印度理工学院报告：通过改变来源极和漏极欧姆金属触点的组成可改善III族氮化物高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能。
将标准金属接触结构与钛/金/铝/镍/金（'Ti / Au'）的新接触结构进行比较，发现Ti / Au触点表现出低接触电阻和更尖锐的边缘，这使得源极-漏极分离显着减少。研究人员解释说：“低接触电阻，锐边锐度和小源极-漏极分离是高功率和高频的关键。”
研究人员研究了在碳化硅上生长的III族氮化物材料。阻挡层是氮化铝镓（AlGaN）。在这种材料上制造传输线方法（TLM）和HEMT金属接触结构。
结果表明减小HEMT器件中的源极-漏极距离会降低导通电阻（RON）。同时，由于电场增加，击穿电压也降低。在频率相关的测量中，较低的电阻还能够实现更高的单位电流增益频率。
