《Marvell宣布推出业界首款 2nm 定制 SRAM》

• 来源专题：集成电路与量子信息
• 发布时间：2025-06-20
• 原文来源：https://www.marvell.com/company/newsroom/marvell-2nm-custom-sram-next-generation-ai-infrastructure-silicon.html

据官网6月17日报道，美国美满电子公司（Marvell）宣布推出业界首款2nm定制静态随机存取存储器（SRAM），拓展定制技术平台，可为 AI xPU 算力设备提供至高 6Gb的高速片上缓存，同时显著降低内存功耗和芯片面积。Marvell 宣称其定制版 2nm SRAM 设计相比标准片上 SRAM 可节约 15% 的面积、降低约 2/3 的待机功耗，同时能实现 3.75GHz 的工作频率。