《Littelfuse完成对碳化硅二极管和MOSFET开发商Monolith的收购》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-11-11
  • 美国的Littelfuse公司已完成对初创的Monolith Semiconductor公司的收购,并且Monolith拥有碳化硅(SiC)功率器件技术。Littelfuse于2015年开始与Monolith合作,并在过去三年取得一系列在技术和商业产品合作方面的成绩,随后Littelfuse逐步增加其所有权。

    Littelfuse半导体产品高级副总裁兼总经理兼首席技术官Ian Highley说:“完成对Monolith Semiconductor的收购是我们战略的重要组成部分,增加碳化硅技术使我们能够更好的发展我们的产品组合,我们已经发现了一个对商业发布产品有意义的设计,并且在工业和汽车应用方面非常感兴趣。”

    Littelfuse于2017年5月首次推出商用碳化硅肖特基二极管,随后于10月推出首款商用碳化硅MOSFET。迄今为止,该公司已经发布并大量生了产20多种碳化硅产品,未来几个月计划再增加30多种。

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    • 美国伊利诺伊州芝加哥的Littelfuse公司提供电路保护技术(包括保险丝、半导体、聚合物、陶瓷、继电器和传感器),推出了LSIC2SD065XXA和LSIC2SD065AXXA系列第二代650V系列、AEC-Q101合格的碳化硅肖特基二极管。 可选择电流额定值(6A、8A、10A、16A或20A),它们为电力电子系统设计人员提供各种性能优势,包括可忽略的反向恢复电流、高浪涌能力和最高工作结温度175°C,因此它们适用于高效率、可靠性和热管理的应用。 与标准硅PN结二极管相比,650V系列SiC肖特基二极管可显著降低开关损耗,显著提高电力电子系统的效率和鲁棒性。由于它们比硅基解决方案消耗更少的能量,并且可以在更高的结温下工作,因此它们允许更小的散热片和更小的系统占地面积,从而为最终用户提供更紧凑、节能的系统的优势,以及降低总体拥有成本的潜力。 650V系列SiC肖特基二极管的典型应用包括:功率因数校正(PFC)、DC-DC变换器的降压/升压级、反相器级的自由旋转二极管、高频输出整流和电动汽车(EV)应用。 图1:Littelfuse的新LSIC2SD065XXA(左)和LSIC2SD065AXXA(右)Gen2 650V SiC肖特基二极管。: 据称,650V系列SiC肖特基二极管具有以下优点: 符合AEC-Q101标准的二极管在苛刻的应用中表现出卓越的性能。 开关损耗远低于硅双极二极管,且具有快速、与温度无关的开关特性,使器件适用于高频功率开关。 正温度系数使操作安全,易于并联。 175°C的最高工作结温度提供了更大的设计裕度和宽松的热管理要求。 LSIC2SD065XXA系列SiC肖特基二极管有TO-252-2L(DPAK)封装,采用磁带和卷轴格式,最小订购量为2500台设备。LSIC2SD065AXXA系列SiC肖特基二极管有TO-220-2L封装,50个器件封装在一个管中,最小订货量为1000个单元。样品申请可通过全球授权的Littelfuse分销商提出。
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    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
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    • 中国河北半导体研究所报告了大面积800μm直径的4H-多型碳化硅紫外雪崩光电二极管(SiC UV APD),其具有改善的量子效率、增益和暗电流。这是“首次”使用变温光致抗蚀剂回流技术来创建平滑的斜边壁,该斜边壁可抑制泄漏电流并避免过早的边缘击穿。 研究人员声称,据他们所知,他们已经获得了基于大面积4H-SiC APD的可见盲紫外探测器的最佳整体性能,其高增益超过106,高量子效率为81.5% ,暗电流低,紫外/可见光的抑制比高达103。研究表明直径为800μm的器件的增益、量子效率和暗电流性能与直径小于300μm的APD相当。 紫外检测在天文学、通信和生化分析中具有广泛的应用。军事警告和制导系统可以使用可见盲紫外线感应来引导或跟踪导弹羽流。