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《集成电路封测》

  • 来源专题:集成电路封测
  • 编译类型:快报,简报类产品
  • 发布时间:2020-09-15
集成电路封测信息主题
  • AES展示了工业4.0——即用型气体输送设备控制技术
    shenxiang
    位于旧金山SEMICON West(7月10日至12日)和美国宾夕法尼亚州Malvern的应用能源系统公司(AES),提供高纯度和超高纯度的气体输送系统,服务和解决方案(包括设计,制造,测试,安装和现场服务)来展示其SEMI-GAS超高纯度气体输送系统的工业4.0就绪控制技术。 总经理Jim Murphy说:“在半导体行业围绕着工业4.0技术进行了大量的讨论,以及如何将它们应用于制造过程的变革中,我们认为这是突出我们控制技术的最佳时机。” 持续的数据采集和远程系统监控功能使他们能够准备SCADA,并能够为晶圆厂操作员提供对系统性能的即时洞察,从而延长生产的正常运行时间。此外,这些控制器还兼容工业4.0,可轻松与其他用于监控和管理生产流程的系统集成。

    发布时间: 2018-07-09

  • 昆山加码“芯”产业 迎来高端汽车电子封装线
    shenxiang
    昆山开发区近日携手华天科技(昆山)电子有限公司,推进高可靠性车用晶圆级先进封装生产线项目,进一步布局当地集成电路产业。 据介绍,该封装生产线项目总投资约20亿元人民币,将利用华天昆山公司现有空地建设厂房,总建筑面积约36000平方米。项目达产后,年新增传感器高可靠性晶圆级集成电路先进封装可达36万片,年新增产值约10亿元人民币,将形成规模化的高可靠性车用晶圆级封装测试及研发基地,吸引更多的高端专业人才和国际客户。 昆山开发区管委会副主任潘建康在签约仪式上表示,此次华天科技集成电路封装测试的项目放在昆山开发区是对昆山投资环境的一种认可,开发区会努力服务好项目的实施,不断加强服务和支持力度。 “首先我们要对昆山开发区的支持表达感谢,此次车载项目意义非凡,符合我们在昆山初步形成晶圆级制造研发基地的规划,将有助于我们在此打造研发天堂,形成产业集群,为昆山当地经济作出应有的贡献。”华天科技(昆山)电子有限公司总经理肖智轶说。 昆山市委常委、昆山开发区党工委副书记沈一平表示,此次车载项目具有前瞻性和战略性,华天科技有望成为昆山打造集成电路产业过程中标杆性的企业,封测业对于实现先进制造业自主可控具有重要意义,昆山会全力支持服务好华天科技,把主导产业做大做强。 据了解,华天科技(昆山)电子有限公司是由天水华天科技股份有限公司投资的高新技术企业,以晶圆级集成电路封装为主导,在昆山建立高端封装生产和研发基地,作为华天科技向海外及沿海地区拓展的窗口,2017年实现总产值11.45亿元人民币。华天科技致力于CIS图像传感器、MEMS、LED、Bumping、指纹识别、FO、SSP等消费类电子产品的封装测试和研发,同时承担国家级重大02专项的实施。

    发布时间: 2018-11-21

  • STMicroelectronic与Leti共同开发GaN-on-Si二极管和晶体管架构来用于功率转换开关器件
    shenxiang
    瑞士日内瓦的STMicroelectronics和法国微纳米技术研发中心CEA-Leti正在合作开发氮化镓硅(GaN-on-Si)技术用于工业化功率开关器件,这将使ST能够解决高效率、高功率方面的高端问题,也包括用于混合动力和电动汽车(HEV / EV)的汽车载充电器、无线充电和服务器技术方面的问题。 此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证GaN-on-Si二极管和晶体管架构的功率,研究公司IHS Markit预测,从2019年到2024年,这个市场的年复合增长率(CAGR)将以超过20%的速度增长。 STMicroelectronic集团总裁Marco Monti表示“研究宽带隙半导体具有令人难以置信的价值,ST在CEA-Leti的功率GaN-on-Si制造和封装技术方面做出了贡献,这使我们拥有业界最完整的GaN和SiC组合产品,并在此基础之上已证明有能力批量生产高质量、可靠的产品。”

