《CEA-Leti扩展了300mm晶圆生产线,为工业合作伙伴开辟了新的研发途径》

  • 来源专题:集成电路
  • 编译者: Lightfeng
  • 发布时间:2018-12-08
  • 在美国的IEDM 2018上,法国的微纳米技术研发中心CEA-Leti宣布其扩展了300mm硅基晶圆生产线,并为其合作伙伴开辟了新的研发途径。该扩展将允许新的技术模块插入或与工业流程兼容,可在存储器、光子学、电力电子设备和其他高端应用中实现边缘AI(人工智能)和高性能计算(HPC)。

    相关应用包括:

    存储器:PCRAM,基于氧化物的电阻存储器(OxRAM)和CBRAM

    光子学:硅上III-V,集成光子学

    电力电子:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

    HPC和边缘AI:FD-SOI和衍生物

    3D晶圆-晶圆或芯片-晶圆键合,混合键合:与Soitec合作的基板和层传输,用于高级基板。

    CEA-Leti首席执行官EmmanuelSabonnadière说:“CEA-Leti的工业合作伙伴现在能够利用先进的设备开发或测试我们的技术及设计,同时受益于研究所的研发专业知识,以实现更高的组件性能。”

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  • 《CEA -Leti和英特尔宣布联合开发 300 毫米晶圆上2D TMD的层转移技术》

    • 来源专题:集成电路
    • 编译者:李衍
    • 发布时间:2023-06-21
    • 6月19日,CEA -Leti官网宣布和英特尔启动一项联合研究项目,旨在开发 300 毫米晶圆上二维过渡金属二硫化物 (2D TMD) 的层转移技术,目标是将摩尔定律扩展到 2030 年以后。 二维层状半导体,例如基于钼和钨的 TMD,有望扩展摩尔定律并确保 MOSFET 晶体管的最终缩放,因为 2D-FET 提供了固有的亚 1nm 晶体管沟道厚度。由于其良好的载流子传输和移动性,即使对于原子级薄层,它们也适用于高性能和低功耗平台。此外,它们的器件主体厚度和适度的能带隙导致增强的静电控制,从而导致低断态电流。 这些特性将 2D-FET 堆叠纳米片器件定位为 2030 年后晶体管缩放的有前途的解决方案,这将需要高质量的 2D 通道生长、适应性转移和稳健的工艺模块。为此,这个多年期项目将开发一种可行的层转移技术,将高质量二维材料(生长在 300 毫米首选基板上)转移到另一个用于晶体管工艺集成的器件基板。英特尔为该项目带来了数十年的研发和制造专业知识,CEA-Leti 还提供了键合和传输层专业知识以及大规模表征。 英特尔技术开发高级研究员兼英特尔欧洲研究总监 Robert Chau 表示:“随着我们不懈地推动摩尔定律,2D TMD 材料是一种很有前途的选择,可以在未来扩展晶体管的缩放极限。” “该研究计划的重点是开发一种可行的基于 2D TMD 的 300mm 技术,用于未来的摩尔定律晶体管缩放。” 英特尔将其在半导体和封装研究与技术方面的实力和专业知识与欧洲合作伙伴合作,以开发摩尔定律创新并推动欧洲的微电子技术发展。2022 年,Chau 从美国调往欧洲,领导英特尔欧洲研究院,并与欧洲大陆的合作伙伴一起推动英特尔的研发。英特尔和 CEA-Leti 在半导体设计、工艺和封装技术方面有着长期的密切合作。 最近,他们宣布在 2022 年 6 月使用自组装工艺实现未来芯片集成的新型芯片到晶圆键合技术的研究取得突破。Chau 于 6 月 16 日访问了 CEA-Leti 的格勒诺布尔总部,以强调其重要性他们的合作和项目的启动,一直是两个实体之间多年研究合作的有力支持者。 CEA-Leti 首席执行官 Sebastien Dauvé 表示,行业路线图表明,二维材料将集成到未来的微电子设备中,而 300 毫米晶圆的转移能力将是这种集成的关键。 “由于其超过 700°C 的高生长温度和在首选基板上的高质量生长,很难堆叠 2D 材料,很难像通常的薄层一样沉积在堆叠上。因此,转移最有希望将它们集成到未来的设备中,而 CEA-Leti 在这方面的优势在于其在转移开发和表征方面的专业知识和技术诀窍,”Dauvé 说。 参考文献:https://www.leti-cea.fr/cea-tech/leti/Pages/actualites/Communique%20de%20presse/Moore%E2%80%99s-Law-CEA-Leti-Intel-to-Develop-Atomically-Thin-2D-TMDs-on-300mm-Wafers.aspx https://mp.weixin.qq.com/s/fPNOHaifyzrPKIKs5mHsUQ
  • 《以科技助推教育高质量发展,英特尔携手合作伙伴建设全新人工智能实验室》

