本文分析了最新的垂直InAs/InGaAsSb/GaSb纳米线隧道场效应晶体管(TFETs)的实验数据，研究了源掺杂对其性能的影响。总的来说，掺杂水平会影响这些器件的off-state和on-state性能。掺杂与异质结构的分离改善了器件的亚阈值摆动。最好的器件在100倍以上的电流下达到了30 mV/dec的点亚阈值摆动，比以前基于si的TFETs更高。然而，从异质结构中分离掺杂对这些器件的on-state性能有显著的影响，因为这与源耗尽有关。兴奋剂水平的提高有助于提高对态性能，这也增加了阈下摆动。因此，进一步优化掺杂与异质结构的结合将有助于改善垂直InAs/InGaAsSb/GaSb纳米线TFETs。
——文章发布于2018年8月23日
