《布局 | 台积电计划在中国台湾建造更多3纳米芯片工厂》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2022-06-20
  • 台积电正在进一步增加其在中国台湾地区的足迹,计划在台南的生产中心再建四座设施,每座价值100亿美元,打算用于制造3纳米芯片。台积电一直以来都在努力扩大生产,以解决全球芯片短缺的问题。虽然世界上其他地方的尝试进展缓慢,但在中国台湾进展得更快。
    据日经亚洲报道,作为台积电生产中心的一部分,台南市工业园区的四座新设施完工后,该公司正在开始建设另外四座工厂。据报道,每个建设项目将花费台积电约100亿美元,并构成1200亿美元投资计划的一部分。
    所有这四个新项目据说都是制造3纳米芯片的生产线。未来可能在这些工厂生产的产品可以包括苹果的SoC,包括Apple Silicon和A系列芯片。
    台积电17日宣布,它打算在2025年前开启2纳米芯片的量产。
    这四个设施只是该公司在全岛建设更多设施的更大计划的一部分。至少有20家工厂正在建设中或最近已经完成,这些项目总共可带来超过200万平方米的建筑面积。
    中国台湾并不是台积电正在建设工厂的唯一地区,亚利桑那州一个价值120亿美元的工厂项目预计将在2023年3月完成建设。据报道,台积电还与新加坡经济发展局就一个新工厂进行了谈判。

相关报告
  • 《中国台湾企业斥巨资进攻10纳米DRAM》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-05-14
    • 台塑集团旗下DRAM大厂南亚科董事会昨(6)日决议,上调今年资本支出上限金额,由2月通过的92亿元,增至157.6亿元,增幅达71.3%,更比去年大增1.9倍,将用来冲刺10纳米制程技术自主研发,建置10纳米制程试产线。 法人指出,新冠肺炎冲击全球,半导体市况趋于混沌之际,南亚科逆势调高资本支出,凸显公司加速10纳米制程量产脚步的决心,以因应后续疫情退散后,市场需求庞大商机。 南亚科表示,2月董事会原订今年资本支出上限92亿元,年增逾67%,其中包含10纳米级制程研发、试产及20纳米递延等资本支出。因应实际需求,昨天董事会决定将今年资本支出再新增65.6亿元,比原订金额增加71.3%,让今年资本支出推升至不超过157.6亿元。 南亚科表示,这次增加资本支出金额,主要是建置10纳米制程试产线。 南亚科早在三年前就决定自主研发10纳米,时间点也就是在与美光敲定全数处分华亚科股权给美光之后,虽然当时南亚科拿到价值数百亿元的美光股票和现金,也保留可以选择在1x纳米向美光授权的交换条件,但在考量技术自主下,就开始投入10纳米研发,经历三年时间,在成功产出1A制品后,今年元月初正式通知美光,将自主研发。 南亚科的10纳米分成A、B、C三个世代,这个制程和美光原本的20纳米相比,就是南亚科采用的记忆储存细胞(Cell)可进行微缩,因此可由1A逐步推进至1B再到1C。 其中,1A世代已预定今年下半年试产,1B制程技术也开始研发阶段,预计2022年前导入试产,后续会开发第三代1C制程技术,这次建置试产线,也就是为了投入1A世代制程进行试产。 南亚科提高今年资本支出上限至157.6亿元,远高于去年的55亿元,但仍低于2017年的294亿元及2018年的208亿元。南亚科昨天股价涨0.3元,收63.3元。 法人认为,南亚科决定加速10纳米制程试产脚步,应是自主研发的DDR4DRAM成功重返伺服器市场,而且在PCDRAM领域,也屡获一线大厂青睐,为南亚科经营团队,注入强心针。 南亚科冲刺10纳米制程自主研发,以及DRAM与逻辑元件异质芯片整合能力,今年将扩大征才近200人,增幅逾二成,将整体研发大军扩编至千人规模,相关征才作业已紧锣密鼓进行。 南亚科是继美光宣布在台扩大招募人才之后,又一家看好DRAM在第五代移动通讯(5G)和人工智能(AI)快速发展下,带动各项边缘运算应用增加,加入抢人才行列的大厂。 南亚科总经理李培瑛表示,今年正式迈入自主研发10纳米技术试产,扩编研发阵容是必要之策。他坦承,台积电大幅提高资本支出、吸纳人才,加上对岸重新启动来台挖角,南亚科这波征才可能会面临不小的压力。 不过,李培瑛强调,南亚科近年大幅提升员工福利,也针对菁英人员祭出优渥留才措施,加上这几年在市场、客户和产品组合布局,都有良好成效。
  • 《为赶超台积电!三星开始批量生产6纳米芯片》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2020-01-09
    • 据businessKorea报道,三星电子已开始批量生产基于极紫外(EUV)技术的6纳米芯片。 三星于去年4月向全球客户提供7纳米产品,自开始大规模生产7纳米产品以来,三星仅在八个月内就推出了6纳米产品。三星的微加工工艺技术升级周期正在缩短,特别是向6纳米EUV工艺的过渡有望缩小与全球第一大晶圆代工厂台积电(TSMC)的差距。 据介绍,三星电子去年12月在京畿道华城校区S3线开始批量生产基于EUV技术的6纳米芯片。三星合作伙伴公司的一位官员说:“据我所知,6纳米产品已经交付给北美的大型企业客户。”行业专家认为,三星的6纳米产品将提供给高通公司。 三星希望通过开始批量生产6纳米产品给台积电施加压力。全球市场研究公司TrendForce表示,去年第四季度,台积电的市场份额占全球晶圆代工市场的52.7%,与三星的差距扩大到17.8%。 三星未能赶超台积电的主要原因是三星在16纳米和12纳米工艺之后开发7纳米工艺的时间很晚。台积电通过其7纳米技术,垄断了苹果(最大的无晶圆厂客户)的AP供应。 此前,三星电子在2014年首次将14纳米鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺商业化,但在7纳米工艺开发中却失去了领先台积电的优势。目前,7纳米产品在三星销售中所占的份额很小。为了克服这个问题,三星正在加紧努力以缩短7nm以下微加工工艺的开发周期。 继大量生产6纳米产品之后,三星电子计划在今年上半年推出5纳米产品。此外,三星电子有在今年上半年采用正在研发中的最新3纳米全栅极(GAA)工艺技术来制造尖端芯片的计划。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版,能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。