《Anokiwave在全新多功能毫米波集成电路系列中推出首款智能增益模块》

  • 来源专题:集成电路封测
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-04-22
  • 美国加利福尼亚州圣地亚哥市的Anokiwave公司,它为毫米波(mmW)市场和有源天线解决方案提供高度集成的硅芯片和III-V前端集成电路,已经推出了其首款智能增益模块新系列多功能微波和毫米波硅芯片,可提供完整的发射和接收功能,并具有主动增益和相位控制功能。新的IC系列提供多功能射频模块,可用于各种应用,包括卫星通信,雷达,5G通信和传感。

    业务开发副总裁Abhishek Kapoor说:“硅技术允许以非常小的尺寸和低廉的价格将多种射频功能集成到一块IC中,利用这些新IC,设计人员现在可以在整个RF信号链中使用同一个IC来实现多种功能,使用软件接口增强了控制能力,并且提供与传统离散砷化镓(GaAs)IC相当或更好的性能。”

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    • 为毫米波(mmW)市场和有源天线解决方案提供高度集成的硅芯片和III-V前端集成电路的美国加利福尼亚州圣地亚哥市的Anokiwave公司,将发布一组两款新IC,一系列多功能微波和毫米波硅芯片,提供完整的发射和接收功能以及有源增益和相位控制。新型“智能增益模块”(IGB)IC系列提供多功能射频模块,可用于SatCom,雷达,5G通信和传感等各种应用。 与以前发布的IGB系列IC(AWMF-0116和AWMF-0117)类似,AWMF-0141和AWMF-0143提供功率放大器(PA),低噪声放大器(LNA),6位增益和相位控制和发送/接收(T / R)开关,全部集成在Ku和Ka波段中运行的单个IC中。移除T / R开关可以提供更大的灵活性并改善输出功率和噪声系数。
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    • 编译者:Lightfeng
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    • 美国的Qorvo公司已推出了其5G应用产品,即第一个28GHz氮化镓(GaN)前端模块( FEM)。据称,在扩展5G时,新的单通道FEM可以降低基站设备制造的整体系统成本。 QPF4001 FEM工作频率为26-30GHz,集成了高线性度三级低噪声放大器(LNA),低损耗发送/接收(T / R)开关和高增益,高效率三级功率放大器(PA)在单个单片微波集成电路(MMIC),紧凑的5mm x 4mm气腔叠层表面贴装封装针对5G基站架构的28GHz相控阵元件间距进行了优化。新型GaN FEM可实现更小、更强大、更高效的毫米波相控阵系统,可将信号引导至带宽需求更大的区域。 Qorvo表示,在此应用中使用其0.15μmGaN-on-SiC技术,可以更有效地实现更高水平的EIRP(等效全向辐射功率),同时最大限度地减小阵列尺寸和功耗,从而降低系统成本。