1. 技术助力远程血压监测的实施与影响评估

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高血压是导致发病率和死亡率的主要原因之一。家庭血压监测能改善血压控制，但关于利用技术实现的远程血压监测（TERM）在家中实施的证据有限。本评估旨在改进对TERM血压服务的理解，探讨其如何运作、影响因素、影响、传播和规模化。 研究方法包括在四个实施TERM血压监测的地点进行多方法快速定性评估。我们在各个地点对工作人员（35人）和患者（15人）进行了访谈，并分析了关键服务文件。通过与工作人员、患者以及区域和国家利益相关者举行的三次工作坊，帮助优化学习过程。主题分析和综合以及与现有文献的对比，指导了建议的提出，并采用了“不采用、放弃和挑战技术规模化、传播和可持续性”框架。 结果显示，TERM血压监测的实施在治理、患者资格、技术、劳动力和工作流程上有所不同。其感知影响包括改善血压控制、病例发现和更高效的工作量分配。技术启用和纸质路径的并行运行缓解了获取不平等，但增加了行政工作负担。社会技术对实施的影响涉及技术的友好性和适应性、卫生系统关系和资源、实践能力和学习文化以及患者的接受度和能力提升。 结论是技术和社会力量共同演变以塑造TERM血压路径，并管理共存的紧张关系，包括计划、出现、需求和能力。决策者应建立一个灵活的、逐步的方法，将技能嵌入团队和系统中，并支持证据生成以促进规模化和传播。

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发布时间: 2025-10-12

2. 香港理工大学与教育大学徐秉刚、洪福教授联合发表高性能AI芯片先进设计综述，解析能效突破、多模态处理及脑启发计算等关键技术路径

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随着人工智能模型发展到数十亿参数的规模，传统计算架构在能效、处理速度和硬件可扩展性方面面临越来越大的挑战。香港理工大学和香港教育大学的研究人员，以徐斌教授和胡红教授为首，发布了一篇关于高性能AI芯片设计的全面综述。这项研究提供了关于满足现代AI应用需求的下一代芯片技术的重要见解。 ### 为何先进AI芯片如此重要 - **能效提升**：先进的芯片设计显著降低了功耗，解决了AI计算中的“能源墙”问题。 - **多模态处理**：这些芯片通过可重构和异构架构，高效处理图像、音频、文本等多种数据类型。 - **类脑计算**：通过模仿神经结构，神经形态芯片提供低延迟、事件驱动的计算，适用于边缘AI和实时任务。 ### 创新设计和特性 - **芯片类型**：综述涵盖了多种AI芯片，包括模拟AI加速器、光子处理器、神经形态系统和量子芯片，每种芯片都针对特定的AI工作负载进行了优化。 - **功能材料**：重点介绍了新兴材料，如相变存储器（PCM）、阻性RAM（RRAM）和二维半导体，这些材料能够实现高密度、低功耗的计算。 - **集成技术**：引入了高级封装和三维集成方法，比如整体3D（M3D）和范德华层压技术，以克服缩放限制并提高系统性能。 ### 应用与未来展望 - **内存计算**：通过将存储和计算结合，这些芯片消除了冯·诺依曼瓶颈，使AI推理和训练更快且更节能。 - **边缘AI**：神经形态和异步芯片专为智能传感器、物联网和自主系统设计，提供超低功耗和实时响应能力。 综上所述，这篇综述不仅探讨了当前AI芯片技术的前沿，还展望了其未来的发展方向，特别是在解决能源效率和处理速度等关键问题上的潜力。

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发布时间: 2025-10-12

3. Nvidia与富士通合作推动AI基础设施发展

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美国科技公司Nvidia与日本电信及计算机制造商富士通（Fujitsu）于2025年10月3日在东京宣布合作，共同利用Nvidia的计算芯片推进人工智能，开发智能机器人等多种创新技术。Nvidia首席执行官黄仁勋表示，AI工业革命已经开始，建立基础设施以支持AI发展在日本及全球至关重要。双方计划在医疗、制造、环境、下一代计算和客户服务等领域构建“AI基础设施”，目标是在2030年前为日本市场量身定制，并可能扩展到全球市场。 此次合作将利用富士通在日本市场的丰富经验和Nvidia的GPU技术，尽管双方未公布具体项目或投资金额，但提到可能与日本机械和机器人制造商安川电机（Yaskawa Electric Corp.）合作进行AI机器人开发。两家公司已经在通过数字孪生和机器人技术加速制造业，以应对日本劳动力短缺问题。富士通首席执行官Tokita表示，此次合作以“以人为本”的方式保持日本的竞争力，旨在创造前所未有的新技术，并解决更多严重的社会问题。

