近日，IGBT功率半导体项目正式签约落户嘉善经济技术开发区。
IGBT功率半导体项目注册资金2.5亿美元，总投资7.5亿美元，主要从事高端绝缘栅双极型晶体管的自主研发和制造，一期用地34亩，二期预留用地46亩，一期达产后预计年产值将超过20亿元。项目亩均投资超过6400万元，亩均产值预计超5800万元，亩均税收预计将超过440万元。同时，项目还将在县开发区设立IGBT技术研发中心，全面支持企业的创新发展。
更值得注意的是，IGBT功率半导体项目的主要投资方为赛晶电力电子集团。这是继华瑞赛晶电气设备科技有限公司（以下简称华瑞赛晶）后，该企业在嘉善投资的第二个高科技项目。
经过十五年发展，华瑞赛晶目前已经成为全国乃至全球最有影响力的电力系统解决方案供应商，其自主研发的阳极饱和电抗器和柔性直流输电用大功率电力电子电容器都打破了国外技术的垄断。
据悉，高端绝缘栅双极型晶体管是能源变换与传输的核心器件，电力电子装置的“CPU”，其在轨道交通、智能电网、新能源汽车等领域中有着广泛的运用。该产品由于对设计和制造工业要求高，国内起步晚，国内市场长期为国外企业所把持。项目的落地将加速这一核心元器件的国产化进程。
此外，IGBT半导体项目的落户不仅将壮大嘉善县数字产业的规模，更能为智能传感（集成电路）、绿色智能新能源等今后嘉善县数字经济核心产业的提供优质配套。
