《西门子在新型低压Simatic Micro-Drive生产线中使用GaN Systems功率晶体管》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2020-01-26
  • 加拿大的一家无晶圆厂的氮化镓基功率开关半导体开发商GaN Systems 表示,西门子正在将其Simatic Micro-Drive生产线的一部分与GaN Systems的功率半导体相集成。

    Simatic Micro-Drive是一种用途广泛,无缝且安全集成的伺服驱动器系统,涵盖了超低电压范围内从24V至48V的EC电动机应用。借助GaN Systems的器件,能够提高驱动器的效率,并且切换到更高的频率,从而与高压驱动系统相比,可以缩短电机响应时间。最近,西门子凭借新的Simatic Micro-Drive安全超低压系列产品进入了低压驱动器市场。集成的Simatic Micro-Drive系统具有两种不同的外壳尺寸,用于100W至1000W的电机输出。基本的构建块是由GaN Systems制造的GaN功率晶体管,这种四象限驱动系统既可以与集成制动斩波器一起使用在电源上,也可以直接在电池操作中使用。

    伺服驱动系统适用于移动、加工和定位中的各种不同应用,例如输送机系统和堆垛机起重机,单个或多个协调轴的定位,以及用于存储和检索机器或仓库系统的梭子,自动导引车(AGV)和医疗技术。

    GaN Systems首席执行官Jim Witham指出:“许多工业客户已经在其生产产品中利用了GaN功率器件。我们已经设计并测试了其高质量和高性能的要求,以赢得客户对GaN技术的信任,并且很高兴看到西门子和GaN Systems共同投入的努力正在实现。”

相关报告
  • 《NexGen使用Aixtron的AIX G5 HT MOCVD平台于垂直GaN-on-GaN晶体管的生产》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2018-07-22
    • 位于德国Herzogenrath的沉积设备制造商Aixtron SE正在为美国纽约DeWitt的NexGen Power Systems公司(成立于2017年)提供高端金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,以持续开发氮化镓电子器件,开发了更紧凑,更轻和更具成本效益的电源转换系统。 NexGen订购了Aixtron的AIX G5 HT行星平台,计划于2018年第三季度发货。 Aixtron声称,作为市场上唯一嵌入晶圆级控制的MOCVD系统,AIX G5对于GaN-GaN,GaN-on-Si和GaN-on-SiC的外延生产非常高效,适用于电力电子和RF应用。 Aixtron总裁Felix Grawert博士评论道:“我们期待着支持NexGen努力改革现有的电源转换系统,近年来,在半导体行业中我们的AIX G5 HT行星工具作为精确、可靠和具有成本效益的制造设备建立了良好的声誉 ,开启了快速采用GaN器件对抗硅及其等效产品方法的大门。”
  • 《FBH启动项目“基于AlN的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-12-08
    • 德国莱布尼兹技术研究所(FBH)最近启动了一项联合项目“基于AlN的功率晶体管(ForMikro-LeitBAN)”。高效的能量转换对于AI和工业4.0的应用至关重要,为此的先决条件是有效开关功率半导体,以实现高功率密度,在很大程度可以节能,减少二氧化碳的排除。因此开发高效功率半导体,为可以电动汽车到人工智能的各种新颖应用铺平道。 该项目旨在开发氮化铝(AlN)半导体材料,以合适的器件对其进行测试,并使其可以在将来的系统中使用。迄今为止,氮化铝在电子领域的研究还很少,但其传导损耗却比硅器件低10000倍,并且具有很高的击穿强度和导热率,这是具有高能量密度和效率的功率半导体的理想先决条件。应使用独立式绝缘AlN晶片,并将其作为基板。与外来衬底(例如碳化硅(SiC))上的AlN外延相比,位错密度可以降低五个数量级。 从概念上讲,新型AlN组件基于经过充分研究的GaN技术。一个新的方面是从传统的异质衬底过渡到独立的AlN衬底。ForMikro-LeitBAN正在研究这种AlN晶圆的开发,并在量身定制的设备工艺中对其进行测试。用于毫米波应用和电力电子能量转换器的测试系统使新型高效AlN器件可用于相应系统中。 ForMikro-LeitBAN涉及很多合作伙伴,这些合作伙伴共同覆盖了整个生产链(从AlN晶片到毫米波和电力电子系统),如:Ferdinand-Braun-Institut(FBH)、弗朗霍夫IISB、埃尔兰根(IISB)TU Bergakademie-Freiberg(IAP)、FAU、BTU、柏林工业大学(TUB)等。 系统的效率受到半导体的静态和动态功率损耗的限制,该损耗由相应的材料决定,使用传统的基于硅的功率部件来提高电转换器和功率放大器的效率变得越来越困难。因此,必须研究性能提高的新型半导体材料,并将其推向市场。