Cree 公司扩展了Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，即增加了650V SiC MOSFET，可满足更广泛的工业应用。650V MOSFET具有更高的能效，可帮助推动发展下一代车载电动汽车（EV）充电，数据中心和储能等，并可帮助重塑锐科的云技术和可再生能源基础设施。
新型15mΩ和60mΩ650V器件采用了Cree的第三代C3M MOSFET技术，与同类SiC MOSFET相比，其开关损耗降低了20％，并提供了最低的导通态电阻，从而实现了更高效率和功率密度更高的解决方案。终端用户将在各种不同应用中实现更高的功率使用效率、降低散热需求、业界领先的可靠性，从而实现更低的总体拥有成本，并从中获益。
与硅相比，Wolfspeed的新型650V SiC MOSFET降低了75％的开关损耗，并将传导损耗降低了50％，从而有可能使功率密度提高300％。设计工程师现在可以满足甚至超越业界极为严苛的效率标准，包括服务器电源的80 Plus Titanium要求。
新型650V MOSFET系列也适用于电动汽车市场的车载充电器（OBC）。更高的效率和更快的切换速度使客户能够设计出性能更高和尺寸更小的解决方案。Wolfspeed的650V碳化硅MOSFET还可在OBC中实现双向功能，而在尺寸、重量和复杂性方便并不会影响。此外，Wolfspeed在车用AEC-Q101认证方面的经验，以及业经验证的E系列MOSFET，都为之后车用认证650V MOSFET铺平了道路。
其他工业应用，例如通用开关电源（SMPS），也可以从科锐这家全球业界领先的垂直整合碳化硅技术供应商所开发的新型650V碳化硅MOSFET优势中获益
