《LED领域重大突破!Nature发表黄维院士、王建浦团队成果》

  • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心 | 领域情报网
  • 编译者: 冯瑞华
  • 发布时间:2018-10-18
  • 由来自西北工业大学柔性电子研究院(IFE)、柔性电子材料与器件工业和信息化部重点实验室的黄维院士与来自南京工业大学海外人才缓冲基地(先进材料研究院IAM)的王建浦教授,带领团队在钙钛矿发光二极管(LED)领域再次取得重大突破。

    他们在世界上首次通过自发形成的具有亚微米尺度的离散型钙钛矿,使LED的光提取效率得到大幅度提升,在低成本、高亮度、大面积LED领域展现出独特的应用潜力,相关成果于10月11日首先在线发表在国际顶尖学术刊物——Nature(《自然》)上。

    LED能够将电能转成光能,被称为第四代照明光源或绿色光源,在显示与照明领域应用广泛,具有广阔的市场前景以及巨大的市场价值。但是,目前平面结构的LED、尤其是有机发光二极管(OLED)的发光效率还比较低,原因在于除了约20%-30%的光子能通过折射离开器件外,其他光子都被限制在器件中,因此科学家们通常采用光提取技术来提高LED的出光效率,然而该方法需要增加图案化光栅等特殊结构,并且成本高、制备工艺复杂,往往还会造成LED发光光谱和出光方向的改变,从而影响发光效率。

    针对这一世界性的重大科学难题,黄维院士以及王建浦教授所带领的团队,通过一种低温溶液方法,实现了由一层非连续、不规则分布的钙钛矿晶粒和嵌入在钙钛矿晶粒之间的低折射率有机绝缘层组成的发光层,进而大幅度地提高了LED的光提取效率。据南京工业大学(简称南工)IAM团队学术带头人、该研究主要负责人、南工先进材料研究院常务副院长王建浦教授介绍,使用该方法制备的LED器件外量子效率达到20.7%,在100 mA cm-2的电流密度下能量转化效率达到12%。此外,通过与浙江大学田鹤教授、戴道锌教授团队之间的合作,他们发现该方法形成的非周期性结构可以将LED光提取效率提高10个百分点。

    黄维院士指出,IFE与IAM团队作为国际上钙钛矿发光领域的开拓者之一,致力于解决钙钛矿发光器件中存在的效率和稳定性问题,继开展“钙钛矿维度调控实现高效发光”研究以来,此项研究成果再次实现了钙钛矿LED发光领域的重大突破,与目前市场上的OLED相比,所获得的器件效率大体一致,甚至在高亮度条件下的能量转化效率优于OLED,从而展现出非常广阔的应用前景。

    相关研究工作以“Perovskite light-emitting diodes based on spontaneously formed submicrometre-scale structures”为题于Nature杂志在线发表。

    黄维为该论文的共同通讯作者。以上研究工作得到国家重大科学研究计划、国家自然科学基金委员会相关人才计划项目等资助。

    据悉,2014年以来,黄维院士领衔的创新团队已相继在《自然》(Nature)《自然·材料》(Nature Materials)《自然·纳米技术》(Nature Nanotechnology)《自然·光子学》(Nature Photonics)和《自然·通讯》(Nature Communications)等国际顶尖学术期刊上发表一系列重要学术成果。

  • 原文来源:http://www.xincailiao.com/news/news_detail.aspx?id=306181
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    • 编译者:冯瑞华
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    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-10-25
    • 北京大学电子学院王兴军教授、彭超教授、舒浩文研究员联合团队在超高速纯硅调制器方面取得突破,实现了全球首个电光带宽达110GHz的纯硅调制器。这是自2004年英特尔在《自然》期刊报道第一个1GHz硅调制器后,国际上首次把纯硅调制器带宽提高到100GHz以上。日前,相关研究成果以《110GHz带宽慢光硅调制器》为题在线发表于《科学·进展》。 “该纯硅调制器同时具有超高带宽、超小尺寸、超大通带及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成工艺兼容等优势,满足了未来超高速应用场景对超高速率、高集成度、多波长通信、高热稳定性及晶圆级生产等需求,是硅基光电子领域的重大突破,为高速、短距离数据中心和光通信的应用提供了重要关键技术支撑,对于下一代数据中心的发展意义重大。”王兴军介绍。 “随着人工智能、大数据、云计算等新一代信息技术的大规模应用,全球数据总量呈指数式增长,以硅基光电子为代表的光电子集成技术成为光通信系统的重要发展趋势。在硅基光电子芯片系统中,硅基调制器可以实现电信号向光信号的功能转换,具有低成本、高集成度、CMOS集成工艺兼容等优点,是完成片上信息传输与处理的关键有源器件。”王兴军表示,但受限于硅材料本身较慢的载流子输运速率,纯硅调制器带宽典型值一般为30至40GHz,难以适应未来超过100Gbaud通信速率的需要,因而也成为硅基光电子学在高速领域发展的瓶颈之一。 在本次工作中,研究团队针对传统硅基调制器带宽受限问题,利用硅基耦合谐振腔光波导结构引入慢光效应,构建了完整的硅基慢光调制器理论模型,通过合理调控结构参数以综合平衡光学与电学指标因素,实现对调制器性能的深度优化。研究团队基于CMOS集成工艺兼容的硅基光电子标准工艺,在纯硅材料体系下设计并制备了在1550纳米左右通信波长下工作的超高带宽硅基慢光调制器,实现了110GHz的超高电光带宽,打破了迄今为止纯硅调制器的带宽上限,并同时将调制臂尺寸缩短至百微米数量级,在无须数字信号处理的情况下以简单的二进制振幅键控调制格式实现了单通道超过110Gbps的高速信号传输,降低了算法成本与信号延迟,同时在宽达8纳米的超大光学通带内保持多波长通信性能的高度均一性。 “研究团队在不引入异质材料与复杂工艺的前提下,实现了硅基调制器带宽性能的飞跃,未来还可实现低成本晶圆级的量产,展示了硅基光电子学在下一代超高速应用领域的巨大价值。”王兴军说。