广泛明显，近年来进一步提升了汽车系统的增长。在半导体领域，这对于模拟IC，MCU和传感器制造商来说尤其是个好消息，因为大多数这些汽车系统都需要大量的这些器件。 值得注意的是，汽车特殊用途逻辑类别预计今年将增长29％，仅次于DRAM市场，预计今年汽车应用专用模拟市场将增长14％-作为备用摄像头，盲点（车道偏离）探测器和其他“智能”系统被强制或以其他方式添加到更多车辆中。同时，存储器（特别是DRAM和闪存）在车辆中使用的新汽车系统解决方案的开发中越来越重要。

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发布时间: 2018-11-23

74. Arm Flexible Access模式允许芯片设计师在为最终的选择支付授权费之前，尝试不同的芯片设计

Lightfeng

7月17日，国芯片设计公司Arm宣布将调整芯片设计授权费模式，推出新的Arm Flexible Access参与模式，在此模式下客户无需预先支付芯片设计方案的费用便可获得定制芯片设计方案的无限访问权限，从而尝试使用不同的芯片设计模型进行实验、评估和创新。 多家合作伙伴已经签署了这项新的Arm参与模式，包括AlphaIC、Invecas、Nordic Semiconductor在内，这些客户且已经可以使用各种IP产品和支持工具，并开始接受培训。 Arm Flexible Access还补充了标准的Arm授权方式，对于寻求访问Arm全部产品组合和最先进IP的客户们来说，这一标准的授权方式将是他们的最佳选择。 通常，合作伙伴从Arm获得个别组件的许可，并在他们可以访问该技术之前预先支付许可费。通过Arm Flexible Access，他们只需支付适当的费用即可立即访问大量的技术组合，然后只有在他们承诺制造时才支付许可费和专利费。 通过Arm Flexible Access提供的知识产权（IP）包括包括大多数基于Arm的处理器（CPU），如Cortex-A、Cortex-R和Cortex-M。这些处理器占过去两年签署的所有Cortex处理器许可证的75%。还包括ryptoCell security IP、Mali GPU、System IP以及SoC设计和早期软件开发所需的工具和模型以及Arm的全球支持和培训服务。 Arm的知识产权集团总裁Rene Haas说：“Arm Flexible Access的创建，是为了应对拥有1万亿安全连接设备的世界所带来的机遇。通过融合无限制的设计访问，而无需预先授权，我们赋予现有合作伙伴和新的市场参与者权力，以应对物联网、机器学习、自动驾驶汽车和5G领域的新增长机会。”

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发布时间: 2019-07-21

75. Gartner：全球半导体产值 去年估增7.9%

zhaohuimin

研调机构顾能(Gartner)初估，2014年全球半导体产值达3398亿美元，年增7.9%。 顾能表示，动态随机存取记忆体(DRAM)供应商去年营运表现超过整体半导体产业水准。 顾能指出，受惠市场供不应求及价格持续稳定，去年DRAM市场产值大增31.7%；记忆体市场去年产值成长16.9%，是带动去年半导体产业成长的最大动力。 去年不计记忆体的半导体产值年增5.4%，远比2013年成长0.8%佳。 据顾能统计，英特尔(Intel)去年营收达508.4亿美元，蝉联全球半导体龙头地位；三星(Samsung)去年营收352.75亿美元，位居第2。 手机晶片厂高通(Qualcomm)去年营收191.94亿美元，维持第3位。 记忆体大厂美光(Micron)则在收购尔必达(Elpida)，并受惠记忆体市场强劲成长，去年营收攀高至168亿美元，年增达41%，超越海力士(Hynix)，跃居全球第4大半导体厂。

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发布时间: 2015-11-19

76. IPC的新视频表现了电子产品在回忆语言和图像时的重要性

Lightfeng

全球电子制造协会IPC的新视频向观众展示了我们的生活和在多个方面依赖着电子产品，并邀请观众进一步了解“世界现代工业的核心行业”。 这段90秒的视频播放了一系列令人回味的小插曲，其中电子的设备和系统的使用让人们的生活更安全、更健康、更互联、更安全和更有趣。该视频还将电子技术与灯泡的工作原理进行了比较，并以动画的形式展示了消费类设备内部的硬接线。该视频没有专业技术用语，旨在帮助非专业人士的理解。 IPC全球政府关系副总裁Chris Mitchell表示：“我们希望人们注意到他们一向认为理所当然的事情，并对这个至关重要的行业部门充满好奇。我们代表行业的一部分工作是帮助人们了解我们的工作及其重要性，而本视频旨在用语言和图片来引起所有人共鸣。” IPC将通过YouTube、LinkedIn、Twitter、Facebook、电子邮件新闻通讯等平台在线演示现场会议等活动，将视频推广给大众。鼓励IPC成员分享给同事、朋友、家人、当选官员以及当地教育者。 去年，IPC发起了一项备受赞誉的“从标准开始”活动，将IPC的行业标准计划与“那些对我们来说意味着世界的人”的形象联系起来，其中包括一个婴儿在孵化器中；一个孩子在汽车座椅上；一个男人在核磁共振仪中。 IPC最近发布了新数据，显示电子制造业为美国提供了530万个工作岗位，薪酬高于平均水平，并为医疗保健、运输和航空航天等其他关键领域提供了关键设备和投入。

