国内外两家半导体龙头宣布合作！
6月7日，全球排名前列的半导体公司意法半导体（STMicroelectronics）与中国化合物半导体龙头企业三安光电宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。
根据三安光电的公告，三安光电与ST的合资项目公司将由三安光电控股，暂定名为“三安意法半导体（重庆）有限公司”，其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51％，意法半导体（中国）投资有限公司持股49％。
项目预计投资总额达32亿美元（228亿元人民币），目前正在等待监管部门批准，批准后即开工建设，计划在2025年第四季度点火生产，并预计到2028年全面达产。届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。
同时，三安光电将利用自有SiC衬底工艺，单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂，以满足该合资厂的衬底需求。该项目的完成仍需监管部门批准。
据悉，除了三安光电利用自有SiC衬底工艺以外，该合资厂还将采用ST的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。
对此，三安光电首席执行官林科闯表示：“该合资厂的成立将有力推动SiC器件在中国市场的广泛采用。作为一家国际知名的高品质SiC晶圆代工服务公司，三安还将新建一个SiC衬底工厂，专门为新成立的合资厂提供SiC衬底。这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张，我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位”。
意法半导体总裁兼首席执行官Jean－Marc Chery表示：“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化全速前进，在这个市场上，ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说，与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂，这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合，ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外，进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。”
作为中国第一家、全球第三家实现全产业链垂直整合的企业，三安光电碳化硅器件在国内上车进展加速。其产业链布局包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装，碳化硅产能已达1．2万片／月。
据悉，湖南三安投资160亿元的长沙碳化硅全产业链工厂，2021年6月一期工程投产，6英寸碳化硅晶圆产能爬坡至15000片／月，二期工程预计2023年完工，达产后年产能50万片6英寸碳化硅晶圆。
三安光电相关负责人今年4月曾表示，三安光电将抓住2024年、2025年汽车业结构性缺芯的机会，加快推进国产碳化硅“上车”进程。
