《布局 | 全球新规划8英寸SiC厂14座》

  • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
  • 编译者: 胡思思
  • 发布时间:2024-10-16
  • 过去几年,全球各大公司都在投资 8 英寸碳化硅 (SiC) 生产线,这些投资目前正逐步投入运营。

    在全球范围内,意法半导体 (ST)、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、世界领先半导体 (VIS) 和 EPISIL、士兰微电子和 UNT 等公司都已宣布计划建设 8 英寸 SiC 芯片工厂。其中许多公司也在上游基板和外延材料领域取得了进展。

    意法半导体(ST):5月31日,意法半导体宣布在意大利卡塔尼亚建设新的8英寸SiC工厂,整合SiC生产工艺的各个环节。新工厂预计于2026年开始生产,2033年达到满负荷,最高产能为每周15,000片晶圆,预计总投资约50亿欧元。

    意法半导体与中国三安光电合资在中国重庆建设的8英寸SiC制造工厂将成为意法半导体的第三个SiC生产中心。该项目于2023年6月宣布,预计将于2025年第四季度开始生产,预计2028年全面竣工。

    安森美(Onsemi):安森美位于韩国富川的SiC晶圆厂于2023年完成扩建,计划在完成技术验证后,于2025年过渡至8英寸生产。届时产能将扩大至现有规模的10倍。

    英飞凌:8月8日宣布,英飞凌位于马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期正式投入运营,预计2025年实现规模化生产。

    Wolfspeed:Wolfspeed拥有全球首座也是最大的8英寸SiC工厂,位于纽约州莫霍克谷,于2022年4月正式开业。截至2024年6月,该工厂已实现20%的晶圆利用率。

    2023年1月,Wolfspeed与汽车零部件供应商ZF宣布计划在德国萨尔州建设全球最大、最先进的8英寸SiC器件制造工厂。这一项目已被推迟,现在预计最早也要到2025年才能开工。

    ROHM:ROHM在日本福冈县筑后町建设了SiC新工厂,将于2022年开始量产,并计划在2025年前从6英寸晶圆生产过渡到8英寸晶圆生产。2023年7月,ROHM宣布计划在2024年底前在日本宫崎县第二工厂开始生产8英寸SiC基板。

    博世:博世位于德国罗伊特林根的工厂于 2021

    年开始生产 6 英寸 SiC 晶圆,目前该工厂还生产 8 英寸 SiC 晶圆。位于美国加利福尼亚州罗斯维尔的工厂预计将于 2026 年开始生产 8 英寸 SiC 晶圆。

    三菱电机:5月下旬,三菱电机宣布位于日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月完工,投产时间从2026年4月提前至2025年11月。

    富士电机:今年 1 月,富士电机宣布未来三年(2024-2026

    财年)投资 2000 亿日元用于 SiC 功率半导体生产,其中包括在日本松本工厂的 8 英寸 SiC 产能,预计将于 2027 年开始生产。

    联合星科技(UNT)在绍兴市越城区建成首条8英寸SiC MOSFET晶圆生产线,并于今年4月完成工程批量生产,预计2025年实现量产。

    士兰微电子:今年6月18日,士兰微电子在厦门正式启动我国首条8英寸SiC功率器件芯片生产线项目,总投资120亿元人民币。项目分两期建设,年产能为72万片8英寸SiC功率器件芯片。一期投资70亿元人民币,预计2025年三季度末完成初步并网,2025年四季度试产,年产量目标为2万片晶圆。二期投资约50亿元人民币。

    世界先进半导体(VIS)与EPISIL:9月10日,世界先进宣布拟投资24.8亿新台币收购EPISIL 13%的股权,两家公司将合作研发和生产8英寸SiC晶圆技术,预计2026年下半年实现量产。

    泰国首家碳化硅工厂:近日,泰国FT1

    Corp合资公司投资115亿泰铢(3.5亿美元),利用从韩国芯片制造商转让的技术,建设泰国首家碳化硅工厂,生产6英寸和8英寸晶圆。该工厂预计将于2027年第一季度投产,以满足汽车、数据中心和储能市场日益增长的需求。

    概括

    上述14家碳化硅工厂(其中12家在建)中,目前仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内能够供应8英寸SiC晶圆,预计其他厂商明年起将陆续开始供应8英寸SiC晶圆。