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发布时间: 2020-06-14

77. Nitride Semiconductors推出用于半导体制造曝光系统的365nm UV-LED芯片

Lightfeng

日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来，宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。 目前，半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯，但是存在一些功能限制，例如待机时间长、寿命短、UV照度稳定性差以及开关控制不便。另外，由于环境污染问题，预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。 Nitride Semiconductors表示，波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片功能进一步改善，已经实现效率高、节能且寿命长，在正向电流If为3A，正向电压Vf为4.6V的条件下，紫外输出功率为3.2W。 新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。半导体制程为实现精准曝光，需要使用平行光。然而，UV-LED光源通常具有宽的方向角（约120°），用于曝光所获的光量趋于不足。因此，通过结合深度反射镜与高透光率透镜，该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源，无需购买新的UV LED曝光系统 新型UV LED结构非常紧凑，尺寸为长9mm x宽9mm x高8.5mm，因此安装密度更高。 新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10000件的单价约为50美元。

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发布时间: 2020-05-31

78. Fairview推出射频和微波功率放大器配件系列

Lightfeng

美国德克萨斯州刘易斯维尔的Fairview Microwave公司推出了射频和微波功率放大器配件系列，其中包括散热器，带散热风扇的散热器和功率控制电缆组件。 适用于功率放大器的热量管理（可能产生过量的热量），散热器能够增强功率放大器的散热，以确保内部电路组件不会过热，并保持最佳性能和可靠性。 新产品系列包括八种不同的散热器型号，具有带大型底板安装表面的翅片式挤出型材以及适用于带集成冷却风扇型号的AC或DC电源选项。大多数型号都包含热安装垫圈以获得最佳热流量。 产品经理Tim Galla说：“设计人员会发现我们的新型放大器配件在测试和测量应用中非常有用，他们确保最佳性能，长期可靠性，并可与多种功率放大器型号结合使用。”

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发布时间: 2018-04-01

79. 新型薄膜晶体管可能引领柔性电子器件

tengfei

Alberta大学的一个工作研究小组发明了一种新型晶体管，可以彻底改变薄膜电子设备。他们的研究成果发表在著名的《自然》科学杂志，可以打开电子设备发展的大门，并将其广泛的应用于医疗成像和可再生资源生产。 团队开发的薄膜晶体管（TFT）的新用途，经常会在低功率、低频设备等中发现，如阅读使用的屏幕。通过研究人员和消费电子行业在改善薄膜晶体管的性能方面有所缓慢，一方面是由于新材料的挑战，一方面是改善传统薄膜晶体管架构的发展缓慢，像金属氧化物半导体场效应晶体管。 该小组已经提交了关于该晶体管的临时专利，Shoute说，下一步的计划是将晶体管应用在这些领域像生物医学成像领域或者可再生能源中。

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发布时间: 2016-03-21

80. Gamma Scientific Inc.的Spectral LED RS-7-SWIR平台

Lightfeng

Gamma Scientific Inc.的SpectralLED RS-7-SWIR平台包含9个SWIR波长，用于合成市售光源或基于进口光谱。 该产品系列的光谱范围为900至1700 nm，其75 mm输出端口的照度稳定性高于99.99％。照明精度NIST可追溯至3％，全量程线性度为0.1％RMS。通过16位DAC电流驱动器，用户可以实现长达5年的动态范围调整，光谱精度大于 2.5 nm。该固件包含光谱拟合，预设存储和实时光学反馈的全光谱校准。 选项包括光纤光传输，晶圆探针照明配置，挡板管输出和广泛的视野配置。该系统特别适用于夜视传感器，遥感传感器和工业监控设备的校准和测试，可确定量子效率，空间不均匀性，像素缺陷，串扰，响应度，线性度和灵敏度。

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发布时间: 2018-06-11

81. NIST在365nm处将AlGaN / GaN纳米线UV LED电致发光提升五倍

Lightfeng

美国国家标准与技术研究院（NIST）对其制造的紫外发光二极管（LED）采用了特殊类型的外壳，使LED光强度比简单外壳设计的同类LED高出五倍。 NIST在制造高质量氮化镓（GaN）纳米线方面的专业技术让LED变得更亮。最近，研究人员一直在试验由掺杂硅的GaN（具有额外电子）制成的纳米线核心，这些核心由掺杂镁的GaN（具有多余的缺失电子的空穴）制成的壳体包围，以促进电子和空穴复合，因此通过电致发光释放能量作为光。 NIST集团曾展示过GaN LED，它们产生的光归因于注入壳层的电子与空穴重新结合。新型LED在壳层中添加了少量铝，从而减少了电子溢出和光重吸收造成的损失。 更亮的LED由具有p-i-n结构的纳米线制成，三层设计将电子和空穴注入纳米线。向壳中添加铝有助于将电子限制在纳米线核心，使电致发光增强五倍（发射波长为365nm）。铝的作用是引入电流的不对称性，阻止电子流入壳层，这会降低效率，反而将电子和空穴限制在纳米线核心。纳米线测试结构长约440nm，壳厚度约为40nm。最终包括外壳的LED，几乎大了10倍。研究人员发现，加入到制造结构中的铝量取决于纳米线直径。 集团领导人Kris Bertness表示，至少有两家公司正在开发纳米线的微型LED，并且NIST与其中一家公司签订了合作研究与开发协议（CRADA），以开发掺杂剂和结构表征方法。

