以数据为中心的计算的发展，需要克服传统硅晶体管基本限制的新型节能电子设备。人们已经探索了一系列新颖的晶体管概念，但仍然缺少一种同时提供高驱动电流和陡斜率开关，同时提供必要尺寸缩小的制造方法。
近日，麻省理工学院（Massachusetts Institute of Technology）Yanjie Shao，李巨Ju Li，Jesús A. del
Alamo等，法国
巴黎萨克雷大学（Université Paris-SaclayMarco Pala，Ju Li, David Esseni，Jesús A. del
Alamo等，在Nature Electronics上发文，报道了基于破隙型broken-bandGaSb/InAs系统，可缩放制造了垂直纳米线异质结隧道晶体管。这些器件的驱动电流为300μAμm?1，工作电压为0.3V时，开关斜率低于60mVdec?1。
这种方法，取决于隧道结处的极端量子限制，并基于强量子化时，隧道异质结处的界面钉扎能带排列。
图1: 超大规模垂直纳米线器件设计
图2: 垂直纳米线江崎Esaki二极管的电气特性和基准测试
图3: 超大规模垂直纳米线隧道晶体管的电学特性
图4: 缩放垂直纳米线器件的直径
图5: 基准晶体管技术
