我们无处不在地传输视频，我们将有声读物下载到移动设备，我们在设备上存储了大量照片。简而言之，我们所需的存储容量正在快速增长。研究人员正在努力开发新的数据存储选项。一种可能性是跑道存储装置，其中数据以相反磁化区域的形式存储在纳米线中，即所谓的域。这项研究的结果最近发表在科学杂志“自然材料”上。
来自德国约翰内斯古腾堡大学（JGU）的研究团队，以及荷兰埃因霍温科技大学的同事以及大邱庆北科技学院和韩国西江大学的研究团队现在已经发现了一个可以显着的发现改进这些赛道记忆设备。未来可以将信息存储在三维旋转结构中，而不是使用单个域，使存储器更快，更稳健并提供更大的数据容量。
“我们能够展示迄今为止尚未发现的相互作用，”美因茨大学的Kyujoon Lee博士解释说。 “它发生在由非磁性层隔开的两个薄磁层之间。”通常，自旋彼此平行或反平行排列。对于这样的两个单独的磁性层也可以预期这一点。然而，这项工作的情况有所不同，因为研究人员已经能够证明，在特定的系统中，两层中的自旋相互扭曲。更确切地说，它们以90度的角度耦合成彼此垂直对齐。这种新的层间耦合相互作用在理论上通过PeterGrünberg研究所（PGI）的项目合作伙伴和ForschungszentrumJülich的高级模拟研究所（IAS）进行的理论计算得到了解释。
美因茨的研究人员研究了多层材料的多种不同材料组合。他们能够证明这种先前未知的相互作用存在于不同的系统中，并且可以通过层的设计来设计。理论计算使他们能够理解这种新颖效应的潜在机制。
根据他们的结果，研究人员揭示了这些层之间相互作用中缺失的成分。 “这些结果对于科学界来说非常有趣，因为它们表明存在缺失的层间相互作用的反对称元素，”JGU的Dong-Soo Han博士评论道。这开辟了设计各种新的三维旋转结构的可能性，这可能导致长期的新磁存储单元。
该出版物的高级作者MathiasKläui教授补充说：“我很高兴这个国际团队的合作工作为三维结构开辟了新的道路，可以成为新3D设备的关键推动者。通过财政支持德国研究基金会和德国学术交流中心DAAD，我们能够与外国合作伙伴交换学生，教职员工和教授，以实现这项令人兴奋的工作。“
——文章发布于2019年6月3日
