《突破 | 苏州纳米所在新型氮化镓基光电器件领域取得进展》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: husisi
  • 发布时间:2023-10-18
  • 近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发,人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注,有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。 

    GaN基纳米柱具有表面体积比大、稳定性高和能带连续可调等优势,但能否作为理想材料制备人工突触器件以用于低功耗地模拟生物突触特性,这是值得研究的问题。近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队在前期纳米柱相关工作的基础上,研发了基于GaN基纳米柱/石墨烯异质结的人工突触器件。实验证明,在光刺激下该器件能够有效模拟神经突触特性,包括记忆特性、动态的“学习-遗忘”特性和光强依赖特性,可实现从短期记忆(STM)到长期记忆特性(LTM)的转变(图1)。相关成果以Realize low-power artificial photonic synapse based on (Al,Ga)N nanowire/graphene heterojunction for neuromorphic computing为题,发表在《应用物理快报-光子学》(APL Photonics)上。

    在上述纳米柱阵列研究的基础上,该团队提取了单根GaN纳米柱,实现了人工突触器件的制备,并与器件电导性能相结合,构建了神经网络以模拟对数字图像的识别【识别准确率可在30个训练周期后达 93%(图2)】。由于单根GaN纳米柱的体积极小,单次脉冲能耗可低至 2.72×10-12 J,这有助于研发低功耗的神经网络计算系统。相关成果以Light-stimulated low-power artificial synapse based on a single GaN nanowire for neuromorphic computing为题,发表在《光子学研究》(Photonics Research)上。

    研究工作得到国家自然科学基金面上项目和中国科学院基础前沿科学研究计划从0到1原始创新项目等的资助,并获得苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)、纳米加工平台和测试分析平台的支持。

    图1. 基于GaN基纳米柱阵列的人工突触器件的构建及其突触性能表征

    图2. 基于单根GaN纳米柱的人工突触器件的结构示意图、扫描电子显微镜(SEM)图片及其数字图像识别功能

相关报告
  • 《苏州纳米所陆书龙团队在新型氮化镓基光电器件领域取得进展》

    • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:hujm
    • 发布时间:2023-09-28
    •  近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率有了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发,人工突触器件应运而生,因具有同时处理和记忆数据的能力而受到广泛关注,有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。   GaN基纳米柱具有表面体积比大、稳定性高和能带连续可调等优势,但是其能否作为一种理想材料制备人工突触器件,用于低功耗地模拟生物突触特性,是值得研究的问题。在前期纳米柱相关研究工作的基础上(Journal of Alloys and Compounds 2023, 966: 171498;Optics Express, 2023, 31: 8128;Nano Energy 2022, 100: 107437),最近中国科学院苏州纳米所陆书龙团队成功研发了一种基于GaN基纳米柱/石墨烯异质结的人工突触器件。实验证明,在光刺激下该器件能够有效模拟神经突触特性,包括记忆特性、动态的“学习-遗忘”特性和光强依赖特性,可以实现从短期记忆(STM)到长期记忆特性(LTM)的转变(图1)。  上述研究成果以Realize low-power artificial photonic synapse based on (Al,Ga)N nanowire/graphene heterojunction for neuromorphic computing为题发表于APL Photonics,第一作者是中国科学院苏州纳米所博士生周敏。   在上述纳米柱阵列的基础上,该团队提取了单根GaN纳米柱,实现了人工突触器件的制备,并与器件电导性能相结合,构建神经网络模拟对数字图像的识别,识别准确率可在30个训练周期后高达 93%(图2)。由于单根GaN纳米柱的体积极小,单次脉冲能耗可低至 2.72×10-12 J,这有助于研发低功耗的神经网络计算系统。相关研究成果以Light-stimulated low-power artificial synapse based on a single GaN nanowire for neuromorphic computing为题发表于Photonics Research,共同第一作者是中国科学院苏州纳米所博士生周敏和副研究员赵宇坤。   上述论文的通讯作者为中国科学院苏州纳米所赵宇坤副研究员和陆书龙研究员,相关研究工作得到了国家自然科学基金面上项目、中国科学院从0到1原始创新项目等科研项目的资助,同时也得到了中国科学院苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)、纳米加工平台和测试分析平台的支持。
  • 《突破 | 半导体所在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2024-07-24
    • III-族氮化物多采用蓝宝石衬底异质外延生长,由于大的晶格失配和热失配,导致高密度穿透位错(108-1010),极大地影响氮化物发光器件、电子电力器件性能。中国科学院半导体研究所刘志强研究员团队长期聚焦氮化物生长界面研究并形成系列研究成果,明确了原子尺度氮化物/蓝宝石生长界面构型,阐明了原子尺度界面应力释放机制。近期,半导体所刘志强研究员团队与北京大学高鹏教授,福州大学吴朝兴教授、郭太良教授,韩国汉阳大学Tae Whan Kim教授团队合作,在氮化物位错演化机制及光电神经网络器件研究领域取得新进展。 当前对于穿透位错的有效抑制手段有限且低效。为了进一步揭示氮化物生长界面的原子尺度位错演化过程,有效降低穿透性刃位错密度,半导体所刘志强研究员团队与北京大学高鹏教授团队开展合作,对GaN /Al2O3界面进行了平面高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析,同时观察到了摩尔图案(Moiré patterns)变形和失配位错的终止;并对摩尔图案变形区域进行原子级表征,基于原子结构以及伯格斯矢量分析,确定导致摩尔图案变形的缺陷类型为穿透刃位错,从而证明外延层中的穿透刃位错起源于界面处失配位错的融合反应(图1-2)。 基于此氮化物穿透位错演化机制的新理解,研究人员构建了滑移界面,降低了滑移势垒,引入了新的应力释放途径,从而揭示了氮化物生长界面位错原子级演化过程,提出了从源头上抑制位错生成的外延新思路,最终实现GaN外延层穿透刃位错密度降低近一个数量级。 基于高质量外延材料的氮化物光电器件是实现类脑神经网络的技术路线之一。半导体所刘志强研究员团队与福州大学吴朝兴教授,郭太良教授、韩国汉阳大学Tae Whan Kim教授团队合作,构建了基于高质量nano-LED的人工感知神经网络,模拟了人类神经系统中的多通路信号传递过程。 人脑神经元的应答是即时、高度并行、复杂输出的,构建仿生神经形态电子系统是类脑计算领域的重要研究课题。在交流脉冲驱动下,nano-LED生成具有记忆效应的电致光信号脉冲,利用光脉冲波形中的特征波峰对多个分布式传感器的电信号进行编码,并在人工感知神经网络中无串扰同步传输。构建的人工感知神经网络成功模拟了人脑的触觉感知,识别准确率达到98.88%。 图1 GaN/Al2O3界面STEM-HAADF刃位错直接观测图像及原子结构示意 图2 GaN/Al2O3界面穿透刃位错演化机制 图3 基于记忆电致发光的传入神经系统示意