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发布时间: 2019-03-23

82. Lumentum在Photonics West展示3D感测解决方案

Lightfeng

在旧金山的SPIE Photonics West 2018展会上（1月30日至2月1日），美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的光学和光子光学元件和子系统的制造商Lumentum Holdings Inc展示了其其最新的光子学基础配套产品的三维动态传感、工业激光二极管和商业激光市场。 Lumentum拥有广泛的三维感测应用二极管激光产品，并与支持日益增长的3D感测市场的公司建立了合作伙伴关系。其中一些产品在Lumentum展位中装有Lumentum二极管激光器的产品信息和显示器。 Lumentum合作伙伴Himax公司为其移动设备平台提供SLiM模块，该产品采用Lumentum二极管激光器，晶圆级光学器件（WLO），激光驱动器，衍射光学元件（DOE）以及用于Face ID面部认证的附加半导体元件。

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发布时间: 2018-02-03

83. 英特尔公司侵犯芯片专利被判赔偿22亿美元

shenxiang

据cnBeta网3月3日消息，美国得克萨斯州一家联邦地方法庭判决称，英特尔公司侵犯了“VLSI 科技公司”持有的两项半导体专利，需赔偿21.75亿美元。法庭判决英特尔为其中一个专利赔偿15亿美元，另外一个专利赔偿6.75亿美元。英特尔否认侵犯专利权，并宣称其中一个专利无效，但遭到了法庭的驳回。英特尔公司计划提起上诉。

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发布时间: 2021-03-05

84. 三星公司未来将主要生产QLED及Micro LED面板

shenxiang

OLED电视目前在高端电视的占比已经超过了5成，现在已经有十几家国内外电视企业选择与LGD结盟，再加上广州的新厂将在明年投产，OLED电视似乎已经开始取得领先优势。三星本来也有意发展OLED电视面板，不过近期情况有点变化，三星表示将采用“双轨”商业策略，主要用来生产QLED及Micro LED面板。 在主流的TFT-LCD领域，中国两大面板生产企业京东方和华星光电实力雄厚，在建或已投产10.5/11代面板生产线，韩国两大面板生产企业只能选择发展新的面板技术。三星电视当年发展OLED面板针对智能手机市场，目前它的中小尺寸OLED面板业务已成为仅次于存储芯片业务第二大利润来源，本来它有意发展电视用OLED面板，不过面对LGD在电视用OLED面板市场占据优势的局面，它选择了发展QLED电视，今年初它又领先其他企业发布全球首款microLED电视。 在色彩显示、黑色纯度、亮度、响应时间等方面，QLED与OLED各有优点，不过OLED电视机更轻、更薄、更节能并提供迄今为止最佳的可视角度，同时LGD已联合更多的电视机厂商，似乎QLED电视技术正逐渐落于下风。不过OLED电视的弱点也非常明显的，那就是寿命较短、容易出现烧屏等问题，而microLED恰恰可以解决OLED技术的弱点。 不过就目前来说microLED面板生产技术还有待改进，其大规模生产还面临困难，而三星电视也不希望microLED面板技术影响它的主要利润来源的中小尺寸OLED面板业务因此先针对饭店、商店、体育场、博物馆等商业用户推Micro LED电视，microLED技术要取代OLED还需要时间

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发布时间: 2018-08-20

85. 日本拟对外商投资设限 涉及芯片通信等20大IT行业

shenxiang

5月27日周一，日本政府宣布，由于对网络安全的担忧加剧，将从8月起将把信息技术行业和电信行业列入限制外资投资的名单之中。 受限行业主要包括内存芯片制造、软件开发、通讯设备制造、信息处理服务等20个IT行业。 其实早在今年5月9日，《日本经济新闻》就曾报道称，日本《外汇和对外贸易法》除了对飞机、核相关、武器制造业等指定行业设定了投资限制，还将加入集成电路和半导体内存等制造业。 根据规定，境外投资者取得对象行业上市企业10%以上股份或取得非上市企业股份时，有义务向日本政府事先提交申请。审查中若被认为是有损国家安全，日本政府可以要求相关计划变更或中止。 《日经》网站当时指出，日立（Hitachi）、日本电气（NEC）和松下（Panasonic）等公司，以及它们在类似行业的子公司和同行们都将受到这些规定的制约。 对此，《参考消息》曾援引中国现代国际关系研究院学者颜泽洋认为，日本对外资的限制势必会对本国相关产业发展带来负面影响。因为日本本国市场容量有限，如果为此切断与其他国家信息技术等方面的市场联系，依靠自身发展，“速度和空间都将受限”。

