《苏州纳米所陆书龙团队在新型氮化镓基光电器件领域取得进展》

  • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
  • 编译者: hujm
  • 发布时间:2023-09-28
  •  近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率有了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发,人工突触器件应运而生,因具有同时处理和记忆数据的能力而受到广泛关注,有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。

      GaN基纳米柱具有表面体积比大、稳定性高和能带连续可调等优势,但是其能否作为一种理想材料制备人工突触器件,用于低功耗地模拟生物突触特性,是值得研究的问题。在前期纳米柱相关研究工作的基础上(Journal of Alloys and Compounds 2023, 966: 171498;Optics Express, 2023, 31: 8128;Nano Energy 2022, 100: 107437),最近中国科学院苏州纳米所陆书龙团队成功研发了一种基于GaN基纳米柱/石墨烯异质结的人工突触器件。实验证明,在光刺激下该器件能够有效模拟神经突触特性,包括记忆特性、动态的“学习-遗忘”特性和光强依赖特性,可以实现从短期记忆(STM)到长期记忆特性(LTM)的转变(图1)。

     上述研究成果以Realize low-power artificial photonic synapse based on (Al,Ga)N nanowire/graphene heterojunction for neuromorphic computing为题发表于APL Photonics,第一作者是中国科学院苏州纳米所博士生周敏。

      在上述纳米柱阵列的基础上,该团队提取了单根GaN纳米柱,实现了人工突触器件的制备,并与器件电导性能相结合,构建神经网络模拟对数字图像的识别,识别准确率可在30个训练周期后高达 93%(图2)。由于单根GaN纳米柱的体积极小,单次脉冲能耗可低至 2.72×10-12 J,这有助于研发低功耗的神经网络计算系统。相关研究成果以Light-stimulated low-power artificial synapse based on a single GaN nanowire for neuromorphic computing为题发表于Photonics Research,共同第一作者是中国科学院苏州纳米所博士生周敏和副研究员赵宇坤。

      上述论文的通讯作者为中国科学院苏州纳米所赵宇坤副研究员和陆书龙研究员,相关研究工作得到了国家自然科学基金面上项目、中国科学院从0到1原始创新项目等科研项目的资助,同时也得到了中国科学院苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)、纳米加工平台和测试分析平台的支持。

  • 原文来源:http://www.sinano.cas.cn/news/kyjz/202309/t20230928_6888585.html;http://www.sinano.cas.cn/news/kyjz/202309/t20230928_6888585.html;http://www.sinano.cas.cn/news/kyjz/202309/t20230928_6888585.html
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    • 近年来,大数据、互联网和人工智能的快速发展,对数据处理的速度和效率提出了更高的要求。人类大脑是最复杂的计算系统之一,可以通过密集协调的突触和神经元网络同时存储、整合和处理大量的数据信息,兼具高速和低功耗的优势。受人脑的启发,人工突触器件应运而生。人工突触器件因具有同时处理和记忆数据的能力而备受关注,有望成为下一代神经形态计算系统中的核心元器件。  GaN基纳米柱具有表面体积比大、稳定性高和能带连续可调等优势,但能否作为理想材料制备人工突触器件以用于低功耗地模拟生物突触特性,这是值得研究的问题。近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陆书龙团队在前期纳米柱相关工作的基础上,研发了基于GaN基纳米柱/石墨烯异质结的人工突触器件。实验证明,在光刺激下该器件能够有效模拟神经突触特性,包括记忆特性、动态的“学习-遗忘”特性和光强依赖特性,可实现从短期记忆(STM)到长期记忆特性(LTM)的转变(图1)。相关成果以Realize low-power artificial photonic synapse based on (Al,Ga)N nanowire/graphene heterojunction for neuromorphic computing为题,发表在《应用物理快报-光子学》(APL Photonics)上。 在上述纳米柱阵列研究的基础上,该团队提取了单根GaN纳米柱,实现了人工突触器件的制备,并与器件电导性能相结合,构建了神经网络以模拟对数字图像的识别【识别准确率可在30个训练周期后达 93%(图2)】。由于单根GaN纳米柱的体积极小,单次脉冲能耗可低至 2.72×10-12 J,这有助于研发低功耗的神经网络计算系统。相关成果以Light-stimulated low-power artificial synapse based on a single GaN nanowire for neuromorphic computing为题,发表在《光子学研究》(Photonics Research)上。 研究工作得到国家自然科学基金面上项目和中国科学院基础前沿科学研究计划从0到1原始创新项目等的资助,并获得苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X)、纳米加工平台和测试分析平台的支持。 图1. 基于GaN基纳米柱阵列的人工突触器件的构建及其突触性能表征 图2. 基于单根GaN纳米柱的人工突触器件的结构示意图、扫描电子显微镜(SEM)图片及其数字图像识别功能
  • 《苏州纳米所陆书龙团队在氮化镓基纳米柱材料和探测器领域取得新进展》