    • 来源专题:光电情报网信息监测服务平台
    • 编译者:husisi
    • 发布时间:2022-02-16
    • 近期,英特尔携手戴尔、美国社区学院协会(AACC)推出人工智能孵化器网络,这是英特尔AI for Workforce计划的一项新举措,旨在通过充分利用美国社区学院协会的专业知识和系统,在美国各地设计并建设人工智能实验室。目前正向有意加入人工智能孵化器网络的社区学院开放申请,这些社区学院可以设计和建设自己的人工智能孵化器,如实体实验室、虚拟平台上虚拟实验室或两者相结合等多种形式。 英特尔执行副总裁兼客户端计算事业部总经理Michelle Johnston Holthaus表示:“英特尔携手美国社区学院协会、戴尔在美国建设新兴技术教育孵化器,旨在让学生有更多途径获取急需的人工智能技术技能和培训。该项目是下一代美国技术人员、工程师和发明家扩展创新思维的起点,将助力他们在数字经济的各个领域开启全新的职业生涯。” 加入人工智能孵化器网络的社区学院不仅可以共同分享和讨论、交流经济发展,还能够一同制定学生参与人工智能编程的战略,共享参与项目的学院的项目课程,并汇总来自美国社区学院协会、英特尔、戴尔及其他行业合作伙伴的最佳人工智能孵化实践。这些实验室还将助力学生拥有更便捷地获取人工智能设备、工具和资源的途径,并培养未来工作所需的技能。 与此同时,该计划还将选出10所大学,并在12个月内为每所大学提供4万美元拨款,用于建设人工智能实验室。 自2020年推出AI for Workforce项目以来,英特尔已经将其扩展到18个州的31所学校。人工智能孵化器网络计划将迅速扩展AI for Workforce计划,并为更广泛的社区学院系统带来优质、公平的教育资源。 在一项由英特尔和戴尔联合出资协助的2021年EdScoop调查中显示,高等教育官员认为,人工智能培训供不应求,高等教育机构目前没有能力满足对人工智能培训的需求。其中,53%的受访者表示,人工智能将是未来三年教学需求增长最显著的科目。而50%的受访者则表示,他们希望得到同行机构联盟或协会的支持。 美国社区学院协会将对选择参加该项目的学院支持人工智能孵化器网络的实施。同时,作为全国社区学院的代言人,美国社区学院协会为近1,200万多元化学生提供教育和经济机会。 此外,戴尔将为选定的10所学校提供技术专业知识,使其能够配置用于面对面、在线和混合方式教学的人工智能实验室。戴尔积极参与英特尔AI for Workforce计划与其致力于实现2030年社会影响力目标(Progress Made Real)的愿景是一致的,即:通过提供支持人们充分发挥其潜力的教育和技术而改变生活。 与此同时,英特尔将提供40万美元资金。这也是英特尔RISE科技计划(IRTI)的一部分,该计划将持续关注和资助与医疗、教育和经济相关的项目,并为社会公平、无障碍和气候行动提供全新专门的工作流程。英特尔已承诺扩大数字化就绪,将触达30个国家的30,000个机构的3,000万人。这一承诺是英特尔2030年目标和全球影响力挑战的一部分,强调了英特尔的目标是让技术充分包容,并将数字化就绪扩大到全世界。英特尔企业责任对积极的全球影响力承诺蕴含在其宏旨中——创造改变世界的科技,造福地球上的每一个人。