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发布时间: 2019-05-28

86. 紫外发光二极管性能的提高

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中国研究人员使用薄膜和表面纳米结构将紫外（UV）发光二极管（LED）的性能提高了3.9倍。即在器件的厚铝氮化镓（AlnGaN）n侧上进行纳米结构化，这是通过将LED材料翻转到另一个晶片上并移除硅生长衬底来实现的。纳米结构设计用于减少由于III族氮化物材料（~2.4）和空气（1）之间的折射率的大对比而捕获光的全内反射，发光来自氮化铟镓（InGaN）多量子阱（MQW）。 苏州纳米技术与纳米仿生学研究所和中国科技大学的研究小组在（111）晶向上在硅上生长了UV LED结构。并进行了光线跟踪蒙特卡罗模拟，并选择了250纳米直径的SiO2纳米球来制作圆顶。模拟结果表明，最佳高度/直径（H / D）比为0.27，光提取效率为68％，而平坦表面为19％。 具有0.27 H / D比的纳米棒LED的集成电致发光实现了平坦参考设备的3.9倍的性能。模拟结果表明增加了3.6倍。研究人员还比较了扁平LED与具有“棒”，“梯形”和“锥形”纳米圆顶结构的器件的性能。通过不用反应离子蚀刻减少250μm直径的纳米球并且仅针对不同的处理时间执行电感耦合蚀刻来实现结构。 研究人员还研究了远场辐射模式，发现与扁平LED相比，纳米体可以向前发射更多的辐射。研究人员评论说：“这种现象对于H / D = 0.5的纳米体结构更为明显，表明纳米结构将促进沿垂直方向的光提取，这对UV固化和UV LED的其他相关应用特别有用。AlGaN纳米结构技术可以很容易地扩展到深紫外垂直LED，以增强光提取。”

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发布时间: 2019-04-14

87. 上半年中国集成电路收入增逾2成 制造业同比增长近30%

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近日，中国半导体行业协会副理事长于燮康介绍，上半年，中国集成电路产业实现收入2726.5亿元，同比增长23.9%。其中，集成电路制造领域收入737.4亿元，同比增长29.1%。 技术水平提高 中国科学院微电子研究所所长叶甜春表示，集成电路制造既可以带动国产装备和材料发展，又可以服务于集成电路设计企业，是集成电路产业的中枢环节。国内集成电路制造工艺已取得长足进步，65纳米、40纳米、28纳米工艺相继量产，14纳米技术研发取得突破，特色工艺竞争力提高。 “尤其是长江存储，以自主知识产权为基础，提出了3D NAND技术新构架XTacking。这是中国企业首次在集成电路领域提出重要的新构架和技术路径。”叶甜春说。 中芯国际执行副总裁李智介绍了公司14纳米制程工艺进展，并表示相关工厂建设已经封顶，二季度第一代14纳米FinFET技术研发已进入客户导入阶段，预计明年上半年进入量产阶段。 李智表示，国内集成电路产业尽管有一定规模，但价值链整合能力不强。“各地掀起建厂、投资热潮，竞争日趋激烈，人才、设备、材料等各项成本升高。” 国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁丁文武表示，各地集成电路制造产线存在低水平、同质化、重复建设，导致资源分散、人才竞争激烈，应该理性发展集成电路产业，注重上下游联动。 “材料是集成电路制造的基础，集成电路制造所需要的300毫米大硅片，国内还没有真正的产业级产品。”中国科学院院士、浙江大学硅材料国家重点实验室主任杨德仁表示，到2020年全球所需300mm大硅片约640万片，需求增长快但供应严重不足，大硅片价格涨势将持续到2020年。 发展需要再定位 叶甜春认为，集成电路产业形成“从无到有”的产业链布局后，不能一味追求建厂扩产，应该“升级”发展战略，重新对产业进行定位。下阶段，集成电路产业应该“以产品为中心，以行业解决方案为突破口”，促进系统应用、设计、制造和装备材料融合发展，通过产业链协同，推动技术创新与商业模式创新并行。 中国半导体行业协会理事长、中芯国际集成电路制造有限公司董事长周子学认为，“人才缺乏”可能成为进一步发展的掣肘。 对于集成电路产业人才缺乏的问题，华润微电子常务副董事长陈南翔表示，需要加大高校人才培养力度，同时需要半导体企业具备“人才吸引与保留的关键因素”。 陈南翔表示，国内半导体企业“出生率”高，但“成功率不高”。这显示出行业景气、社会支持度与关注度高，同时意味着产业研发资源与创新动能的分散，甚至导致同质化竞争。

