《英特尔挖角格芯CTO:“三分天下”的晶圆之战开始发力》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: shenxiang
  • 发布时间:2020-01-13
  • 12月13日 讯 - 前几日,英特尔的制造工艺路线被披露,虽然ASML擅自在路线图中增加了7nm、5nm、3nm、2nm和1.4nm的标注,但总体2年一次更替的摩尔定律仍在进行之中。

    而在目前最新的消息显示,英特尔(Intel)最近招揽了前格芯(GlobalFoundries)CTO、前IBM微电子业务主管Gary Patton博士。当然,为了做好新的CPU/GPU架构,Intel还批量挖走了Raja Koduri、Jim Keller等一大批业界牛人。

    目前来说,格芯已经改变了投资策略,取消了7nm、5nm的工艺研发,专注进行14/12nm方面工艺和专用性的22FDX、12FDX。所以Gary Patton这样的人才仍然可以再一线研发对他来说是一件好事。

    目前来说,在晶圆厂之战已变为“三分天下”的格局,这三家分别是英特尔、台积电、三星。

    英特尔方面,日前报道中爆料的2年一更新的制程之路来说,虽然这是一个乌龙事件,但这是第一个被ASML爆料出的1.4nm工艺。当然,英特尔还强调了在每个流程节点之间,将会有迭代的+和++版本,以便从每个流程节点提取性能。但在EUV方面,仍然需要至2021年才会上EUV设备。

    台积电方面,众所周知在EUV工艺上属于“熟练掌握”的玩家,诚然晶圆厂在标注制程方面通常也会使用一些技巧导致台积电7nm工艺与英特尔10nm工艺性能并无二异。但单纯从数字上面来看,目前台积电已在5nm方面进入量产倒计时,3nm与2nm已提上了日程并且远比英特尔要早。不过有了之前的经验,或许性能方面仍然不会有差别。

    三星方面,则稳扎稳打,从14nm、10nm、7nm、3nm四个主要节点进行规划,而在3nm节点以后,三星要放弃FinFET转向GAA晶体管,3GAE工艺和3GAP工艺的优化改良之路还远矣。

    摩尔定律的2年一更新仍然在持续之中,而如若走在在1nm制程以下,摩尔定律该如何继续延续,这将成为一个严肃的问题。

相关报告
  • 《英特尔走向全面代工》

    • 来源专题:宽带移动通信
    • 编译者:张卓然
    • 发布时间:2021-05-21
    • 尼克·弗莱厄蒂写道,英特尔重返代工业务在政治上是明智的,尤其是在欧洲 英特尔已经大规模重回代工业务。 新任首席执行官帕特·基辛格表示,IDM2.0计划在设计、制造以及地缘政治方面都向前迈进了一步,而且这次将不同于七年前的那次半途而废的代工行动。 现在英特尔公司有范围十分广泛的技术可供提供,而且准备向客户提供这些技术。与过去截然不同的是,英特尔公司正在提供X86处理器内核技术以及ARM(让人想起英特尔在二十世纪九十年代后期的StrongARM和Xscale芯片设计),甚至提供RISC-V开源内核。所有这些都将与独立的图形处理单元、高速组网和内存知识产权一起提供,这将吸引数据中心ASIC(专用集成电路)芯片设计师。 英特尔将建设两座晶圆代工厂,为欧洲代工 英特尔公司真正缺乏的是前沿尖端技术。晶圆代工业务从22纳米开始,这凸显了英特尔在前沿尖端工艺技术方面面临的困境。尽管英特尔有可能提供FinFET(鳍式场效应晶体管)技术的当前10纳米SuperFET变体,但是英特尔公司已落后于台积电和三星公司。 基辛格表示,7纳米波长的极紫外(EUV)问题已经得到解决,将在今年晚些时候用于下一代处理器。这是一个受欢迎的举措,但还不够。问题在于在欧洲和美国获得大量领先尖端技术的地缘政治。英特尔承诺投资200亿美元在其亚利桑那州园区内新建两座工厂,这或许是对台积电计划在亚利桑那州新建六座工厂的计划的陪衬。所有这些都是为了让全球大客户放心,他们的基本半导体供应稳定可靠。 英特尔将i3内核外包给台积电的5纳米工艺 英特尔公司还指出,自1989年以来,该公司花了150亿美元用于欧洲的制造能力建设,使爱尔兰的制造业翻了一番,到今年为止,又另外支出了70亿美元。 “这项投资旨在将英特尔的最新一代7纳米工艺技术引进到该地区,并且扩大我们的制造业务。它还将推动该地区的经济增长,一旦建成将创造一千六百个永久性的高科技工作岗位,还将创造五千多个建筑工作岗位,”英特尔爱尔兰公司生产与运营副总裁兼总经理伊蒙·辛诺特说道。但是未来还会有更多,这将取决于欧盟提供了多少支持。 “我们计划在年内宣布下一阶段的扩张,为我们在美国、欧洲和世界上其它地方的新代工业务提供支持,”辛诺特说。在整个欧洲,英特尔公司雇佣的员工超过了一万人。爱尔兰、德国、波兰、法国和欧洲其他国家的团队的工作涉及整个供应链,从研究与开发到制造,为全球创新注入了动力。这将在一定程度上取决于欧盟的反应。英特尔已经非常聪明地让自己向“欧洲2030”战略看齐,为欧洲地区带来更多领先的芯片制造能力。爱尔兰是这方面的核心。 “我们正在加速在欧洲的投资,并且支持实现欧盟的雄心壮志,即将全球20%的尖端芯片在本地生产,”辛诺提说道。“我们在欧洲这方面的投资已经打造了一个先进的制造中心,再加上我们在该地区的多样化能力,使我们处于一个独特的地位,为欧盟确保欧洲市场和其他地区市场先进半导体供应的议程提供支持,”辛诺提说。 “我们与欧盟有着共同的雄心抱负,那就是向欧洲提供最先进的半导体技术,并且建设地理上更均衡的制造能力。英特尔在支持欧盟到2030年实现数字化转型的愿景方面具有独特的优势,”辛诺提说。辛诺提在一个明确的短信上表示:“英特尔非常看重全球各地激励半导体创新和制造投资的营商环境和政策。” 下一步必须由欧盟采取行动,欧盟必须表明欧盟非常重视支持半导体供应链。
  • 《2nm,三大晶圆巨头的拐点之战》

