【会议背景】2023年12月，2023年世界无线电通信大会（WRC-23）在阿联酋迪拜举行。本届大会完成了新一轮对国际电信联盟《无线电规则》的修订，在6G、北斗短报文、卫星频率轨道资源、后续大会议题设置等四方面取得了丰硕成果，确定了未来5—10年无线电频谱和卫星轨道资源开发利用的优先方向。     【会议内容】据悉，新一轮《无线电规则》的修订，就新增IMT（5G/6G）频率划分、全球水上遇险与安全系统新增卫星系统、高空平流层电台、星载航空专用通信、无人机卫星测控、空间天气传感器、空间业务规则等议题达成了共识，以支持技术创新，深化全球连通，强化海上、空中和陆地安全，促进卫星频率和轨道资源的公平获取和高效利用。     【会议成果】大会取得的成果主要包含四方面： 一是为支持6G发展，在中国的主要推动下，全球大部分国家新划分了6425-7125MHz共700MHz带宽的中频段6G频谱资源。 二是北斗短报文系统加入全球水上遇险与安全系统取得阶段性进展，为后续北斗短报文系统早日开通全球水上遇险与安全系统服务，提升国际海上遇险救援和安全通信能力创造了有利条件。 三是卫星频率轨道资源使用管理的国际规则不断完善。大会在低轨卫星轨道容限、大规模低轨星座分阶段部署、保护静止轨道卫星的磋商机制，Ku、Ka频段动中通地球站，以及星间链路频率划分等方面形成了一系列新决议，促进卫星频率轨道资源更加公平、合理和高效使用。 四是在我国的积极推动下，大会为2027年世界无线电通信大会设立了手机直连卫星和S频段非地面网络频率使用议题，以适应6G天地一体化国际移动通信发展需求；设立了月面通信、射电天文宁静区保护、卫星地球探测等科学研究议题，促进卫星遥感和空间科学发展。

   2023年12月，据OFweek光通讯网报道，来自日本国家信息和通信技术研究所（NICT）的研究人员与埃因霍温理工大学、拉奎拉大学合作，仅使用一根光纤就成功演示了每秒22．9千兆比特的破纪录数据速率，这是NICT此前创下的世界纪录（10．66千兆比特／每秒）的两倍多。   在这项研究中，研究人员成功地将大规模空分复用（SDM）和多频带波分复用（WDM）等最新研究技术结合起来，展示了未来超大容量光通信网络的路径。    在最终的成功实验中，NICT展示了每秒22．9拍比特的光纤数据通信的可能性，这是之前每秒10．66拍比特记录的两倍多。利用多频段兼容的MIMO接收机，研究人员们首次成功地将多频段WDM和多核、多模SDM相结合。s波段使用293个波长通道，c和l波段使用457个波长通道，总共750个WDM通道，覆盖18．8 THz的频率带宽。信号调制采用偏振复用256 QAM。在多频段WDM传输演示中，空间信道数增加了28．5倍。虽然非耦合四核MCF适合早期适应，但未来需要使用超大容量光纤进一步改善电信基础设施，预计数据流量需求将增加3个数量级（x1000倍）。该研究首次成功实现了采用多核多模光纤的多频段WDM和SDM的结合，这是实现未来超大容量光纤通信网络的关键。

【政策背景】2023年12月21日，商务部、科技部修订发布《中国禁止出口限制出口技术目录》（商务部 科技部公告2023年57号，以下简称《目录》）。 【政策内容】本次《目录》修订共删除34项技术条目，新增4项，对37项技术条目的控制要点和技术参数进行了修改。修订后《目录》由164项压缩至134项，其中禁止类24项，限制类110项。光通信领域共有四项技术被列入了限制出口的部分，包括： 1. 二氧化碳（CO2）激光传输光纤制造技术 （1）10.6μm处光损耗<1dB/m 的玻璃光纤的成份及制备技术 （2）10.6μm处光损耗<0.5dB/m的晶体光纤制备技术 （3）10.6μm处光损耗<1dB/m 的空芯光纤制备技术。 2. 双坩埚的制造及20孔坩埚拉制光学玻璃纤维技术。 3. 光纤拉丝被覆流水线技术的工艺参数。 4. 可编程数字锁相频率合成技术；DDS+PLL跳频信号源。 据悉，目前规定中，属于该目录禁止出口的技术，不得出口。属于限制出口的技术，实行许可证管理；未经许可，不得出口。属于自由出口的技术，实行合同登记管理。

    2023年12月21日，荷兰半导体设备制造商ASML表示，已经向英特尔交付首个High NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统。据悉，组装为设备的High-NA EUV光刻机需要13个货柜、250个板条箱进行运输，预计于2026年或2027年投入商用芯片的制造。  早在今年九月，ASML就公开表示将于年底推出业界首款High NA EUV光刻机。相较目前0.33数值孔径的EUV光刻机，High-NA EUV光刻机的数值孔径提升至0.55，可以成比例地提高可实现的临界尺寸——从0.33NA系统的13nm提升到0.55NA系统的8nm，从而进一步提升光刻分辨率，以支持2nm制程及以下工艺的芯片制造。因此，High NA EUV光刻机被业界视为实现尖端芯片量产的关键设备。  ASML组装了两个TWINSCAN EXE:5000高数值孔径光刻系统。其中一个由ASM与imec合作开发，将于2024年安装在ASML与imec的联合实验室中，预计2025年投入量产。另一个由英特尔在2018年订购，时隔5年完成交付。  12月15日，英特尔发布了首款基于Intel 4 制程工艺打造的初代酷睿Ultra 移动处理器，这也意味着英特尔“四年五个制程节点”的目标正在按照计划推进。2021年，英特尔正式提出“IDM 2.0”战略，宣布加大对先进制程工艺和晶圆厂建设的投资力度，打造世界一流的英特尔代工服务；同年，英特尔公布“四年五个制程节点”计划，预计将在四年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A五个制程节点的开发，力争在2025年重新确立在半导体行业的领先地位。在Intel 4实现量产后，英特尔计划在Intel 3节点进一步增加对EUV技术的使用，以实现约18%的每瓦性能提升。Intel 20A和Intel 18A预计在每瓦性能上分别较上一个节点提升约10%。  据了解，英特尔会将High-NA EUV光刻设备应用于Intel 18A 工艺的开发和验证中。

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