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发布时间: 2018-09-21

88. Cree的Wolfspeed产品组合增加了650V SiC MOSFET，可满足更广泛的工业电源应用

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Cree 公司扩展了Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，即增加了650V SiC MOSFET，可满足更广泛的工业应用。650V MOSFET具有更高的能效，可帮助推动发展下一代车载电动汽车（EV）充电，数据中心和储能等，并可帮助重塑锐科的云技术和可再生能源基础设施。 新型15mΩ和60mΩ650V器件采用了Cree的第三代C3M MOSFET技术，与同类SiC MOSFET相比，其开关损耗降低了20％，并提供了最低的导通态电阻，从而实现了更高效率和功率密度更高的解决方案。终端用户将在各种不同应用中实现更高的功率使用效率、降低散热需求、业界领先的可靠性，从而实现更低的总体拥有成本，并从中获益。 与硅相比，Wolfspeed的新型650V SiC MOSFET降低了75％的开关损耗，并将传导损耗降低了50％，从而有可能使功率密度提高300％。设计工程师现在可以满足甚至超越业界极为严苛的效率标准，包括服务器电源的80 Plus Titanium要求。 新型650V MOSFET系列也适用于电动汽车市场的车载充电器（OBC）。更高的效率和更快的切换速度使客户能够设计出性能更高和尺寸更小的解决方案。Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET还可在OBC中实现双向功能，而在尺寸、重量和复杂性方便并不会影响。此外，Wolfspeed在车用AEC-Q101认证方面的经验，以及业经验证的E系列MOSFET，都为之后车用认证650V MOSFET铺平了道路。 其他工业应用，例如通用开关电源（SMPS），也可以从科锐这家全球业界领先的垂直整合碳化硅技术供应商所开发的新型650V碳化硅MOSFET优势中获益

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发布时间: 2020-04-05

89. Integra提供GaN-on-SiC晶体管评估套件，用于验证RF系统的性能

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美国加利福尼亚州El Segundo的Integra Technologies Inc（ITI）公司（一家可制造高功率RF和微波晶体管和功率放大器模块的公司）正在向设计人员提供GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管(HEMT)评估套件，以便评估高功率放大器的设计技术。 每个套件都是专门定制，包括设计人员选择的晶体管型号（可提供部分或完全匹配的选项），也包括安装和测试的晶体管的测试夹具，以及个备用器件。 Integra技术团队在一些关键条件下测出的完整RF测试结果也可作为参考指南提供。并且“Integra技术的处理和调整GaN-on-SiC HEMT评估套件”可以从Integra的网站下载。 该套件可以免费借用30天，如果需要可以延长或者购买。

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发布时间: 2018-10-21

90. FBH启动项目“基于AlN的功率晶体管（ForMikro-LeitBAN）”

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德国莱布尼兹技术研究所（FBH）最近启动了一项联合项目“基于AlN的功率晶体管（ForMikro-LeitBAN）”。高效的能量转换对于AI和工业4.0的应用至关重要，为此的先决条件是有效开关功率半导体，以实现高功率密度，在很大程度可以节能，减少二氧化碳的排除。因此开发高效功率半导体，为可以电动汽车到人工智能的各种新颖应用铺平道。 该项目旨在开发氮化铝（AlN）半导体材料，以合适的器件对其进行测试，并使其可以在将来的系统中使用。迄今为止，氮化铝在电子领域的研究还很少，但其传导损耗却比硅器件低10000倍，并且具有很高的击穿强度和导热率，这是具有高能量密度和效率的功率半导体的理想先决条件。应使用独立式绝缘AlN晶片，并将其作为基板。与外来衬底（例如碳化硅（SiC））上的AlN外延相比，位错密度可以降低五个数量级。 从概念上讲，新型AlN组件基于经过充分研究的GaN技术。一个新的方面是从传统的异质衬底过渡到独立的AlN衬底。ForMikro-LeitBAN正在研究这种AlN晶圆的开发，并在量身定制的设备工艺中对其进行测试。用于毫米波应用和电力电子能量转换器的测试系统使新型高效AlN器件可用于相应系统中。 ForMikro-LeitBAN涉及很多合作伙伴，这些合作伙伴共同覆盖了整个生产链（从AlN晶片到毫米波和电力电子系统），如：Ferdinand-Braun-Institut（FBH）、弗朗霍夫IISB、埃尔兰根（IISB）TU Bergakademie-Freiberg（IAP）、FAU、BTU、柏林工业大学（TUB）等。 系统的效率受到半导体的静态和动态功率损耗的限制，该损耗由相应的材料决定，使用传统的基于硅的功率部件来提高电转换器和功率放大器的效率变得越来越困难。因此，必须研究性能提高的新型半导体材料，并将其推向市场。

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发布时间: 2019-12-08

91. Plessey的新型原生绿色LED方法为微型LED显示器提供了高的光输出

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英国普利茅斯的Plessey Semiconductors有限公司表示，它已开发出专有的二维（2D）平面氮化硅（GaN-on-Si）工艺，无需色彩转换技术即可发出绿光。 为了产生绿光，LED制造商通常将磷光体或量子点转换材料应用于天然蓝色LED。然后，这些材料将短波长（通常为450nm）蓝光转换为红色或绿色波长，转换效率通常在10％至30％之间。Plessey的原生绿色LED本身使用其专有的GaN-on-Si外延生长工艺形成，与天然蓝色LED类似，主要区别在于LED的量子阱结构中包含的铟的量。 该公司表示，由于没有颜色转换损失，原生绿色发射比微LED的颜色转换过程亮几个数量级。它的主要绿色波长为530nm，半高全宽（FWHM）为31nm，绿色适用于彩色显示器。此外，绿色发射表现出优异的波长稳定性与电流密度。 首席运营官Mike Snaith说：“Plessey已经提供了功能强大且高效的原生蓝色微型LED，通过技术创新，Plessey生产了世界领先的高性能原生绿色微型LED，为客户提供下一代显示和照明器件。”

