瑞士日内瓦的STMicroelectronics和法国微纳米技术研发中心CEA-Leti正在合作开发氮化镓硅（GaN-on-Si）技术用于工业化功率开关器件，这将使ST能够解决高效率、高功率方面的高端问题，也包括用于混合动力和电动汽车（HEV / EV）的汽车载充电器、无线充电和服务器技术方面的问题。
此次合作的重点是在200mm晶圆上开发和验证GaN-on-Si二极管和晶体管架构的功率，研究公司IHS Markit预测，从2019年到2024年，这个市场的年复合增长率（CAGR）将以超过20％的速度增长。
STMicroelectronic集团总裁Marco Monti表示“研究宽带隙半导体具有令人难以置信的价值，ST在CEA-Leti的功率GaN-on-Si制造和封装技术方面做出了贡献，这使我们拥有业界最完整的GaN和SiC组合产品，并在此基础之上已证明有能力批量生产高质量、可靠的产品。”
