基于二硫化钼(MoS2)的场效应晶体管(FETs)在电子和光电应用中具有重要的应用价值，但通常具有较大的滞后和阈值电压不稳定性。在本研究中，采用先进的转移技术，在hBN和SiO2的基体上制备了基于单一的、均匀的、原子薄的MoS2片状六边形氮化硼(hBN)包封FETs。这允许一个更好的和精确的比较之间的电荷陷阱在semiconductor-dielectric接口二硫化钼−二氧化硅和hBN接口。通过将活动的MoS2层封装在两个器件上，可以最大限度地减少环境环境和实体对滞后的影响。通过使用单一的MoS2层来制造这两种器件，也可以消除由不同MoS2层引起的器件变化。消除这些额外因素诱发变异后设备特点,发现被困的测量电荷密度降低到1.9×1011厘米−2 hBN基质相比1.1×1012厘米−2在二氧化矽基板上。进一步研究了hBN衬底的迟滞和稳定阈值电压的降低，以及它们与栅极扫描速率、扫描范围和栅极应力的关系。通过对SiO2和hBN衬底上的封装器件的精确比较，进一步证明了hBN衬底和封装对于提高和稳定MoS2 FETs性能的要求。
——文章发布于2018年6月11日
