德国的Herzogenrath沉积设备制造商Aixtron SE将向中国的InnoScience Technology Co Ltd提供多个AIX G5 + C MOCVD系统，用于开发氮化镓（GaN）功率器件。在高频率下具有高性能的Aixtron集群工具都将采用5x200mm晶圆配置，并将于2019年第二季度发货。
与传统的硅基功率芯片相比，GaN功率器件具有非常低的传导损耗、开关损耗和断态损耗，这是因为其拥有更高的击穿强度，更快的开关速度，更高的导热性和更低的导通电阻。
Aixtron表示AIX G5 + C平台可以展示其在制造方面的优势，因为它可实现外延晶圆的可扩展工艺，紧密均匀性和颗粒控制，以实现最高产量和最大吞吐量，并且成本低。
InnoScience首席执行官Jay Son表示：“我们选择了AIX G5 + C，因为它具行星级反应堆概念的卓越性能，新收购的系统将使我们能够提高我们的高端产品的制造能力。”
