InGaN薄膜因其宽带隙可调的优点，在可见光领域内拥有广阔的应用前景，用于micro-LED全彩显示是其中最有潜力的应用之一，未来的智能手机、手表、虚拟现实眼镜等小尺寸显示屏都将受益于micro-LED技术。
目前micro-LED技术正面临两大挑战，首先是大家熟知的实现巨量转移技术非常困难，另一个就是缺乏高效可靠的红光micro-LED芯片。目前的红光LED是由AlGaInP材料制成，在正常芯片尺寸下，其效率高达60%以上。然而，当芯片尺寸缩小到微米量级时，其效率会急剧降低到1%以下。此外，AlGaInP材料较差的力学性能给巨量转移增加了新的困难，因为巨量转移要求材料具有良好的机械强度，以避免在芯片抓取和放置过程中出现开裂。
InGaN材料在具有较好机械稳定性和较短空穴扩散长度的同时，又与InGaN基绿光、蓝光micro-LED兼容，是红光micro-LED的较佳选择。然而，InGaN基红光量子阱存在严重的铟偏析问题，这将导致红光量子阱中的非辐射复合增加，从而引起效率降低。在过去20年的研究中，InGaN基红光LED功率转换效率不足2.5%。铟偏析问题严重阻碍了InGaN基红光LED的发展。因此，如何解决铟偏析问题是获得高效InGaN基红光LED的关键。
近日，南昌大学的江风益院士课题组在Photonics Research 2020年第8卷第11期上展示了他们最新研制的高光效InGaN基橙-红光LED结果。
(a) 高光效橙光LED外延材料结构示意图 与 (b) 其断面TEM测试结果
此项工作基于硅衬底氮化镓技术，引入了铟镓氮红光量子阱与黄光量子阱交替生长方法，并结合V形坑技术，从而大幅缓解了红光量子阱中高In组分偏析问题。再依据V形p-n结和量子阱带隙工程大幅提升了红光量子阱中的辐射复合速率。
使用该技术成功制备了一系列高效的InGaN基橙-红光LED。当发光波长分别为594、608和621 nm时，其功率转换效率分别为30.1% 、24.0%以及 16.8%，光效相较于以往报道的相同波段InGaN基LED结果整体提高了约十倍。
研究人员认为，该项技术在未来还有较大的进步空间，同时该团队的实验结果也证明了InGaN材料在制作显示应用的红光像素芯片上将有巨大潜力和美好前景。
