英国，西班牙和葡萄牙的研究人员发现，二维（2D）硒化铟（InSe）具有优先在平面内的红外发射，可能是由于于激子-束缚的电子-空穴对-偶极矩的面外取向引起的。这个发现会扩展2D光电的功能。
其他2D半导体往往具有激子，其偶极子直接在面内（IP），且发射方向指向半导体平面之外。平面内偶极子定向对于通过垂直结构将辐射耦合输出是理想的。然而，对于平面内光子波导电路，平面外取向更为有用。
这些材料的2D性质是通过从块状材料到逐渐变薄的层到单层（ML）来实现的。对厚90nm的InSe层上的光致发光（PL）的光的偏振和方向性的研究表明，激子发射的面外偶极分布为97％。实验的基材是硅上的105nm二氧化硅层。将薄片厚度减小到8nm，二维InSe的面外分布显示为95％。与90nm的薄片相比，从1.244eV发射的5meV的发射发生了蓝移。蓝移归因于2D量子限制增加了有效带隙。
研究人员还研究了MoSe2和WSe2，因为可能存在“灰色”平面激子，其状态分裂导致允许和禁止的跃迁。具有高NA（数值孔径）物镜的ML WSe2和WS2的低温PL测量表明，灰色激子对发射的PL信号有显着贡献，这使得这些半导体的低温PL并非仅来自于半导体。平面偶极子，但来自平面内和平面外偶极子的组合。但是，仍然没有定量，明确地确定灰色激子对W基TMD室温PL的贡献。实验表明，对于WSe2，室温下的面内贡献实际上是100％。
