台塑集团旗下DRAM大厂南亚科董事会昨（6）日决议，上调今年资本支出上限金额，由2月通过的92亿元，增至157.6亿元，增幅达71.3%，更比去年大增1.9倍，将用来冲刺10纳米制程技术自主研发，建置10纳米制程试产线。
法人指出，新冠肺炎冲击全球，半导体市况趋于混沌之际，南亚科逆势调高资本支出，凸显公司加速10纳米制程量产脚步的决心，以因应后续疫情退散后，市场需求庞大商机。
南亚科表示，2月董事会原订今年资本支出上限92亿元，年增逾67%，其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。因应实际需求，昨天董事会决定将今年资本支出再新增65.6亿元，比原订金额增加71.3%，让今年资本支出推升至不超过157.6亿元。
南亚科表示，这次增加资本支出金额，主要是建置10纳米制程试产线。
南亚科早在三年前就决定自主研发10纳米，时间点也就是在与美光敲定全数处分华亚科股权给美光之后，虽然当时南亚科拿到价值数百亿元的美光股票和现金，也保留可以选择在1x纳米向美光授权的交换条件，但在考量技术自主下，就开始投入10纳米研发，经历三年时间，在成功产出1A制品后，今年元月初正式通知美光，将自主研发。
南亚科的10纳米分成A、B、C三个世代，这个制程和美光原本的20纳米相比，就是南亚科采用的记忆储存细胞（Cell）可进行微缩，因此可由1A逐步推进至1B再到1C。
其中，1A世代已预定今年下半年试产，1B制程技术也开始研发阶段，预计2022年前导入试产，后续会开发第三代1C制程技术，这次建置试产线，也就是为了投入1A世代制程进行试产。
南亚科提高今年资本支出上限至157.6亿元，远高于去年的55亿元，但仍低于2017年的294亿元及2018年的208亿元。南亚科昨天股价涨0.3元，收63.3元。
法人认为，南亚科决定加速10纳米制程试产脚步，应是自主研发的DDR4DRAM成功重返伺服器市场，而且在PCDRAM领域，也屡获一线大厂青睐，为南亚科经营团队，注入强心针。
南亚科冲刺10纳米制程自主研发，以及DRAM与逻辑元件异质芯片整合能力，今年将扩大征才近200人，增幅逾二成，将整体研发大军扩编至千人规模，相关征才作业已紧锣密鼓进行。
南亚科是继美光宣布在台扩大招募人才之后，又一家看好DRAM在第五代移动通讯（5G）和人工智能（AI）快速发展下，带动各项边缘运算应用增加，加入抢人才行列的大厂。
南亚科总经理李培瑛表示，今年正式迈入自主研发10纳米技术试产，扩编研发阵容是必要之策。他坦承，台积电大幅提高资本支出、吸纳人才，加上对岸重新启动来台挖角，南亚科这波征才可能会面临不小的压力。
不过，李培瑛强调，南亚科近年大幅提升员工福利，也针对菁英人员祭出优渥留才措施，加上这几年在市场、客户和产品组合布局，都有良好成效。
