《Qorvo推出首款28GHz GaN前端模块,面向5G固定无线接入基站》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-12-16
  • 美国的Qorvo公司已推出了其5G应用产品,即第一个28GHz氮化镓(GaN)前端模块( FEM)。据称,在扩展5G时,新的单通道FEM可以降低基站设备制造的整体系统成本。

    QPF4001 FEM工作频率为26-30GHz,集成了高线性度三级低噪声放大器(LNA),低损耗发送/接收(T / R)开关和高增益,高效率三级功率放大器(PA)在单个单片微波集成电路(MMIC),紧凑的5mm x 4mm气腔叠层表面贴装封装针对5G基站架构的28GHz相控阵元件间距进行了优化。新型GaN FEM可实现更小、更强大、更高效的毫米波相控阵系统,可将信号引导至带宽需求更大的区域。

    Qorvo表示,在此应用中使用其0.15μmGaN-on-SiC技术,可以更有效地实现更高水平的EIRP(等效全向辐射功率),同时最大限度地减小阵列尺寸和功耗,从而降低系统成本。

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