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发布时间: 2019-04-27

92. Guerrilla RF完成380万美元的E系列融资

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美国北卡罗来纳州格林斯博罗的Guerrilla RF Inc是一家无线应用射频集成电路（RFICs）和单片微波集成电路（MMICs）的供应商，其已完成380万美元由多为天使投资者参与的E系列融资（包括股票和债务）。自从Ryan Pratt于2013年4月成立以来，该公司现已筹集了1160万美元的资金，并有超过50种产品以产量形式出货。 Guerrilla RF预计2018年的收入将至少比2017年翻一番，并在2018年底前员工人数会从目前的21名增加到25名。 创始人兼首席执行官Ryan Pratt说：“今年对我们来说是一个非常快的开始，随着多个客户的生产升级正在进行中，显然我们需要额外的营运资金。这次E系列融资为我们提供了我们预计需要的营运资金，并为任何行业的业务提供了相当多的利润。”

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发布时间: 2018-04-22

93. 我国碳基半导体制备材料取得关键性突破

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我国碳基半导体制备材料取得关键性突破 出自：中国电子报 5月26日，北京元芯碳基集成电路研究院宣布，由该院中国科学院院士北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队，经过多年研究与实践，解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度、密度与面积问题。他们的这项研究成果已经被收录在今年5月22日的《科学》期刊“应用物理器件科技”栏目中。 目前，大到航空航天、金融保险、卫生医疗等领域，小到智能手机、家用电器等数码家电所使用芯片绝大部分采用硅基材料的集成电路技术，该项技术被国外厂家长期垄断，国内电子产品所需要的芯片则大多依赖进口。据统计，中国每年进口芯片的花费高达3000亿美元，甚至超过了进口石油的花费。 “采用硅以外的材料做集成电路，包括锗、砷化钾、石墨烯和碳，一直是国外半导体前沿的技术。而碳基半导体则具有成本更低、功耗更小、效率更高的优势，更适合在不同领域的应用而成为更好的半导体材料选项。我们的碳基半导体研究是代表世界领先水平的。”彭练矛院士说。 以企业应用为例：与国外硅基技术制造出来的芯片相比，我国碳基技术制造出来的芯片在处理大数据时不仅速度更快，而且至少节约30%的功耗。碳基技术在不久的将来可以应用于国防科技、卫星导航、气象监测、人工智能、医疗器械等多重领域。由于碳基材质的特殊性，它能让电路做到像创可贴一样柔软，这样的柔性器械，如果应用于医疗领域将使患者拥有更加舒适的检查体验；因碳基材质特点，在一些高辐射、高温度的极端环境里，采用碳基技术制造出的机器人将更好的代替人类执行危险系数更高的任务；谈到个人应用：碳基技术若应用到智能手机上，因其拥有更低的功耗，将使待机时间更加延长。“现在我们用手机看电影3个小时的可能就没电了。若将手机植入碳基技术的芯片，至少可以看上9个小时的电影都不会断电，且手机开多少个程序都不会出现卡顿。”北京元芯碳基集成电路研究院研发部负责人许海涛说。 据了解，碳基技术也是发达国家一直研发预替代硅基的新技术。由于我国碳基技术起步较早，目前的技术是基于二十年前彭练矛院士提出的无掺杂碳基CMOS技术发展而来，近年来取得了一系列突破性的进展，极大地提升了我国在世界半导体行业的话语权。 

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发布时间: 2020-05-31

94. 新的光伏生产技术可以降低成本，同时提高稳定性

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钙钛矿太阳能电池生产便宜且制造简单。正如一个欧盟支持的项目刚刚完成的那样，提高效率，使其成为一个更加引人注目的替代能源。 钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿结构的化合物，最常见的是混合有机------无机铅或锡卤化物基材料作为集光活性层。钙钛矿材料，例如甲基铅卤化铅，生产成本低廉，制造相对简单。这些易于合成的材料被认为是太阳能电池的未来，因为它们独特的结构使低成本，高效率的光伏电池成为可能。 这项研究处于机械化学的前沿，这是一个迅速发展的科学领域，涉及固体化合物在机械力作用下直接发生的化学反应。 GOTSOLAR（第三代太阳能电池的新技术进展）项目提出了高效，持久和环保安全促进PSC发展的颠覆性方法。

