《氮化物半导体形成辅助微氮化物用来制造微型UV-LED芯片(用于显示器)》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-11-04
  • 日本的Nitride半导体有限公司在2000年声称已经开发出第一个高效的紫外发光二极管,今年11月1日其子公司Micro Nitride Co Ltd开发出了用于显示器应用的微型UV LED芯片,并且进行销售。

    近年来,以有机发光二极管(OLED)为代表的自发光显示器已经被用于智能手机等,但由于它们的寿命短和耐热性差,微型LED显示器的发展变得活跃。

    目前,有两种实现微LED显示的方法:3LED型即使用红色、蓝色和绿色的LED,还有蓝光激发型LED,采用蓝色LED激发红色和绿色磷光体。

    该公司表示,上图中的问题可以通过μUV-LED + RGB荧光粉解决。 研究发现,在n层和p层中制造具有应变层超晶格(SLS)结构的μUV-LED芯片时,发光效率可提高一倍。

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  • 《氮化物半导体针对Rayvio的UV-LED产品提起专利侵权诉讼》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2017-06-04
    • 5月23日,日本德岛的氮化物半导体有限公司在加利福尼亚北区的美国地方法院向美国加利福尼亚州海伍德的紫外线(UV)LED制造商Rayvio Corp提起了专利侵权诉讼。 在投诉中,氮化物正在寻求禁令和损害赔偿,声称Rayvio通过制造其产品来侵犯其美国专利6,861,270(“氮化镓化合物半导体和发光元件制造方法”)。据说专利发明有助于提高LED的发光效率。 氮化物半导体有限公司表示,其与德岛大学的Shiro Sakai教授合作,于2000年成功开发出第一台高效紫外线发光二极管,并继续制造和销售紫外线发光二极管,其中包括对研发的巨大投入。该公司也表示,无论任何国家在适当和必要的时候,会对侵犯专利和其他知识产权的侵权行为采取果断行动。
  • 《Plessey开发了用于微型LED显示器的InGaN红光LED》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:Lightfeng
    • 发布时间:2019-12-15
    • 英国Plessey开发了用于AR / MR显示应用的嵌入式微型LED技术,宣称研发了第一款硅基氮化镓(GaN-on-Si)红光LED。 尽管基于氮化铟镓(InGaN)的蓝光和绿光LED都已商用量产,但是红光LED通常基于磷化铝铟镓(AlInGaP)材料或经过颜色转换的LED。对于AR应用来说,由于AlInGaP材料严重的边缘效应和色彩转换过程的空腔损耗,想要实现高效超小间距红色像素(<5µm)是不太可能的。 与现有的基于AlInGaP的红光LED相比,基于InGaN的红光LED具有更低的制造成本、可扩展性(可扩展至更大的200 mm或300 mm晶圆)以及更好的热/冷系数,因此具有极大的吸引力。然而,由于铟含量高,在有源区中引起显著的应变,从而降低了晶体质量并产生了许多缺陷,因此,使用InGaN材料实现红色光谱发射具有挑战性。Plessey表示,其已经通过使用专有的应变设计有源区来制造高效的InGaN 红光 LED,成功克服了这些挑战。 Plessey的InGaN 红光微型 LED在10 A/cm2时的波长为630 nm,半峰全宽为50 nm,热冷系数超过90%,并且在超小像素间距中,其效率高于传统的AlInGaP和颜色转换的红光。有了这个结果,Plessey现在可以制造天然的蓝、绿和红InGaN材料,或者使用其GaN-on-Silicon平台调谐400至650 nm的波长。 Plessey外延和高级产品开发总监Wei Sin Tan表示:“这是一个令人振奋的结果,因为它为低成本制造超小间距和高效的Red InGaN像素提供了一条途径,将加速Micro LED在AR微型显示器和移动/大型显示器应用中的采用。”