在由AIP出版社出版的应用物理快报（Applied Physics Letters）报道的新实验中，研究人员已经表明，称为氧化镓（Ga 2 O 3）的宽带隙半导体可以设计成纳米尺度的结构，使电子在晶体结构内移动得更快。随着电子的移动如此轻松，Ga2O3可能成为诸如高频通信系统和高能效电力电子等应用的有前景的材料。
俄亥俄州立大学负责该研究的Siddharth Rajan说：“氧化镓有可能使晶体管超越现有技术。”
由于Ga2O3具有作为硅替代材料开发的宽带隙材料的最大带隙（激发电子以使其导电所需的能量）之一，因此它对于高功率和高频率器件特别有用。它在宽带隙半导体中也是独一无二的，因为它可以直接从其熔融形式生产，从而可以大规模生产高质量的晶体。