    发布时间: 2018-10-09

  • 替代2.5D封装,Intel计划将专用封装技术标准化
    shenxiang
    英特尔(Intel)准备要在几周后公布一种虽然「小」但是具策略性的专有芯片封装介面规格,该技术有可能会成为未来的标准,实现像是叠迷你乐高积木(Lego)那样结合小芯片(chiplet)的系统单芯片(SoC)设计方法。 目前英特尔正在对其先进介面汇流排(Advanced Interface Bus,AIB)规格进行最后润饰,AIB是该公司开发的高密度、低成本嵌入式多芯片互连桥接技术(embedded multi-die interconnect bridge,EMIB)中,裸晶(die)对裸晶连结的实体层功能区块。 英特尔已经将AIB规格授权给一项美国官方研究专案的少数合作伙伴,并打算将该规格透过一个产业联盟免费授权给任何有兴趣的公司。若该公司能说服某个现有产业联盟来提供AIB,该规格可望在几周内公布;而如果得建立一个新的联盟,可能就得花费长达半年时间。 在传统半导体制程微缩技术变得越来越复杂且昂贵的此刻,像是EMIB这样能实现高性能芯片(组)的低成本、高密度封装技术日益重要。台积电(TSMC)所开发的整合型扇出技术(InFO)也是其中一种方案,已被应用于苹果(Apple) iPhone的A系列处理器。 英特尔一直将EMIB幕后技术列为「秘方」,包括所采用的设备以及在芯片之间打造简化桥接的方法;不过该公司打算将AIB变成一种任何封装技术都能使用、连接「小芯片」的标准介面,以催生一个能支援自家产品的零件生态系统。 还有不少人支持英特尔的愿景,例如在美国国防部高等研究计画署(DARPA)负责「CHIPS」专案的经理Andreas Olofsson就表示:「为小芯片打造乙太网路是CHIPS专案最重要的目标,」而英特尔也参与了该专案。 据说美光(Micron)也是该研究专案的伙伴之一,开发了两种轻量化AIB介面通讯协议──其一是沟通性质(transactional),另一种是用以串流资料;那些通讯协议以及AIB可能最后都会透过同一个产业联盟释出。 除了英特尔的EMIB,也有其他厂商准备推出类似的解决方案。例如由Marvell创办人暨前执行长Sehat Sutardja发起的Mochi专案;还有新创公司zGlue去年锁定物联网SoC发表的类似技术。晶圆代工业者Globalfoundries也表示正与封装业者合作开发其他技术选项。 英特尔的EMIB与其他类似技术是否能获得市场欢迎,仍有待观察;而这些方案都是著眼于降低SoC设计的成本与复杂性。 图1 英特尔于2014年首度发表EMIB,表示该技术是2.5D封装的低成本替代方案。 英特尔表示,EMIB能提供达到每平方毫米(mm 2 )达500个I/O的密度,等同于台积电的2.5D CoWas封装,但成本更低;CoWos是透过大型且相对较昂贵、位于下方的矽中介层来连结裸晶,而EMIB是直接在芯片之间连线,不需要透过更大的中介层。 台积电的InFo方法则是以较低成本的有机封装(organic package)来连结芯片,但在密度上不如EMIB;EMIB目前可支援到小至2微米(micron)的对齐间距,台积电也期望让InFO支援到相同的密度水准。 技术顾问机构TechSearch International总裁、封装技术分析师E. Jan Vardaman表示,CoWoS是目前能提供最精细尺寸的技术;而Globalfoundries、三星(Samsung)与联电(UMC)则是提供类似的2.5D封装技术。 Vardaman将台积电的InFO与日月光(ASE)的FOCoS、还有Amkor的SWIFT技术归为同一类,表示这一类技术的密度较低,采用放置于层压基板之载体上的线路重分布层(redistribution layer );她补充指出,三星也准备推出差不多类似的解决方案。 英特尔是在2014年首度发表EMIB技术,做为其晶圆代工业务提供的技术之一,但该技术到目前为止市场接受度并不高,只被用在英特尔自家芯片上,连结FPGA与外部SerDes、记忆体还有Xeon处理器。 此外英特尔发表了某个版本的Kaby Lake系列x86处理器,因为搭配以EMIB连结的AMD绘图芯片与HBM 2记忆体,让市场观察家大感惊讶并赢得赞誉;本月稍早,英特尔在宣布收购eASIC时也表示将研议把EMIB运用于后者产品。