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发布时间: 2018-01-08

95. 亚洲最大覆铜陶瓷基板生产线在东台投产

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近日，落户于东台城东新区的江苏富乐德半导体项目一期工程正式投产。 覆铜陶瓷基板被广泛应用于新能源汽车、高铁、地铁、大飞机、汽车充电桩等大功率设备，“在我们量产覆铜陶瓷基板前，国内的其他厂家所需的覆铜陶瓷基板都依赖进口。现在，我们的产量可以满足国内市场30%的需求，依然有近70%依赖进口，而且国内市场需求每年都以20%至30%的速度增长。”富乐德中国总裁贺贤汉介绍，富乐德集团授权上海申和热磁电子有限公司负责该项目的实施，目前申和的模块基板在全国产量第一，事实上，在国内功率器件模块基板能够大规模量产的企业只此一家。 近年来，东台市抢抓新一轮科技革命和产业变革机遇，把准新兴产业发展“风口”，坚持不懈培育壮大电子信息产业，精准开拓半导体这片新“蓝海”，在半导体元器件、半导体材料、集成电路板等细分领域，迅速集聚了一批龙头企业，加快打造具有区域影响力的半导体产业高地。 富乐德集团在东台城东新区注册成立了两家公司：江苏富乐德半导体科技有限公司和江苏富乐德石英科技有限公司，注册资本为1550万美元和1亿元人民币，投资两个项目：年产量1200万枚半导体功率模块覆铜陶瓷基板项目和年产30万枚高纯精密石英半导体新材料项目，项目总投资11.5亿元，新上从日本、美国、德国进口的精密氧化炉、烧结炉、激光切割机、超声波扫描仪、高精度晶锭激光切割机，日本MAZAK加工中心、大型石英旋盘机等加工、检测设备达600多台套。 据贺贤汉介绍，目前世界产量第一的，是一家德国公司，产能为100万枚/月。现在，江苏富乐德能达到国际先进水平的DCB基板的产量为35万枚/月，在亚洲排名第一。3年内，盐城的月产量将达到100万枚。江苏富乐德石英科技有限公司落成之后，可以形成30万枚高纯度精密石英新材料产品，公司可实现高纯度精密石英产品全球第一、覆铜陶瓷基板全球第二的目标。  

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发布时间: 2018-07-24

96. 硒化铟扩大了2D结构材料的应用

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英国，西班牙和葡萄牙的研究人员发现，二维（2D）硒化铟（InSe）具有优先在平面内的红外发射，可能是由于于激子-束缚的电子-空穴对-偶极矩的面外取向引起的。这个发现会扩展2D光电的功能。 其他2D半导体往往具有激子，其偶极子直接在面内（IP），且发射方向指向半导体平面之外。平面内偶极子定向对于通过垂直结构将辐射耦合输出是理想的。然而，对于平面内光子波导电路，平面外取向更为有用。 这些材料的2D性质是通过从块状材料到逐渐变薄的层到单层（ML）来实现的。对厚90nm的InSe层上的光致发光（PL）的光的偏振和方向性的研究表明，激子发射的面外偶极分布为97％。实验的基材是硅上的105nm二氧化硅层。将薄片厚度减小到8nm，二维InSe的面外分布显示为95％。与90nm的薄片相比，从1.244eV发射的5meV的发射发生了蓝移。蓝移归因于2D量子限制增加了有效带隙。 研究人员还研究了MoSe2和WSe2，因为可能存在“灰色”平面激子，其状态分裂导致允许和禁止的跃迁。具有高NA（数值孔径）物镜的ML WSe2和WS2的低温PL测量表明，灰色激子对发射的PL信号有显着贡献，这使得这些半导体的低温PL并非仅来自于半导体。平面偶极子，但来自平面内和平面外偶极子的组合。但是，仍然没有定量，明确地确定灰色激子对W基TMD室温PL的贡献。实验表明，对于WSe2，室温下的面内贡献实际上是100％。

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发布时间: 2020-01-19

97. Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购

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美国的Littelfuse公司已完成对初创的Monolith Semiconductor公司的收购，并且Monolith拥有碳化硅（SiC）功率器件技术。Littelfuse于2015年开始与Monolith合作，并在过去三年取得一系列在技术和商业产品合作方面的成绩，随后Littelfuse逐步增加其所有权。 Littelfuse半导体产品高级副总裁兼总经理兼首席技术官Ian Highley说：“完成对Monolith Semiconductor的收购是我们战略的重要组成部分，增加碳化硅技术使我们能够更好的发展我们的产品组合，我们已经发现了一个对商业发布产品有意义的设计，并且在工业和汽车应用方面非常感兴趣。” Littelfuse于2017年5月首次推出商用碳化硅肖特基二极管，随后于10月推出首款商用碳化硅MOSFET。迄今为止，该公司已经发布并大量生了产20多种碳化硅产品，未来几个月计划再增加30多种。

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发布时间: 2018-11-11

98. IBM建议美国商务部把人脸识别技术列入出口管制项目

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IBM于9月11日建议美国商务部针对人脸识别技术，向侵犯人权的“专制政权”实施技术出口管制，以防止部分政权滥用大规模监控系统， 据路透报道，IBM在声明中建议，美国政府应将用以建立大规模监控、种族特征等侵犯人权行为的人脸识别技术，列入新的出口管制项目。 IBM政府及法律事务副总裁Christopher Padilla 认为，相较于iPhone用户解锁或登机的人脸识别系统，美国政府应更关注那些打压异议人士的“一对多”监控系统，例如用于收集数据的高清相机，或是用于将图像与数据库进行配对和分析的算法技术。 该公司甚至主张，商务部应进一步限制特定外国政府获取技术相关零件的能力，以及限制对可用于训练面部识别系统的在线图像数据库的访问。IBM并未在声明中明指任何国家，仅表示应关注那些拥有侵犯人权黑历史的国家。 此外，商务部还就是否将人脸识别技术及生物识别系统列入新的出口管制项目，向公众征询意见，征询期限将在9月15日截止。 今年7月，美国商务部以协助“中国政府监控少数民族”，或与“大规模毁灭性武器以及中国军方有联系”为由，将33家中国企业及机构列入实体清单。据外媒报导，列入清单的陆企大多与人工智能和人脸识别技术有关，包含中国安防监控巨头海康威视、中国知名AI公司商汤科技、旷视科技、东方网力(NetPosa)等。 为响应种族平等，IBM在6月宣布退出人脸识别领域，未来该公司将不再研发、出售及使用相关技术，并坚决反对将此类技术用于大规模监视和种族归纳行为，同时呼吁联邦政府制定新规，要求警察对不当行为承担更多责任。

