带-带隧穿(BTBT)引起的过态电流是一个严重的问题，特别是在短通道纳米线(NW)场效应晶体管(FETs)中，特别是在窄带隙半导体(如InAs)中。本文首次利用纳米偏门器件(PG)对InAs NW型fet进行了制备和研究。我们在同一NW上制造了一系列的PGFETs和一个正常的全栅场效应晶体管(FG) FET。基于我们的研究结果，BTBT电流分量可以在典型的250 nm通道InAs NW FGFET中达到几十纳米安培，并主导脱流。相比之下，PGFET中几乎没有BTBT成分，这为其他短通道InAs NW FETs提供了参考。此外，还讨论了非状态载流子输运的物理机理，根据实验结果证明电子和空穴电流都是非常重要的。同时，通过统计分析，我们发现BTBT效应在门控较好的设备中更为严重。因此，抑制BTBT效应对于未来的缩减具有重要意义。
——文章发布于2018年8月9日