  • 原文来源:https://www.esmchina.com/news/12357.html
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    • ■ 12英寸晶圆厂是目前最先进的集成电路产线。近4年,我国新投产10条12英寸产线,总投资约3200亿元;同时在建14条,总投资约5100亿元;另有23条规划待建,总投资约5000亿元。 ■ 江苏领跑全国12英寸产线数,集中在无锡、南京和淮安三城。近4年新建产线中,上海、陕西、北京和辽宁四省市以老项目扩产为主,江苏、湖北、四川、安徽和重庆五省市新项目规划建设成果显著。 ■ 12英寸晶圆厂的空间布局受限于各省市的资源禀赋。经济基础、人才和水、电资源是布局12英寸产线的有力条件。 ■ 导入12英寸产线有利于打造区域集成电路产业集群。对于上海、无锡、北京、西安四城,建设12英寸产线有利于强化其产业集群效应。对于深圳和成都,则有利于其强链和补链发展。对于重庆、厦门、武汉、南京、合肥、广州等城市,作用则在于发挥龙头带动作用,引领集成电路产业集群发展。 图1. 我国12英寸产线分布 我国12英寸产线数增速明显。2015年前,我国仅有9条12英寸晶圆厂投产,目前已达到19条,占全球112条12英寸产线的17%。其中福建厦门的联芯集成2016年投产,安徽合肥的晶合集成2017年投产,2018年有6条产线投产,湖北武汉长江存储和广东广州粤芯半导体的2条产线2019年投产。目前,我国在建12英寸产线还有14条,江苏4条,上海3条,湖北2条,北京、陕西、四川、福建、山东各1条。同时,还有约23条产线处于规划待建状态。 图2. 全球12英寸晶圆厂数量 江苏领跑全国,主要集中在无锡、南京和淮安。江苏目前已投产的12英寸产线有4条,在建4条,规划待建6条。无锡晶圆厂比较成熟,SK海力士的两条晶圆厂建自2005年,华虹无锡目前有一座晶圆厂2017年开工建设,还有一条规划待建。南京的晶圆厂主要来自台积电和紫光存储,台积电一期2018年投产,二期待建;紫光存储一期项目2018年10月开工,二期、三期待建。淮安的德淮半导体和时代新存储项目均于2016年开工,德淮项目一期2018年2月投产,二期在建,三期规划待建;时代芯项目一期2019年已量产,二期待建。 图3. 我国12英寸晶圆厂在各地区的数目分布 近4年新建产线中,上海、陕西、北京和辽宁四省市以已有项目扩产为主。上海新建12英寸产线主要是中芯国际的SN1厂、SN2厂,华力二期项目,全新项目仅有积塔半导体一条在建。陕西的新建产线来自三星FAB2项目,于2018年3月启动建设。北京的新建产线是中芯国际的B3项目,目前仍在建。辽宁新建产线来自大连英特尔的旧产线升级改造和扩产,2018年9月建成投产。 近4年新建产线中,江苏、湖北、四川、安徽和重庆五省市新项目规划落地成果显著。如前文所述,江苏南京和淮安的10条新产线(包含规划待建产线)全是近4年的新项目。 湖北。武汉原有武汉新芯项目,从事Nor闪存IDM业务;2016年长江存储NAND闪存项目开工,规划三期,2019年一期项目已实现量产;武汉弘芯2017年成立,2018年一期和二期项目先后开工,总投资1280亿元。 四川。格芯项目2017年开工,中途受格芯战略调整停摆,但近日传闻以色列代工厂TowerJazz接手格芯业务,项目有望继续推进;紫光国芯存储的成都项目总投资2000亿,一期项目投资700亿,2018年10月开工。 安徽。合肥的晶合集成项目成立于2015年,12英寸代工厂2017年建成投产;合肥长鑫存储项目总投资约80亿美元,分三建设DRAM产线,一期项目2018年7月已投片。 重庆。万国半导体项目总投资10亿美元,分两期建设,一期2018年10月建成投产;另外华润微电子和紫光存储与重庆均有12英寸晶圆项目签约,目前尚未开工。 图4. 大陆已投产12英寸产能分布 已投产产线中,部分已正常运营,部分刚投片或处于产能爬坡阶段。 江苏、安徽和湖北的已投产产能领先全国。月产能分别达到18万、16.5万和12.5万片。其中,安徽和湖北分别有12.5万和10万片的产能处于爬坡阶段,江苏仅4万片产能处于爬坡阶段。 陕西、上海、北京和广东的已投产产能在全国属于第二梯队。月产能分别达到10万、9.5万、8.5万和8万片。其中陕西、北京和广东的产能均处于已运营状态,企业分别是三星、中芯国际(北京)和中芯国际(深圳)。上海的产能来自中芯国际和华力微电子,其中华力二期2018年10月建成投片,月产能4万片,目前处于产能爬坡阶段。 