《氮化镓高电子迁移率晶体管的磁传感》

• 来源专题：集成电路
• 编译者： Lightfeng
• 发布时间：2018-09-17

英国斯旺西大学和塞尔维亚尼斯大学的研究人员声称首次制造了氮化镓（GaN）磁性高电子迁移率晶体管（MagHEMT）。

这些器件采用分流式漏极，可以评估由与磁场相互作用而引起的电子路径偏差。 并且这些器件的相对灵敏度由漏极端子之间的电流差相对于特斯拉（T）中磁场上的总漏极电流产生。

磁传感器广泛用于工程系统中的控制，涵盖航空、汽车和工业应用。研究人员使用实验结果来校准一系列旨在优化性能的模拟。该模型表明，在参数变化的器件中，L =65μm，W =20μm，LS =5.5μm，WS =5.0μm，可以在零栅极电位和0.5V漏极偏压下实现23.29％/ T的灵敏度提高，此时WDD =5μm，LG =5.0μm，LGD =10μm。

研究人员进一步在高达500K的温度下进行了模拟，表明在恶劣环境下更有希望进行GaN磁传感器的操作。