《国家第三代半导体技术创新中心首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术》

• 来源专题：集成电路与量子信息
• 发布时间：2024-09-03
• 原文来源：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzkzODE1NzE1MQ==&mid=2247574198&idx=2&sn=f96af1a89795c0092aa2927737f02d3d&chksm=c3f68ffe992b0208a4f88de0f1bb1b3d9ac48d7bb07a11bb6ce17023e82a7092e1fc6c946f93#rd

碳化硅是第三代半导体材料的代表性材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。市场调研机构Yole长期看好碳化硅功率器件市场，预计到2029年碳化硅功率器件市场规模将达到100亿美元、2023-2029年年复合增长率为25%。

目前业内应用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片为主。而沟槽栅结构的设计比平面栅结构具有明显的性能优势，可实现更低的导通损耗、更好的开关性能、更高的晶圆密度，从而大大降低芯片使用成本，却一直以来受限于制造工艺，沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品迟迟未能问世、应用。

近期，国家第三代半导体技术创新中心（南京）打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”，历时4年不断尝试新工艺最终建立全新工艺流程，自主研发成功攻关沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造关键技术，较平面型提升导通性能30%左右。

目前国家第三代半导体技术创新中心（南京）正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发，推出沟槽型的碳化硅功率器件。预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。