日本的Nitride Semiconductors声称已经开发出首个用于半导体和PCB制程曝光系统紫外光源的UV-LED。Nitride Semiconductors于2000年从德岛大学分离出来，宣布称已开发出第一个高效的紫外线发光二极管。
目前，半导体制造中的曝光系统仍使用含汞的紫外线灯，但是存在一些功能限制，例如待机时间长、寿命短、UV照度稳定性差以及开关控制不便。另外，由于环境污染问题，预计《水俣公约》的实施将推动LED光源加快替代含汞光源。
Nitride Semiconductors表示，波长为365nm的新型NS365L-9RXT UV LED芯片功能进一步改善，已经实现效率高、节能且寿命长，在正向电流If为3A，正向电压Vf为4.6V的条件下，紫外输出功率为3.2W。
新型UV LED还具有适用于半导体曝光的窄发光角。半导体制程为实现精准曝光，需要使用平行光。然而，UV-LED光源通常具有宽的方向角（约120°），用于曝光所获的光量趋于不足。因此，通过结合深度反射镜与高透光率透镜，该公司实现了小于或等于15°的发光角。这表明UV LED有可能直接替换传统曝光系统所用的UV光源，无需购买新的UV LED曝光系统
新型UV LED结构非常紧凑，尺寸为长9mm x宽9mm x高8.5mm，因此安装密度更高。
新型NS365L-9RXT UV-LED的批量生产每10000件的单价约为50美元。
