6月19日，CEA -Leti官网宣布和英特尔启动一项联合研究项目，旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术，目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后。
二维层状半导体，例如基于钼和钨的 TMD，有望扩展摩尔定律并确保 MOSFET 晶体管的最终缩放，因为 2D-FET 提供了固有的亚 1nm 晶体管沟道厚度。由于其良好的载流子传输和移动性，即使对于原子级薄层，它们也适用于高性能和低功耗平台。此外，它们的器件主体厚度和适度的能带隙导致增强的静电控制，从而导致低断态电流。
这些特性将 2D-FET 堆叠纳米片器件定位为 2030 年后晶体管缩放的有前途的解决方案，这将需要高质量的 2D 通道生长、适应性转移和稳健的工艺模块。为此，这个多年期项目将开发一种可行的层转移技术，将高质量二维材料（生长在 300 毫米首选基板上）转移到另一个用于晶体管工艺集成的器件基板。英特尔为该项目带来了数十年的研发和制造专业知识，CEA-Leti 还提供了键合和传输层专业知识以及大规模表征。
英特尔技术开发高级研究员兼英特尔欧洲研究总监 Robert Chau 表示：“随着我们不懈地推动摩尔定律，2D TMD 材料是一种很有前途的选择，可以在未来扩展晶体管的缩放极限。” “该研究计划的重点是开发一种可行的基于 2D TMD 的 300mm 技术，用于未来的摩尔定律晶体管缩放。”
英特尔将其在半导体和封装研究与技术方面的实力和专业知识与欧洲合作伙伴合作，以开发摩尔定律创新并推动欧洲的微电子技术发展。2022 年，Chau 从美国调往欧洲，领导英特尔欧洲研究院，并与欧洲大陆的合作伙伴一起推动英特尔的研发。英特尔和 CEA-Leti 在半导体设计、工艺和封装技术方面有着长期的密切合作。
最近，他们宣布在 2022 年 6 月使用自组装工艺实现未来芯片集成的新型芯片到晶圆键合技术的研究取得突破。Chau 于 6 月 16 日访问了 CEA-Leti 的格勒诺布尔总部，以强调其重要性他们的合作和项目的启动，一直是两个实体之间多年研究合作的有力支持者。
CEA-Leti 首席执行官 Sebastien Dauvé 表示，行业路线图表明，二维材料将集成到未来的微电子设备中，而 300 毫米晶圆的转移能力将是这种集成的关键。
“由于其超过 700°C 的高生长温度和在首选基板上的高质量生长，很难堆叠 2D 材料，很难像通常的薄层一样沉积在堆叠上。因此，转移最有希望将它们集成到未来的设备中，而 CEA-Leti 在这方面的优势在于其在转移开发和表征方面的专业知识和技术诀窍，”Dauvé 说。
参考文献：https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/actualites/Communique%20de%20presse/Moore%E2%80%99s-Law-CEA-Leti-Intel-to-Develop-Atomically-Thin-2D-TMDs-on-300mm-Wafers.aspx
https://mp.weixin.qq.com/s/fPNOHaifyzrPKIKs5mHsUQ