辽宁、福建和重庆的已投产产能在全国属于第三梯队。月产能分别达到6万、5万和2万片。其中,辽宁大连的英特尔二期项目2018年9月建成投产,重庆的万国半导体项目2018年10月建成投产,目前均处于产能爬坡阶段。福建厦门的联芯集成项目目前处于运营状态。 图5. 江苏领跑大陆在建12英寸线产能 目前,在建12英寸线产能主要集中在江苏、四川、湖北和上海。江苏在建产线是无锡华虹一期(4.0万片/月),南京紫光一期(10万片/月),淮安德淮半导体二期(未知)和时代芯一期(0.8万片/月)。四川10万片在建月产能来自紫光国芯项目。湖北9.0万片在建月产能来自武汉弘芯项目。上海的7.3万片在建月产能来自中芯国际SN1、SN2和积塔半导体一期项目。陕西的6万片在建月产能来自西安三星,福建的4万片在建月产能来自厦门士兰集科,北京的3.5万片在建月产能来自中芯国际,山东的0.3万片在月建产能来自芯恩(青岛)。
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    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
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    • 国内外两家半导体龙头宣布合作! 6月7日,全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics)与中国化合物半导体龙头企业三安光电宣布,双方已签署协议,将在中国重庆建立一个新的8英寸碳化硅器件合资制造厂。 根据三安光电的公告,三安光电与ST的合资项目公司将由三安光电控股,暂定名为“三安意法半导体(重庆)有限公司”,其中由三安光电全资子公司湖南三安持股51%,意法半导体(中国)投资有限公司持股49%。 项目预计投资总额达32亿美元(228亿元人民币),目前正在等待监管部门批准,批准后即开工建设,计划在2025年第四季度点火生产,并预计到2028年全面达产。届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求。 同时,三安光电将利用自有SiC衬底工艺,单独建造和运营一个新的8英寸SiC衬底制造厂,以满足该合资厂的衬底需求。该项目的完成仍需监管部门批准。 据悉,除了三安光电利用自有SiC衬底工艺以外,该合资厂还将采用ST的SiC专利制造工艺技术,专注于为ST生产SiC器件,作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。 对此,三安光电首席执行官林科闯表示:“该合资厂的成立将有力推动SiC器件在中国市场的广泛采用。作为一家国际知名的高品质SiC晶圆代工服务公司,三安还将新建一个SiC衬底工厂,专门为新成立的合资厂提供SiC衬底。这是三安光电朝着成为SiC专业晶圆代工厂这一目标迈出的重要一步。随着新合资厂的成立和新SiC衬底工厂的产能扩张,我们有信心三安将继续在SiC专业晶圆代工市场占据优势地位”。 意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示:“中国的汽车和工业领域正在朝着电气化全速前进,在这个市场上,ST已经成功拿下了许多客户项目。对ST来说,与中国本地的重要合作伙伴一起成立一个专门的晶圆厂,这将帮助我们以最高效的方式满足中国客户不断增长的需求。将三安光电未来的8英寸衬底制造厂、双方新成立的前端合资制造厂、以及ST在中国深圳现有的后端制造厂相结合,ST将有能力为我们的中国客户提供一个完全垂直整合的SiC价值链。此举将成为继ST在意大利和新加坡的持续重大投资外,进一步扩大其全球SiC制造业务的重要一步。” 作为中国第一家、全球第三家实现全产业链垂直整合的企业,三安光电碳化硅器件在国内上车进展加速。其产业链布局包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装,碳化硅产能已达1.2万片/月。 据悉,湖南三安投资160亿元的长沙碳化硅全产业链工厂,2021年6月一期工程投产,6英寸碳化硅晶圆产能爬坡至15000片/月,二期工程预计2023年完工,达产后年产能50万片6英寸碳化硅晶圆。 三安光电相关负责人今年4月曾表示,三安光电将抓住2024年、2025年汽车业结构性缺芯的机会,加快推进国产碳化硅“上车”进程。