《我国在液氢大规模制备领域取得重大突破!》

  • 来源专题:能源情报网监测服务平台
  • 编译者: 郭楷模
  • 发布时间:2024-09-26
  • 9月25日,我国首套氢膨胀5吨/天氢液化系统正式发布。该系统由中国航天科技集团六院101所、航天氢能科技有限公司联合研制,8月18日成功产出液氢,是我国在液氢大规模制备领域取得的重大突破,将助力液氢大规模应用的工业化进程,为推动能源结构转型、实现“双碳”目标提供重要技术和装备基础。

    据技术人员介绍,该系统攻克了氢克劳德循环氢液化工艺流程设计等5大关键核心技术,在满工况运行过程中,各工艺设备运行稳定,各项性能指标均优于设计值,是继2021年9月2吨/天氦膨胀制氢液化冷箱研制成功之后,在氢液化领域的又一里程碑式成果。

    液氢是实现氢能高效储存运输,推动我国实现绿色低碳发展、能源战略转型目标的重要途径。氢克劳德制冷循环氢液化流程是未来大规模氢液化系统的主要工艺路线,该系统的成功运行提升了我国液氢工业生产领域技术和装备的自主可控能力,将为更大规模氢液化系统的开发奠定坚实基础。

  • 原文来源:https://www.nengyuanjie.net/article/99291.html
相关报告
  • 《我国高强高韧低密度钢大规模工业化制备取得重大突破》

    • 来源专题:中国科学院文献情报制造与材料知识资源中心—领域情报网
    • 编译者:冯瑞华
    • 发布时间:2022-01-06
    • 1月5日,科技日报记者从江阴髙新区获悉,世界首创用100吨电炉冶炼工艺生产的高强高韧低密度钢板,日前在中信泰富特钢集团江阴兴澄特种钢铁有限公司(以下简称“兴澄特钢”)问世。 这是由兴澄特钢联合北方材料科学与工程研究院经过多年的攻关,解决了多方面的关键工艺技术,在该产品大规模工业化生产技术上取得的新突破,也是双方基于2016年40吨电炉冶炼工艺生产实践后取得原创攻关的再创新。 在业内专家看来,这一重大工艺技术突破,使我国在高强高韧低密度钢的工业化生产技术领域处于国际领先水平,更标志着我国成为世界上唯一掌握大规模生产高强高韧低密度钢技术的国家。 兴澄特钢相关专家介绍,目前,国际上高强韧低密度钢的研究处于实验室阶段,在成分设计及制造工艺方面存在技术“瓶颈”。世界上主要国家都极为关注其工业化制备及工程化应用技术。 2005年、2015年日本新日铁和韩国浦项钢铁分别对轧制低密度钢进行了工业化试制,至今未见其成功的报道;2020年美国计划未来5年内投入2000万美元进行适合于工业化的低密度钢成分体系研究,项目预计2025年完成。 因此,我国100吨级大规模工业化低密度钢制备成功,标志着在轧制低密度钢工业化及工程应用方面相关技术领先美国近十年,更成为世界上唯一掌握密度低于7.0g/cm³的热轧低密度钢批量工业化制造技术及应用技术的国家。 值得一提的是,高强高韧低密度钢比常规高强钢的密度降低10%以上,具备良好的强韧性,今后将为车辆、船舶、航空、航天、建筑等领域,提供极为重要的新型轻量化材料,有着广泛的应用前景和重大的战略意义。
  • 《突破 | 硅基光电子领域获重大突破》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2023-10-25
    • 北京大学电子学院王兴军教授、彭超教授、舒浩文研究员联合团队在超高速纯硅调制器方面取得突破,实现了全球首个电光带宽达110GHz的纯硅调制器。这是自2004年英特尔在《自然》期刊报道第一个1GHz硅调制器后,国际上首次把纯硅调制器带宽提高到100GHz以上。日前,相关研究成果以《110GHz带宽慢光硅调制器》为题在线发表于《科学·进展》。 “该纯硅调制器同时具有超高带宽、超小尺寸、超大通带及互补金属氧化物半导体(CMOS)集成工艺兼容等优势,满足了未来超高速应用场景对超高速率、高集成度、多波长通信、高热稳定性及晶圆级生产等需求,是硅基光电子领域的重大突破,为高速、短距离数据中心和光通信的应用提供了重要关键技术支撑,对于下一代数据中心的发展意义重大。”王兴军介绍。 “随着人工智能、大数据、云计算等新一代信息技术的大规模应用,全球数据总量呈指数式增长,以硅基光电子为代表的光电子集成技术成为光通信系统的重要发展趋势。在硅基光电子芯片系统中,硅基调制器可以实现电信号向光信号的功能转换,具有低成本、高集成度、CMOS集成工艺兼容等优点,是完成片上信息传输与处理的关键有源器件。”王兴军表示,但受限于硅材料本身较慢的载流子输运速率,纯硅调制器带宽典型值一般为30至40GHz,难以适应未来超过100Gbaud通信速率的需要,因而也成为硅基光电子学在高速领域发展的瓶颈之一。 在本次工作中,研究团队针对传统硅基调制器带宽受限问题,利用硅基耦合谐振腔光波导结构引入慢光效应,构建了完整的硅基慢光调制器理论模型,通过合理调控结构参数以综合平衡光学与电学指标因素,实现对调制器性能的深度优化。研究团队基于CMOS集成工艺兼容的硅基光电子标准工艺,在纯硅材料体系下设计并制备了在1550纳米左右通信波长下工作的超高带宽硅基慢光调制器,实现了110GHz的超高电光带宽,打破了迄今为止纯硅调制器的带宽上限,并同时将调制臂尺寸缩短至百微米数量级,在无须数字信号处理的情况下以简单的二进制振幅键控调制格式实现了单通道超过110Gbps的高速信号传输,降低了算法成本与信号延迟,同时在宽达8纳米的超大光学通带内保持多波长通信性能的高度均一性。 “研究团队在不引入异质材料与复杂工艺的前提下,实现了硅基调制器带宽性能的飞跃,未来还可实现低成本晶圆级的量产,展示了硅基光电子学在下一代超高速应用领域的巨大价值。”王兴军说。