美国罗彻斯特理工学院的Matthew Hartensveld和Jing Zhang声称纳米线氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和氮化铟镓（InGaN）发光二极管（LED）首次垂直整合成功，该集成可实现对设备光输出的电压控制。
Hartensveld和Zhang的设备平均每个由45根垂直纳米线组成。对异质结外延材料进行干蚀刻以形成导线，即所谓的“自顶向下”方法。缓冲氧化物蚀刻氯反应离子蚀刻的掩模材料将纳米球直径减小至1.6μm。最终的纳米线高5.5μm，直径1μm。
器件接触制造建立了电介质和金属层。将透明的聚二甲基硅氧烷（PDMS）旋涂，平面化并回蚀以提供各种水平的介电间隔材料。
钛/铝（Ti / Al）源极和漏极触点在相同的蒸发步骤中施加到纳米线的基底和顶部。进行退火以形成TiN，在相邻的GaN中留下氮空位来充当供体，释放电子用于n型传导并给出n-本征-n（n-i-n）FET结构。
全能栅极由在未掺杂/本征u-GaN区域的一半处蒸发的40nm镍形成。最终的制造步骤包括更多的旋涂PDMS、蚀刻，然后蒸发透明氧化铟锡（ITO）导体，以及蚀刻和显示掩埋的器件栅极和源极接触。
“耗尽型”晶体管的关断电压为-2.2V栅极电位，漏极电压为5V。开/关电流比率为2.9x104，比香港科技大学的GaN HEMT-LED提高2.4倍。并且人们发现，成串的电线比稀疏分布的更亮。研究人员评论说：“旋转涂层紧密排列或使用光刻技术将允许高密度的有序线。”
