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《意法半导体宣布投资50亿欧元在意大利新建8英寸SiC工厂》

  • 来源专题：集成电路
  • 发布时间：2024-06-04
  • 据官网5月31日报道，意法半导体宣布将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。

    该项目预计总投资约为50亿欧元（约合人民币392.61亿元），意大利政府将提供约20亿欧元的补助支持。新工厂的目标是在2026年投入生产，到2033年达到满负荷生产，满产状态下每周可生产多达15,000片晶圆。

    碳化硅园区将作为意法半导体全球碳化硅生态系统的中心，整合生产流程的所有步骤，包括碳化硅衬底开发、外延生长工艺、200mm前端晶圆制造和模块后端组装，以及工艺研发、产品设计、先进的研发实验室、模具、电源系统和模块，以及完整的封装能力。这将是首次在欧洲实现200mm碳化硅晶圆的大规模生产。

    原文链接：https://newsroom.st.com/media-center/press-item.html/c3262.html

  • 原文来源：https://www.newelectronics.co.uk/content/news/st-to-build-the-world-s-first-fully-integrated-silicon-carbide-facility-in-italy
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  • 《两大半导体龙头联手！228亿打造8英寸厂！》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：husisi
    • 发布时间：2023-06-14
    • 国内外两家半导体龙头宣布合作！ 6月7日，全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics）与中国化合物半导体龙头企业三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。 根据三安光电的公告，三安光电与ST的合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体（重庆）有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51％，意法半导体（中国）投资有限公司持股49％。 项目预计投资总额达32亿美元（228亿元人民币），目前正在等待监管部门批准，批准后即开工建设，计划在2025年第四季度点火生产，并预计到2028年全面达产。届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。 同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。该项目的完成仍需监管部门批准。 据悉，除了三安光电利用自有SiC衬底工艺以外，该合资厂还将采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。 对此，三安光电首席执行官林科闯表示：“该合资厂的成立将有力推动SiC器件在中国市场的广泛采用。作为一家国际知名的高品质SiC晶圆代工服务公司，三安还将新建一个SiC衬底工厂，专门为新成立的合资厂提供SiC衬底。这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位”。 意法半导体总裁兼首席执行官Jean－Marc Chery表示：“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化全速前进，在这个市场上，ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说，与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合，ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。” 作为中国第一家、全球第三家实现全产业链垂直整合的企业，三安光电碳化硅器件在国内上车进展加速。其产业链布局包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，碳化硅产能已达1．2万片／月。 据悉，湖南三安投资160亿元的长沙碳化硅全产业链工厂，2021年6月一期工程投产，6英寸碳化硅晶圆产能爬坡至15000片／月，二期工程预计2023年完工，达产后年产能50万片6英寸碳化硅晶圆。 三安光电相关负责人今年4月曾表示，三安光电将抓住2024年、2025年汽车业结构性缺芯的机会，加快推进国产碳化硅“上车”进程。
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  • 《布局 | 全球新规划8英寸SiC厂14座》
    • 来源专题：光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者：胡思思
    • 发布时间：2024-10-16
    • 过去几年，全球各大公司都在投资 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线，这些投资目前正逐步投入运营。 在全球范围内，意法半导体 (ST)、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界领先半导体 (VIS) 和 EPISIL、士兰微电子和 UNT 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。 意法半导体（ST）：5月31日，意法半导体宣布在意大利卡塔尼亚建设新的8英寸SiC工厂，整合SiC生产工艺的各个环节。新工厂预计于2026年开始生产，2033年达到满负荷，最高产能为每周15,000片晶圆，预计总投资约50亿欧元。 意法半导体与中国三安光电合资在中国重庆建设的8英寸SiC制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心。该项目于2023年6月宣布，预计将于2025年第四季度开始生产，预计2028年全面竣工。 安森美（Onsemi）：安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂于2023年完成扩建，计划在完成技术验证后，于2025年过渡至8英寸生产。届时产能将扩大至现有规模的10倍。 英飞凌：8月8日宣布，英飞凌位于马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期正式投入运营，预计2025年实现规模化生产。 Wolfspeed：Wolfspeed拥有全球首座也是最大的8英寸SiC工厂，位于纽约州莫霍克谷，于2022年4月正式开业。截至2024年6月，该工厂已实现20%的晶圆利用率。 2023年1月，Wolfspeed与汽车零部件供应商ZF宣布计划在德国萨尔州建设全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂。这一项目已被推迟，现在预计最早也要到2025年才能开工。 ROHM：ROHM在日本福冈县筑后町建设了SiC新工厂，将于2022年开始量产，并计划在2025年前从6英寸晶圆生产过渡到8英寸晶圆生产。2023年7月，ROHM宣布计划在2024年底前在日本宫崎县第二工厂开始生产8英寸SiC基板。 博世：博世位于德国罗伊特林根的工厂于 2021 年开始生产 6 英寸 SiC 晶圆，目前该工厂还生产 8 英寸 SiC 晶圆。位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂预计将于 2026 年开始生产 8 英寸 SiC 晶圆。 三菱电机：5月下旬，三菱电机宣布位于日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月完工，投产时间从2026年4月提前至2025年11月。 富士电机：今年 1 月，富士电机宣布未来三年（2024-2026 财年）投资 2000 亿日元用于 SiC 功率半导体生产，其中包括在日本松本工厂的 8 英寸 SiC 产能，预计将于 2027 年开始生产。 联合星科技（UNT）在绍兴市越城区建成首条8英寸SiC MOSFET晶圆生产线，并于今年4月完成工程批量生产，预计2025年实现量产。 士兰微电子：今年6月18日，士兰微电子在厦门正式启动我国首条8英寸SiC功率器件芯片生产线项目，总投资120亿元人民币。项目分两期建设，年产能为72万片8英寸SiC功率器件芯片。一期投资70亿元人民币，预计2025年三季度末完成初步并网，2025年四季度试产，年产量目标为2万片晶圆。二期投资约50亿元人民币。 世界先进半导体（VIS）与EPISIL：9月10日，世界先进宣布拟投资24.8亿新台币收购EPISIL 13%的股权，两家公司将合作研发和生产8英寸SiC晶圆技术，预计2026年下半年实现量产。 泰国首家碳化硅工厂：近日，泰国FT1 Corp合资公司投资115亿泰铢（3.5亿美元），利用从韩国芯片制造商转让的技术，建设泰国首家碳化硅工厂，生产6英寸和8英寸晶圆。该工厂预计将于2027年第一季度投产，以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。 概括 上述14家碳化硅工厂（其中12家在建）中，目前仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内能够供应8英寸SiC晶圆，预计其他厂商明年起将陆续开始供应8英寸SiC晶圆。
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