位于瑞士和中国的研究人员制造了具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电流。
瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）和中国的Enkris半导体公司使用的材料结构由5个平行层组成，包括10nm氮化铝镓（AlGaN）阻挡层，1nm AlN间隔层和10nm GaN沟道（图1）。 阻挡层是以5×10^18 / cm3级的部分掺杂硅以增强导电性。
该团队评论说：“这些结果非常出色，因为它们表明多通道三栅极技术可以降低晶体管在给定器件占位面积上的传导损耗，或者等效地在更小的器件占位面积内提供给定的电流额定值， 这对高效功率晶体管非常有益。”
