登录
 机构网站
  1. 首页
  2. 情报产品
  3. 快讯详情

《Synopsys公司的Galaxy设计平台为三星代式的14LPP FinFET工艺认证》

  • 来源专题：集成电路
  • 编译者： Lightfeng
  • 发布时间：2016-04-16

  • Synopsys公司今天宣布，三星代工已经为三星的14LPP FinFET工艺认证为Synopsys Galaxy™。这个工艺可以提供高性能的计算密集型设计和低功耗的移动应用。有了多功能的投片，包括许多批量生产的设计，基于Galaxy 的14LPP流采用了Synopsys PrimeTime®里先进波形传播（AWP）的流程，能够保证多千兆赫（GHz）在波形敏感的超低电压中运行的性能。该认证还制作了一个兼容天猫设计系统的参考流程，包括自动化和设计最佳实践的脚本。

    三星代工的资深销售和营销副总裁Ben Suh说：“我们的14LPP工艺的认证和参考使得三星和Synopsys公司之间的紧密合作成为可能。设计工程师们可以自信地把他们的设计移植到我们先进的使用硅验证的Galaxy设计平台流的基于FinFET工艺的批量生产中去。”

123浏览量
原文链接
相关报告

  • 《三星14nm低功耗FinFET》
    • 来源专题：半导体工艺技术
    • 编译者：tengfei
    • 发布时间：2016-01-25
    • 相比之前的14nmLEP制程技术，三星今年计划推出14nm LPP制程技术，将应用于Exynos 8 SoC中。 现阶段生产FinFET晶体管的主要有三家：英特尔、三星和台积电。三星已经在14nm FinFET工艺上演进了两代工艺。分为14nm FinFET LPE(Low Power Early版本，代表作为三星Exynos 7420、Exynos 7422、苹果A9等芯片)、14nm FinFET LPP(Low Power Plus版本，Qualcomm骁龙820为该工艺的首发芯片)。三星官方给出的数据是14nm FinFET LPE工艺相较于上一代28nm工艺性能提升40%，封装面积降低50%，功耗降低60%。 三星新推出的14nm LPP制程技术，全新的14纳米处理器运用3D FinFET设计结构，实现高性能和低功耗。通过晶体管结构和工艺上的优化改进，与之前通过14nm LPE制程生产的处理器相比，三星14nm LPP制程生产的处理器性能提升了15%，而功耗则降低了15%。此外，使用全耗尽技术的FinFET晶体管使得芯片的生产克服了尺寸缩小的限制，制造能力将进一步增强。
    184浏览量
    原文链接

  • 《 我国EDA设计公司鸿芯微纳的逻辑综合工具成功通过三星5nm EUV工艺认证》
    • 来源专题：集成电路
    • 编译者：李衍
    • 发布时间：2024-01-17
    • 据鸿芯微纳微信公众号1月17日报道，我国EDA软件公司鸿芯微纳日前宣布，继2022年其布局布线工具AGUDA®成功获得了三星5nm EUV工艺的认证之后，其最新自主开发的逻辑综合工具ROCSYN®在2023年年底也成功完成了三星5nmEUV工艺的认证。 逻辑综合和布局布线，是先进数字芯片设计的核心组成部分。在此之前，只有美国三大巨头具有先进代工厂认可的能力。鸿芯微纳成功获得5nm EUV工艺认证，代表了我国EDA技术在先进性和成熟度上都在日益提升，为我国芯片公司提供了除传统三巨头之外的可靠解决方案。
    424浏览量
    原文链接