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《三星与长江存储签署3D NAND混合键合技术专利许可协议，提升V-NAND可靠性》

  • 来源专题：集成电路与量子信息
  • 发布时间：2025-02-25

  • 随着存储巨头激烈竞争以突破NAND的技术极限，据techweb援引韩国媒体ZDNet报道，三星电子近日与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议，将从第10代V-NAND（V10）开始，采用长江存储的专利技术，特别是在“混合键合”技术领域。

    三星计划在2025年下半年开始量产下一代V10 NAND，预计该产品的堆叠层数将达到420至430层。随着层数的增加，尤其是超过400层时，底层外围电路的压力会显著提升，这可能影响芯片的可靠性。 为了克服这一挑战，三星决定在V10 NAND中引入W2W混合键合技术。这项技术通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，从而缩短了电气路径，提高了性能和散热能力，同时优化了生产效率。 长江存储四年前就已经将混合键合技术应用于3D NAND制造，并将其命名为“晶栈（Xtacking）”，同时构建了全面的专利布局。

    业界人士指出，美国的Xperi、中国大陆地区的长江存储和中国台湾地区的台积电是目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司。 三星选择了与长江存储通过专利授权的方式来达成协议，而不是尝试规避专利，以此来降低未来可能出现的法律和市场风险，并加速其技术研发进程。

    除了三星，SK海力士也正在开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术，未来也可能需要与长江存储签订专利授权协议。

    业界人士预测，三星在V10、V11、V12等后续NAND产品的开发过程中，仍可能会依赖长江存储的专利技术。


    信息参考链接：[News] Samsung Rumored to Adopt Hybrid Bonding Patent from China’s YMTC for 400+ Layer NAND | TrendForce News

  • 原文来源：https://www.techweb.com.cn/it/2025-02-25/2957412.shtml
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