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发布时间: 2025-10-12

4. 中国对稀土相关技术的出口管制新规导致荷兰阿斯麦公司EUV光刻机交付延迟，影响台积电、三星、英特尔等芯片制造商先进制程布局，暴露全球半导体产业链对中国关键材料的深度依赖

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近日，中国对稀土相关技术出口管制的新规引发了全球半导体产业链的震动。荷兰阿斯麦（ASML）公司是全球唯一的极紫外（EUV）光刻机供应商，其向客户交付先进光刻机可能面临数周乃至更长时间的延迟。这一事件表明中美科技博弈已扩展到上游核心设备与战略材料领域。 中国在全球稀土供应链尤其是高纯度稀土材料的加工与提炼领域占据主导地位。新出台的出口管制措施意味着外国企业使用含有中国稀土元素或技术的产品需经过更复杂的审批流程。这对于依赖稀土元素的EUV光刻机来说，影响尤为严重。光刻机的核心组件，如产生激光的等离子体光源系统和超精密磁控系统，均需要掺入钕（Nd）等稀土元素。 此次供应链风险暴露的冲击波，从阿斯麦迅速扩散至整个行业。阿斯麦在公开回应上表现谨慎，反映了其在地缘政治夹缝中的两难境地。而台积电、三星和英特尔这三大芯片制造商成为直接受害者，正在建设或规划的下一代芯片工厂面临延迟交付风险，这将导致量产时间表推迟，并带来巨大财务损失。 此次事件为半导体行业敲响了警钟，显示出即使在欧美主导的设备制造领域，其根基仍然与中国的关键材料深度绑定。

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发布时间: 2025-10-12

5. SecureFoundry推出HBA光刻系统，实现高效芯片制造

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SecureFoundry公司今天推出了其基于欧洲原创架构的Hyper-Beam Array (HBA)光刻系统，这是一种新一代光刻技术。与单束和多束方法不同，HBA系统使用数万个独立控制的电子束，在15分钟内即可完全图案化一个100mm的晶圆，效率远超现有的电子束技术。HBA工具支持晶圆级集成、先进的扇出封装，以及在一次运行中实现多种设计变化，为AI芯片设计师提供了快速实验和反馈的机会。与传统的光刻技术不同，HBA光刻无需昂贵的掩模且具有较短的周期时间，采用65,000个平行电子束直接对晶圆进行图案化，每个束流独立控制。系统通过两次扫描晶圆，自动补偿任何漏掉的图案，确保系统的可靠性和一致性，并提供细粒度的控制和高保真度的图案放置。HBA光刻系统特别适用于混合量生产和安全关键应用场景，具备灵活性、可追溯性和重复性。该系统也填补了半导体供应链中设计、研究和开发之间的空白，支持研究机构、国防承包商和商业合作伙伴寻求敏捷的本地解决方案。

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发布时间: 2025-10-12

6. ClassOne发布Solstice Max模块化300mm单晶圆平台

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ClassOne Technology今日宣布推出Solstice Max，一款新型模块化300mm单晶圆平台。Solstice Max基于Solstice S系列的成熟技术，针对200mm和300mm基板扩展了公司的单晶圆湿处理技术，在可扩展性、性能和灵活性方面开创新时代。该平台专为广泛的晶圆级封装（WLP）应用设计，能够处理200mm和300mm晶圆，提供先进的电镀和表面准备性能。Solstice Max以低所有权成本为目标，提供无与伦比的性价比、过程灵活性和模块化设计，适应用户生产需求的增长。 Solstice Max系统功能高度复杂但操作和维护较简单，便于集成到客户的生产线中。其模块化、可扩展的架构支持硅、玻璃、减薄和结合晶圆，拥有多达16个用于电化学沉积（ECD）、溶剂和蚀刻应用的处理腔室。平台设计允许客户从四腔室基础起步，随着生产规模扩大扩展到最多16个腔室。尽管具有高可扩展性，Solstice Max仍保持洁净室友好的占地面积，并适应高度受限的厂房。 ClassOne Technology的CEO Byron Exarcos表示：“Solstice Max为电镀、湿处理、溶剂剥离和晶圆清洁提供交钥匙解决方案，在不增加不必要的复杂性的情况下，提供卓越的性能和吞吐量。它是先进封装、种子和屏障蚀刻、溶剂处理以及后端应用中行业领先的投资回报率和所有权成本。”

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发布时间: 2025-10-12

7. 据Credence Research报告，全球代工厂行业预计从2023年的1255.6亿美元增至2032年的1717亿美元，受人工智能、高性能计算及先进封装技术推动，CAGR达3.99%，政府补贴加速区域化布局

