通过高k栅介质的屏蔽作用，可以大大提高MoS2晶体管的载流子迁移率。在这个工作中,原子层沉积(ALD)HfO2 NH3退火是用来取代二氧化硅作为闸极介电层制造back-gated一些层次化的二硫化钼晶体管,实现和良好的电气性能与场效应迁移率(μ)19.1厘米2与它们的s - 1,阈下摇摆(SS)123.6 mV古老文明和开/关比率为3.76×105。此外,设备性能得到增强的表面涂二硫化钼通道是由ALD HfO2层不同厚度(10年、15年和20海里),在晶体管与15 nm HfO2封装层展品最好的整体电气性能:μ= 42.1厘米2与它们s - 1,党卫军= 87.9 mV古老文明和开/关比率为2.72×106。这些改进应与电荷-杂质散射的增强筛选效应以及高k包封保护环境气体分子不被吸收有关。后栅介电(HfO2)的电容等效厚度仅为6.58 nm，有利于MoS2晶体管的伸缩。
——文章发布于2018年6月14日