    发布时间: 2018-07-31

  • 华天科技:拟80亿元在南京投建集成电路先进封测产业基地
    shenxiang
    华天科技7月6日晚间发布公告,公司拟在南京浦口经济开发区投资建设南京集成电路先进封测产业基地项目。公司与南京浦口经济开发区管理委员会于2018年7月6日签订南京集成电路先进封测产业基地项目《投资协议》。项目总投资80亿元,分三期建设,主要进行存储器、MEMS、人工智能等集成电路产品的封装测试。 公司表示,本项目的实施符合国家发展集成电路产业的战略要求,同时长三角地区为我国集成电路产业的主要聚集区,且南京区位优势明显、经济发展水平较高、半导体产业基础较好,此外南京及周边地区聚集了大量集成电路产业方面人才,公司此次对外投资将充分利用当地区位、政策和产业生态建设的综合优势,扩大公司先进封装测试产能,进一步提升公司市场地位,增强公司核心竞争力,符合公司发展战略。全部项目计划不晚于2028年12月31日建成运营。

    发布时间: 2018-07-13

  • Anokiwave在全新多功能毫米波集成电路系列中推出首款智能增益模块
    Lightfeng
    美国加利福尼亚州圣地亚哥市的Anokiwave公司,它为毫米波(mmW)市场和有源天线解决方案提供高度集成的硅芯片和III-V前端集成电路,已经推出了其首款智能增益模块新系列多功能微波和毫米波硅芯片,可提供完整的发射和接收功能,并具有主动增益和相位控制功能。新的IC系列提供多功能射频模块,可用于各种应用,包括卫星通信,雷达,5G通信和传感。 业务开发副总裁Abhishek Kapoor说:“硅技术允许以非常小的尺寸和低廉的价格将多种射频功能集成到一块IC中,利用这些新IC,设计人员现在可以在整个RF信号链中使用同一个IC来实现多种功能,使用软件接口增强了控制能力,并且提供与传统离散砷化镓(GaAs)IC相当或更好的性能。”

    发布时间: 2018-04-22

  • 安森美半导体订购Veeco MOCVD系统
    Lightfeng
    Veeco Instruments Inc.宣布,安森美半导体已经订购了其Propel大批量制造(HVM)氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统。 Propel GaN MOCVD系统专为数据中心中使用的高压电源管理设备而设计;如汽车,信息和通信技术;防御;航空航天和配电系统等应用。 安森美半导体企业研发和开放式创新高级总监Marnix Tack表示:“我们之前使用Veeco的K465i GaN MOCVD系统学习,促使我们调查了Propel HVM平台的产品线。 测试结果表明,器件性能出色,具有高均匀性,晶圆内和晶圆到晶圆的可重复性,同时满足我们对六英寸和八英寸晶圆的拥有成本目标。因此,Propel HVM系统被证明是我们电力电子制造需求的最合适的平台。”