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发布时间: 2020-09-14

99. 至纯科技晶圆再生基地签约合肥

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近日，至纯科技晶圆再生基地项目正式签约，合肥新站区集成电路产业再添生力军。合肥新站区招商局局长安冬梅、至纯科技财务总监陆磊代表双方签订合作协议。区党工委书记、管委会主任路军，区经贸局、建设局、环保局负责人，至纯科技相关负责人见证签约。上海至纯洁净系统科技股份有限公司成立于2000年，于2017年在上交所挂牌上市，主要为集成电路、平板显示、生物医药等行业配套进行高纯工艺系统与高纯工艺设备的设计、加工制造以及配套服务，获得南京台积电、长江存储、合肥晶合、上海华力、和辉光电、武汉天马、中芯等知名企业的广泛认可。 该项目落户合肥后，将为晶合、长鑫等集成电路企业配套提供测试片、挡控片等晶圆的研磨再生服务，后期将开展电子产业相关设备的研发与生产，填补省内空白。 “便捷的区位交通、健全的产业链条、密集的客户群体、优秀的高端人才、高效的企业服务……”在谈到为什么选择新站，上海至纯洁净系统科技股份有限公司董事长蒋渊女士如是说。近年来，新站高新区聚焦聚焦“芯屏器合”产业发展方向，成功引进京东方、彩虹、康宁、晶合等国内外龙头企业、龙头项目，新型显示产业异军突起，牢牢占据了国内领先地位，新站高新区也一举成为安徽省首批战略性新型产业集聚发展基地。 自2015年晶合落户以来，新站高新区正式开启集成电路产业发展“芯”征程。在不到三年的时间里，聚焦“强链、补链”不断加大招商力度，成功吸引新汇成、易芯等上下游从业企业20多个，总投资249.4亿元，逐步形成了从上游设计、核心制造到下游封测、智能终端的产业链框架。此次至纯科技的强势加盟，对于进一步壮大产业链、填补产业细分领域空白、助力合肥“IC之都”建设具有重要意义。

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发布时间: 2018-10-24

100. POET发布多产品晶圆（MPW）掩模

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加拿大的POET Technologies Inc 推出了首款用于生产的多产品晶圆（MPW）掩模。 MPW含多种产品，包括针对特定应用和客户的定制设计。POET主要为数据中心和电信市场设计和开发POET光学中介层和光子集成电路（PIC）产品。 与8月份公司年度股东大会上提出的产品路线图基本一致，MPW结合了10月下旬宣布的光电插入器的新功能，并将产品设计投入制造，其中包括针对两个不同客户的100G CWDM4光学引擎变体的两种设计、针对LR4发送光学子组件（TOSA）的100G设计，400G接收光学子组件（ROSA）和400G FR4外部调制激光器（EML）光引擎的设计，以及三种不同的光引擎设计，其中两种在数据通信应用的O波段工作，而另一种在传感和计算应用的C波段工作。还包括各种结构测试，用于评估和纳入未来的产品设计中。 以前宣布的新功能现在已经集成到Optical Interposer中，增强了平台的关键性能，具有可制造性和多功能性的优点。 为了提高光插入器光传输的整体性能，POET制作了波导设计，消除或者最小化激光器和波导界面处的光反射，这是光子器件集成中常见的问题。此外，该公司还集成了一些功能，可将光在器件中传播时的损耗降至最低，包括最新一代的基于Mach-Zehnder干涉法（MZI）的多路复用器，可将来自该设备的信号损失降至20％以下（< 1.0dB）。改进后的光点尺寸转换器能够匹配不同直径（模式）的光束，以实现设备之间的更有效耦合，其损耗小于10％（<0.5dB），远远超过同类最佳转换器。为了有效地连接到现成的组件，如顶进式光电探测器和垂直腔面发射激光器（VCSEL），POET将改进的垂直反射镜集成到Optical Interposer中，从而扩展了平台的整体多功能性。该公司设计了独特的光纤连接单元（FAU），在光插卡器上具有匹配的无源对准结构，该结构便于对准，同时在客户收发器中提供POET光学引擎的低损耗连接。光学插入器和POET设计的激光器上的新基准点设计，使部件的机械拾取和放置装配达到亚微米精度。 董事长兼首席执行官Suresh Venkatesan博士说：“过去几个月我们取得了巨大成就，比如在改进设计、校准仿真模型，以及制造光学引擎和子组件的原型设计方面都有进步。一旦制造完成，光学插入器晶圆将被发送到我们的合资企业，以进行alpha原型的组件组装、测试和包装。我们打算使用这些原型来抽样潜在客户并收集数据，这些数据将向客户展示POET光学引擎的卓越性能。”

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发布时间: 2020-12-06