来自石墨烯网站
6月7日， 意法半导体 和 三安光电 宣布，双方已签署协议，将在中国重庆建立一个新的 8英寸碳化硅器件合资制造厂 。
据介绍，新的 SiC制造厂计划于2025年第四季度开始生产，预计将于2028年全面落成 ，届时将更好地支持中国的汽车电气化、工业电力和能源等应用日益增长的需求， 预计到2030年碳化硅 收入将超过50亿美元 。
同时， 三安光电将利用自有SiC衬底工艺 ， 单独建造和运营一个 新的8英寸SiC衬底制造厂 ，以满足该合资厂的衬底需求。
该合资厂将采用ST（意法半导体）的SiC专利制造工艺技术，专注于为ST生产SiC器件，作为ST的专用晶圆代工厂以满足其中国客户的需求。
该合资厂全部建设总额预计约达 32亿美元（约228.2亿人民币），其中未来5年的资本支出约为24亿美元 ，资金来源包括来自意法半导体和三安光电的资金投入、来自重庆政府的支持以及由合资企业向外贷款。