    • 来源专题:数控机床与工业机器人
    • 编译者:icad
    • 发布时间:2022-12-06
    • 现在能够进入10nm工艺以下的 晶圆 已经只有三家了,分别是 intel 、 台积电 、三星。 目前台积电、三星已经处在3nm阶段,而英特尔还处在7nm阶段,不过按照计划,到2025年,这三大晶圆厂,都将进入 2nm 。 当然,这些都不重要,重要的是2nm工艺,或是三星、intel、台积电三家的拐点之战。 三星作为代工领域的千年老二,被台积电压了好多年,一直想报仇雪恨,翻身当老大。为此三星在7nm、5nm、4nm、3nm上就一直发力,想要领先台积电。 在3nm时,更是率先使用GAAFET晶体管技术,率先量产了3nm,想要压台积电一头,不过可惜实力还是差了点点,所以在3nm时,还无法逆袭,但在2nm时,如果三星工艺好,良率高,还是非常有机会的。 至于intel,在工艺上被三星、台积电压了很多年后,也决定发展代工业,并抛出了一个“IDM 2.0”战略,在该战略中,英特尔对外开放自己的代工服务,同时扩大采用第三方代工产能。 既然要对外代工了,那工艺就是最重要的生产力,于是intel计划最快的速度追上台积电、三星,要到2025年就实现2nm,甚至是1.8nm,与台积电、三星PK,抢市场。 至于台积电,当了这么多年的老大,更加不愿意被其它厂商逆袭了,所以在2nm时,台积电也计划使用GAAFET晶体管技术,替代掉老掉牙的FinFET晶体管技术。 同时为了拉拢美国厂商,更是不惜将5nm、3nm工艺都要部分迁到美国,为的就是自己的地位巩固,不至于被其它厂商抢了市场。 但很明显,这三大厂商目前在2nm上,都是在较劲,谁能够在2nm上脱颖而出,那么非常有可能在2nm时占据先机,争得一席之地,所以2nm非常有可能是这三大厂商的拐点之战,如果三星、intel表现突出,台积电的地垃堪优。 当然,最为可惜的是,这三大巨头在2nm上较劲,而我们的中芯、华虹没资格参战啊。中芯还在14nm,限于当前的禁令,进入10nm都不知道猴年马月,别说2nm了, 而华虹公开的工艺还在55nm+,连40nm都没进入,离进入10nm更是十万八千里,2nm就更加别想了,只能搬根凳子看戏。 不知道大陆的晶圆厂,何时能够与这三大巨头比一比工艺,那就真的完美了。 更多信息可以来这里获取==>> 电子技术应用-AET << .