    发布时间: 2018-06-21

  • 汉能首批CIG靶材成功交付出货,填补国产化空白
    shenxiang
    2018年6月27日,汉能首批铜铟镓(CIG)靶材在MiaSolé高端装备集团泉州靶材示范工厂成功交付出货,标志着汉能在CIG靶材生产和销售上正式开启国产化进程。此举对填补国内CIG靶材领域的空白,打破对国外进口产品的依赖具有里程碑式的意义。 据悉, CIG靶材是溅镀法生产铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池的关键材料,通过物理加工的方法把高纯度的铜、铟、镓三种金属涂覆在不锈钢管上,经过车床高精度加工成型。作为CIGS薄膜太阳能的核心部件,CIG靶材工艺复杂,成本也比较高,之前一直被国外垄断,国产化需求非常迫切。 汉能在收购美国薄膜电池公司MiaSolé之后,一直积极地推进CIG靶材的国产化进程。米亚索乐装备集成(福建)有限公司靶材中心总经理万捷介绍说,“此前,CIG靶材一直在美国MiaSolé生产,泉州靶材示范工厂从2015年开始筹建工厂、从国外到国内的技术转移、设备的搬入安装调试以及产品检测认证到今天第一批产品顺利出货,我们用3年时间真正实现了CIG靶材的国产化。” 此次,泉州靶材示范工厂仅用一周时间就完成了首批CIG靶材的订单,未来将实现年产CIG靶材600MW。汉能薄膜发电集团执行董事、副总裁徐晓华表示,“首批CIG靶材的成功出货实现了核心工艺真正意义的国产化,填补了汉能乃至整个行业CIG靶材生产的技术空白。并通过后续实现量产化,大幅降低原材料的生产成本,通过CIG靶材的生产和销售牢牢把握原材料供应端,并与MiaSolé技术路线形成产业链优势。” 徐晓华还透露,今年,泉州600MW靶材厂将全部投产。同时,汉能还将扩大工厂规模,以泉州为源头不断输出CIG靶材产线,有计划地投建更多的靶材工厂,并将同步在贵阳、大同、西安三地修建1.2 GW、600 MW和2.4GW的靶材工厂,实现产能的大幅提升,为汉能的薄膜太阳能发展提供持续动力。

    发布时间: 2018-07-03

  • 首尔半导体的AC LED模块通过4kV浪涌测试,将NanoDriver应用扩展到工业和商业照明
    Lightfeng
    韩国LED制造商首尔半导体有限公司利用其最新推出的NanoDriver系列LED驱动器,展示了一款277VAC照明模块,其符合业界标准的4kV浪涌测试。 以前,AC LED模块主要仅用于住宅照明应用,因为该技术的能力有限,无法满足工业和商业应用的浪涌要求。该演示模块证明,使用该公司的NanoDriver系列LED驱动器可以实现具有高浪涌能力的277VAC模块。 首尔半导体公司表示,在最近推出产品之前,许多LED灯具设计师都认为AC LED技术是一种低性能,低成本的解决方案,假设AC LED技术的性能受到影响,从而限制了它的适用性。 执行副总裁Keith Hopwood说:“这个演示模块证明AC LED和驱动器技术可以成功地集成到工业和商业照明中,扩大了这些更小,更简单,成本更低的灯具设计的市场”。

    发布时间: 2018-05-20

  • SMI为CdTe / II-VI材料生长提供紧凑的封闭空间升华系统
    shenxiang
    在美国新泽西州皮斯卡塔韦,一家提供化学气相沉积(CVD)系统、相关组件、材料和工艺开发服务的结构材料工业公司(SMI)为CdTe / II-VI材料生长提供包装解决方案和其他可用的材料 ,并且为CdTe / II-VI材料生长提供手动或自动封闭空间升华系统,快速线性滑动装载、卸载和升华、沉积组件使得CdTe / II-VI材料可以有效的生长。 由于该系统占地面积小,因此特别适用于预算面临限制和设施受限制的研究。 此外,由于在框架中留有空间用于附加的气体和前体,该系统可以随着研究人员的需求而不断改进和发展。

    发布时间: 2018-08-29

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