据韩国商报4月30日报道，三星电子目前正在开发下一代“全环绕栅极”（GAA）技术，旨在应用于计划明年大规模生产的2纳米（nm）铸造工艺。
据业内人士4月29日透露，三星电子将于6月16日至20日在美国夏威夷举行的著名全球半导体会议“2024超大规模集成电路研讨会”上发表一篇关于第三代GAA特性在2-nm（SF2）工艺中的应用的论文。
超大规模集成电路（VLSI）研讨会被认为是世界上三大半导体会议之一，与国际固态电路会议（ISSCC）和国际电子器件会议（IEDM）一起讨论最新的半导体技术。
GAA技术是下一代晶体管技术，可调节、放大或切断半导体内的电流，三星电子在全球率先将其商业化。随着半导体越来越小，控制电流变得更具挑战性，但GAA重新设计了晶体管架构，以提高功率效率。
目前，三星电子是世界上唯一一家大规模生产这项技术的公司。三星于21世纪初开始研究GAA技术，并于2022年率先将其应用于3纳米代工厂的大规模生产。
然而，由于经济衰退、生产成本高以及移动等行业的客户有限，对3纳米工艺的需求并不多。在这种情况下，3纳米工艺的领导权已经转移到台积电，该公司正在与苹果合作。
作为回应，三星电子计划在今年内开始大规模生产第二代3纳米，并正在推进2纳米工艺的第三代GAA的引入，以确保GAA技术的领先地位。台积电和英特尔也计划采用下一代2纳米工艺中的GAA技术，这标志着该行业在竞争中迈出了一大步。
三星开发了名为“MBCFET”的专有GAA技术，随着技术的发展，该技术的性能和效率都有所提高。与之前的5纳米工艺相比，第一代3 nm GAA的工艺显示出23%的性能改进、16%的面积减少和45%的功耗减少。即将推出的第二代3 nm工艺预计将实现30%的性能提高、35%的面积减少和50%的功耗减少。预计第三代MBCFET的性能也将显著提高，功率损耗减少50%以上，并且由于面积减少，集成度更高。
三星电子也在努力通过其第三代GAA技术加强2纳米代工生态系统。三星目前与50多个IP合作伙伴合作，拥有4000多个IP头衔。今年早些时候，三星启动了与全球知识产权公司Arm的合作，以提高GAA流程的可访问性，旨在减少开发下一代产品的时间和成本，并确保在移动和高性能计算（HPC）中需要高性能、低功耗半导体的客户。
