美国康奈尔大学和英特尔公司声称基于氮化镓或氮化铝上的二维空穴气体可以同时记录增强型P通道场效应晶体管（Pfets）的通电和通/断电流比。
在基于GaN的器件中生产有效的p通道晶体管将开辟节能互补p/n通道电路的潜力。不幸的是，相对于更高迁移率的电子，III-氮化物材料中空穴传输的不良特性阻碍了这种发展。
虽然从功率和射频电子学的角度来看，GaN和AlN的宽带隙是有吸引力的，但同样的性质是空穴传输迟缓性质的根源。宽间隙与大的有效孔质量和低迁移率相关。宽间隙也意味着深的价带并且产生空穴是困难的。
对其他报告进行基准测试表明，由于电荷极化不连续，GaN/AlN方法具有明显更高的薄片电荷。 同时，空穴迁移率与大多数其他方法相当。