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根据Credence Research的新报告，全球代工市场预计将从2023年的1255.6亿美元增长到2032年的1717亿美元，年复合增长率（CAGR）为3.99%。这一增长主要受到人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和下一代通信技术的快速普及推动。AI加速器、GPU和5G芯片组的需求激增，促使代工厂提升产能并转向3nm和2nm等先进工艺节点。同时，代工厂正大量投资于异构集成和基于小芯片的架构，以提高AI工作负载的效率和灵活性。包括3D堆叠和晶圆级集成方法（如CoWoS和InFO）在内的先进封装技术也在迅速发展，使得芯片设计更加密集和节能。 各国政府在重塑全球代工格局中发挥着显著作用。美国、中国和欧盟成员国正在提供大规模补贴，以本地化半导体制造并减少对海外代工厂的依赖。欧洲的《芯片法案》旨在通过支持德国、法国和意大利的项目来强化这一战略，特别是针对汽车级半导体和工业物联网（IIoT）应用。整体来看，这一趋势对欧洲及全球的半导体制造、封装和本地化芯片生产领域带来了重要发展，影响电子供应链和创新布局。

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发布时间: 2025-10-12

8. 先进封装技术成印度半导体产业竞争焦点，本土设备商布局制造与供应链建设

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在2025年，下一代HVAC（暖通空调）设计将集成雷达占用检测和精确的CO2传感技术，这些创新旨在推动技术趋势和市场增长。同时，芯片设计的不断创新也是这一领域的重要推动力。 在印度，半导体行业的先进封装技术成为新的竞争焦点。随着行业从追求更小的晶体管转向系统级集成，芯片的组装变得至关重要。在SEMICON India 2025大会上，塔塔电子与默克公司、凯恩与英飞凌公司分别签署了谅解备忘录，显示出印度认识到封装不再是低价值的外包步骤。此外，印度政府正与公司、初创企业和生态系统参与者合作，加强其芯片设计生态系统。 总体来看，这些技术和基础设施的进步，特别是在HVAC设计和半导体封装方面，显示出全球技术产业的持续创新和发展势头。

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发布时间: 2025-10-12

9. 欧洲在光刻、加密芯片、电池材料、红外成像等领域取得系列技术进展，推动制造业创新升级

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在近年来的科技发展中，光刻技术和电子制造领域取得了显著进展。2025年10月，英国引进了一种基于欧洲架构的超光束阵列光刻系统。这一系统由65,000个独立控制的平行光束操作，提供了无法通过电子束技术实现的能力，被认为解决了芯片设计的终极难题。 此外，EDA公司Mentor参与了Nano 2022项目，以促进法国电子制造业的发展。该项目涵盖了从组件、连接器和PCB设计到嵌入式软件和工具的整个电子制造过程，是欧盟推动功率IC、传感器和光学设备研究与创新的重要项目。 2018年4月，Fraunhofer应用聚合物研究所在柏林的印刷电子展上展示了新型喷墨打印墨水，这些墨水使得在薄膜和玻璃等固体基材上打印有机显示器或太阳能电池成为可能，应用领域包括建筑、纺织工业等多个行业。 同样在2018年3月，法国微电子研究中心Leti宣布开发了一种通过安全码加密个别芯片的方法。Leti与光刻设备供应商Mapper Lithography合作，利用多光束直接写入技术完美实现了一种不可篡改的代码生成方式。 这些技术进步不仅推动了电子制造和光刻技术的发展，也为多个行业带来了新的应用和创新可能性。

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发布时间: 2025-10-12

10. imec启动300mm氮化镓开放创新计划，推动高效能电力电子发展

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imec的300mm氮化镓（GaN）开放创新计划吸引了AIXTRON、GlobalFoundries、KLA、Synopsys和Veeco作为首批合作伙伴，旨在推动低电压和高电压功率电子应用的发展。作为imec工业联盟计划（IIAP）的一部分，该项目致力于开发300mm GaN外延生长技术及低高电压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺流程。使用300mm基板将有助于降低GaN设备的制造成本，并促进更先进的功率电子设备的发展，例如高效的低压CPU和GPU负载点转换器。随着GaN快速充电器的推出，GaN技术在功率电子应用中的潜力进一步凸显。 通过在GaN外延生长、设备和IC制造、可靠性和稳健性以及系统级优化方面的持续进展，GaN技术有望引领新一代功率电子产品。这些新设备将具有更小的体积、更轻的重量和更高的能量转换效率，应用领域包括汽车内置充电器和DC/DC转换器、太阳能板逆变器以及电信和AI数据中心的配电系统。目前，GaN技术的发展趋势是向更大直径的晶圆转移，虽然200mm的产能现已成熟，但通过启动300mm GaN项目，imec希望在现有200mm技术基础上实现进一步突破。 Stefaan Decoutere，imec的GaN功率电子项目研究员兼项目经理表示：“转向300mm晶圆的好处不仅限于提高生产规模和降低制造成本。我们的CMOS兼容GaN技术现在可以借助300mm的先进设备，开发更先进的GaN功率电子设备。”

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发布时间: 2025-10-12