介绍了一种制备栅门型纳米线场效应晶体管的方法。利用电阻沟槽对准技术，将单个纳米线垂直于下面的底部栅极排列。然后定义顶浇口与底浇口对齐，形成全面浇口结构。这种方法克服了以往水平封装门控纳米线晶体管在最小可获得门长和门长控制方面的显著限制，这些限制是通过湿蚀刻法定义门控的。在本文提出的方法中，门长控制受电子束光刻工艺分辨率的限制。我们通过制造一种具有独立的下浇口、上浇口和栅体结构的器件，以及一种具有300、200和150 nm栅体长度的三种独立栅体结构的器件，展示了我们的方法的通用性。我们的方法使我们能够达到阈下波动低至38 mV 12月−1 77 K 150 nm门口长度。
——文章发布于2018年12月14日
