《三星14nm低功耗FinFET》

  • 来源专题:半导体工艺技术
  • 编译者: tengfei
  • 发布时间:2016-01-25
  • 相比之前的14nmLEP制程技术,三星今年计划推出14nm LPP制程技术,将应用于Exynos 8 SoC中。

    现阶段生产FinFET晶体管的主要有三家:英特尔、三星和台积电。三星已经在14nm FinFET工艺上演进了两代工艺。分为14nm FinFET LPE(Low Power Early版本,代表作为三星Exynos 7420、Exynos 7422、苹果A9等芯片)、14nm FinFET LPP(Low Power Plus版本,Qualcomm骁龙820为该工艺的首发芯片)。三星官方给出的数据是14nm FinFET LPE工艺相较于上一代28nm工艺性能提升40%,封装面积降低50%,功耗降低60%。

    三星新推出的14nm LPP制程技术,全新的14纳米处理器运用3D FinFET设计结构,实现高性能和低功耗。通过晶体管结构和工艺上的优化改进,与之前通过14nm LPE制程生产的处理器相比,三星14nm LPP制程生产的处理器性能提升了15%,而功耗则降低了15%。此外,使用全耗尽技术的FinFET晶体管使得芯片的生产克服了尺寸缩小的限制,制造能力将进一步增强。

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