    • 来源专题:生物安全知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:hujm
    • 发布时间:2022-06-20
    •  氮化镓(Gallium nitride,GaN)作为宽禁带半导体,是第三代半导体的代表性材料,其为直接带隙材料,具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点,在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维(如纳米柱、量子点)GaN基材料因其独特的物理特性,受到了学术界的广泛关注。   中国科学院苏州纳米所陆书龙团队利用分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)技术开展了GaN基纳米柱材料外延生长的研究,基于纳米柱结构的GaN基探测器有望获得良好的柔韧性,可以拓展GaN基材料在光电探测器领域的发展与应用。   在前期柔性GaN基纳米柱薄膜快速剥离技术和相关探测器件的基础上(ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943;ACS Photonics 2021, 8: 3282;Materials Advances, 2021, 2: 1006),最近该团队利用转移的(Al,Ga)N纳米柱薄膜制备了一种柔性自驱动紫外探测器,该器件具有很高的紫外/可见光抑制比(977)、比探测率(2.51×1011 Jones)和透明度(Max: 81%)。同时实验发现,该自驱动探测器具有良好的柔韧性(图1),500次的大幅弯折之后,器件的光电流的强度仍然保持稳定。此外,GaN基材料稳定的物化性质和器件钝化工艺,使探测器在长时间的光照测试(6000s)、耐久度测试(30天)后依然能具有良好的稳定性。  氮化镓(Gallium nitride,GaN)作为宽禁带半导体,是第三代半导体的代表性材料,其为直接带隙材料,具有发光效率高、热导率大、物理化学性质稳定等优点,在照明、显示、探测等多个领域有着很高的应用价值。低维(如纳米柱、量子点)GaN基材料因其独特的物理特性,受到了学术界的广泛关注。   中国科学院苏州纳米所陆书龙团队利用分子束外延(Molecular-beam epitaxy,MBE)技术开展了GaN基纳米柱材料外延生长的研究,基于纳米柱结构的GaN基探测器有望获得良好的柔韧性,可以拓展GaN基材料在光电探测器领域的发展与应用。   在前期柔性GaN基纳米柱薄膜快速剥离技术和相关探测器件的基础上(ACS Appl. Nano Mater. 2020, 3: 9943;ACS Photonics 2021, 8: 3282;Materials Advances, 2021, 2: 1006),最近该团队利用转移的(Al,Ga)N纳米柱薄膜制备了一种柔性自驱动紫外探测器,该器件具有很高的紫外/可见光抑制比(977)、比探测率(2.51×1011 Jones)和透明度(Max: 81%)。同时实验发现,该自驱动探测器具有良好的柔韧性(图1),500次的大幅弯折之后,器件的光电流的强度仍然保持稳定。此外,GaN基材料稳定的物化性质和器件钝化工艺,使探测器在长时间的光照测试(6000s)、耐久度测试(30天)后依然能具有良好的稳定性。  上述研究成果以Flexible self-powered photoelectrochemical photodetector with ultrahigh detectivity, ultraviolet/visible reject ratio, stability, and a quasi-invisible functionality based on lift-off vertical (Al,Ga)N nanowires为题发表于Advanced Materials Interfaces,共同第一作者是博士生蒋敏和张建亚,该论文被期刊选为背封面(Back Cover,图2)。  此外,团队在自驱动光电探测器中成功引入了GaN/铯铅溴(CsPbBr3)钙钛矿核壳异质结纳米柱结构,发现CsPbBr3量子点能够大幅提升光电流(约160%),从而提升响应度(1.08 vs 0.41 mA/W)。CsPbBr3量子点能够产生内建电场和调控能带,GaN与量子点之间的光反射也有利于增加光子吸收和载流子产生,从而增强光电流。相关工作以Enhance the responsivity and response speed of self-powered ultraviolet photodetector by GaN/CsPbBr3 core-shell nanowire heterojunction and hydrogel为题发表于Nano Energy ,第一作者是博士生张建亚。   上述论文的通讯作者为赵宇坤副研究员和陆书龙研究员,相关研究工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、中国科学院从0到1原始创新项目、江苏省重点研究项目以及所自有资金等项目的资助,同时也得到了中国科学院苏州纳米所纳米真空互联实验站(Nano-X),加工平台和测试平台的支持。