为了巩固其在新兴硅基氮化镓（GaN-on-Si）市场中的地位，德国硅晶片制造商Siltronic AG已订购另一套金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统用于生产150mm和200mm的GaN-on-Si外延晶圆，用于射频（RF）和功率应用。
AIX G5 + C系统将在2020年第四季度发货，该系统完全自动化，配有原位清洗和盒式磁带传输模块，以实现高外延稳定性和低缺陷率。行星反应堆包括Aixtron的晶片自动温度自动控制（AFF），并具有8x150mm和5x200mm的配置。
射频、功率器件和电路可实现高开关频率和高功率密度的高效能源管理。 Aixtron指出，这些功能是当代应用程序所必需的，例如数据中心、可再生能源和下一代无线网络（5G）。除较小的外形尺寸外，GaN-on-Si还适合用于快速充电和汽车电气化。
Siltronic的首席执行官Christoph von Plotho博士说：“硅基氮化镓市场是未来重要的增长领域。为了在市场上保持竞争优势，Siltronic需要一个反应堆，能为客户提供最佳性能的外延片，同时以最低的成本提高产量。在这方面，我们将AIX G5 + C系统视为GaN功率和RF器件的理想解决方案，以适应于应用不断增长得大趋势。硅基氮化镓技术通过脱碳，为改善能量平衡也做出了重要贡献。”
Aixtron总裁Felix Grawert博士评论说：“硅基氮化镓技术在过去几年中取得了令人瞩目的突破，并且这些器件在功率和射频应用产品中迅速得到认可。AIX G5 + C是致力于这些高级应用程序的成熟平台。”
