据官网10月13日消息，日本佳能（Canon）公司推出新型纳米压印（NIL）生产设备FPA-1200NZ2C，实现了14纳米最小线宽的电路图案化，相当于目前最先进逻辑半导体的5 nm节点。此外，随着掩模技术的进一步改进，NIL有望实现10nm最小线宽的电路图案化，这对应于2nm节点。
不同于光刻制造原理和光刻机技术，纳米压印（NIL）是一种微纳加工技术，它采用传统机械模具微复型原理。简单来说，传统的光刻设备通过将电路图案投影到涂有抗蚀剂的晶圆上来转移电路图案，而纳米压印光刻造芯片则通过将印有电路图案的掩模直接压印在晶圆上的抗蚀剂上，就像印章盖在橡皮泥上，然后经过脱模就能够得到一颗芯片。
该新半导体制造设备实现了高精度对准，这对于制造层数不断增加的半导体和减少细颗粒引起的缺陷是必要的，并且能够形成精细和复杂的电路，有助于制造尖端半导体器件。
由于新设备不需要具有特殊波长的光源，因此与目前最先进逻辑半导体（线宽为15nm的5nm节点）的光刻设备相比，它可以显著降低功耗，从而有助于减少二氧化碳排放。
除了逻辑器件和其他半导体器件外，新设备还可用于广泛的应用，例如用于具有数十纳米微结构的XR（扩展现实）超透镜。
NIL技术的微影制程技术复杂度较低，耗电量可压低至极紫外（EUV）光刻技术的10%，且设备投资最低仅有EUV设备的40%。
据相关报道，佳能早在2004年开始秘密研发NIL技术，2014年美国分子压印公司（现佳能纳米技术）加入佳能集团，该研发消息才被公开。
